显示面板和包括该显示面板的显示设备的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年9月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0109179号的优先权和权益，其公开内容通过引用整体并入本文。

一个或多个实施例涉及显示面板和包括该显示面板的显示设备。

背景技术：

相关技术的显示设备具有多种用途。另外，由于它们相对小的厚度和轻的重量，它们的应用范围也增大了。

在显示设备的显示区已经增大的同时，连接或链接到显示设备的各种功能已经被增加到显示设备。作为在增大显示区的同时增加各种功能的方法，在显示区中形成连接或链接到功能的区域的显示设备已经被开发。

技术实现要素：

在包括开口的显示设备中，包括有机材料并且经由开口的侧表面暴露的层提供湿气渗透路径，并且因此至少部分地围绕开口的显示元件可能被损坏。

一个或多个实施例包括能够防止湿气经由显示面板的开口渗透的显示面板以及包括该显示面板的显示设备。然而，一个或多个实施例仅是示例，并且本发明的范围不限于此。

另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将根据描述显而易见，或者可以通过实践所呈现的实施例来教导。

根据一个或多个实施例，显示面板包括：玻璃基板，包括开口区和至少部分地围绕开口区的显示区；薄膜晶体管，位于显示区中并且包括半导体层和栅电极；显示元件，电连接至薄膜晶体管；多层，包括下绝缘层和至少一个绝缘层，其中至少一个绝缘层在玻璃基板和显示元件之间，并且下绝缘层在玻璃基板和至少一个绝缘层之间；以及薄膜封装层，覆盖显示元件并包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层，其中，多层包括位于开口区和显示区之间的第一凹槽，并且第一凹槽的在下绝缘层中的部分的第一宽度大于第一凹槽的在至少一个绝缘层中的部分的第二宽度。

第一凹槽的底表面可以位于下绝缘层的上表面和玻璃基板的上表面之间的虚拟表面上，或者位于与玻璃基板的上表面相同的虚拟表面上。

至少一个绝缘层可以包括与第一凹槽对应的第一孔，并且下绝缘层可以包括与第一凹槽对应的第二孔或凹进。

至少一个绝缘层的面向第一凹槽的中心的侧表面可以比下绝缘层的面向第一凹槽的中心的侧表面更靠近第一凹槽的中心。下绝缘层可以与玻璃基板的上表面直接接触。

至少一个无机封装层可以覆盖第一凹槽的内表面。

至少一个无机封装层的一部分可以与玻璃基板的在第一凹槽内的一部分直接接触。

玻璃基板可以包括与开口区对应的第一开口。

玻璃基板的限定第一开口的端部可以比下绝缘层的面向开口区的端部更靠近开口区的中心。

多层可以进一步包括在第一凹槽和开口区之间的第二凹槽。

至少一个有机封装层的端部可以在第一凹槽和第二凹槽之间。

显示面板可以进一步包括在多层上并位于第一凹槽和第二凹槽之间的分隔墙。

下绝缘层可以包括有机绝缘层，并且至少一个绝缘层可以包括无机绝缘层。

下绝缘层可以包括氮化硅和碳氧化硅中的至少一种，并且至少一个绝缘层可以包括无机绝缘层，该无机绝缘层包括与下绝缘层不同的材料。

根据一个或多个实施例，显示设备包括：基板，包括开口；薄膜晶体管，位于基板的显示区中，并包括半导体层和栅电极，显示区至少部分地围绕开口；显示元件，电连接至薄膜晶体管；多层，包括下绝缘层和至少一个绝缘层，其中下绝缘层位于基板上，并且至少一个绝缘层位于下绝缘层上并且包括与下绝缘层不同的材料；以及封装层，被配置为覆盖显示元件，其中，多层包括在多层的深度方向上凹入的第一凹槽，并且第一凹槽的在下绝缘层中的部分的宽度大于第一凹槽的在至少一个绝缘层中的部分的宽度。

基板可以包括玻璃材料、聚合物材料或金属材料。

第一凹槽的底表面可以位于下绝缘层的上表面和基板的上表面之间的虚拟表面上，或者位于与基板的上表面相同的虚拟表面上。

至少一个绝缘层可以包括与第一凹槽对应的第一孔，并且下绝缘层可以包括与第一凹槽对应的第二孔或凹进。

至少一个绝缘层可以包括无机绝缘层。

下绝缘层可以包括有机绝缘层，或者可以包括与至少一个绝缘层不同的无机绝缘层。

至少一个绝缘层的指向第一凹槽的中心的侧表面可以比下绝缘层的指向第一凹槽的中心的侧表面更突出。

基板的指向开口的端部可以比下绝缘层的指向开口的端部朝向开口更突出。

多层可以进一步包括在第一凹槽和开口之间的第二凹槽。

封装层可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层，并且至少一个无机封装层可以覆盖第一凹槽和第二凹槽中的每一个的内表面。

至少一个有机封装层的一部分可以至少部分地填充第一凹槽。

显示设备可以进一步包括在多层上并且位于第一凹槽和第二凹槽之间的分隔墙。

至少一个无机封装层可以与基板的在第一凹槽或第二凹槽内的上表面直接接触。

至少一个绝缘层可以包括第一绝缘层和第一绝缘层上的第二绝缘层，第一绝缘层和第二绝缘层包括不同的材料。第一绝缘层和第二绝缘层可以分别包括与第一凹槽对应的孔，并且第二绝缘层的孔的宽度可以小于第一绝缘层的孔的宽度。

显示元件可以包括有机发光二极管。

包括在有机发光二极管中的有机层和对电极中的至少一个可以被第一凹槽断开。

附图说明

根据以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其他方面将变得显而易见并且更容易理解，附图中：

图1是根据实施例的显示设备的示意性透视图；

图2a至图2d是根据实施例的显示设备的示意性截面图；

图3是根据实施例的显示面板的示意性平面图；

图4是显示面板的多个像素中的一个的电路图；

图5是根据实施例的显示面板的一部分的平面图，其示出了位于第一非显示区中的信号线；

图6是根据实施例的显示面板的一部分的平面图，其示出了位于第一非显示区中的凹槽；

图7是图6的显示面板的截面图；

图8是根据实施例的有机发光二极管的放大截面图；

图9a是根据实施例的第一凹槽的截面图，并且图9b是示出图9a的第一凹槽上的堆叠结构的截面图；

图10a是根据另一实施例的第一凹槽的截面图，并且图10b是示出图10a的第一凹槽上的堆叠结构的截面图；

图11是根据另一实施例的显示面板的截面图；

图12a是根据另一实施例的第一凹槽的截面图，并且图12b是示出图12a的第一凹槽上的堆叠结构的截面图；

图13是根据另一实施例的显示面板的截面图；

图14是根据另一实施例的显示面板的截面图；

图15a是根据另一实施例的第一凹槽的截面图，并且图15b是示出图15a的第一凹槽上的堆叠结构的截面图；

图16是根据另一实施例的显示面板的截面图；

图17是根据另一实施例的显示面板的截面图；

图18是根据另一实施例的显示面板的平面图；

图19是根据另一实施例的开口区的周围的平面图；

图20是图19的显示面板的截面图；

图21是根据另一实施例的显示面板的平面图；

图22是根据另一实施例的开口区的周围的平面图；并且

图23是图22的显示面板的截面图。

具体实施方式

由于本公开允许各种改变和多个实施例，因此在附图中示出并在书面描述中详细描述特定的实施例。在下文中，将参考其中示出了本公开的实施例的附图更充分地描述本公开的效果和特征以及用于实现这些效果和特征的方法。然而，本公开可以以许多不同的形式体现，并且不应该被解释为限于这里阐述的实施例。

以下将参考附图更详细地描述本公开的一个或多个实施例。相同或相应的那些部件被赋予相同的附图标记而不考虑图号，并且省略多余的解释。

应当理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种部件，但是这些部件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个部件与另一个部件。

如本文所用，单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。

还应理解，本文使用的术语“包括”和/或“包含”指明所陈述特征或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征或部件的存在或附加。

应当理解，当层、区域或部件被称为“形成在”另一层、区域或部件“上”时，它可以直接或间接地形成在另一层、区域或部件上。也就是说，例如，可以存在中间层、区域或部件。

为了便于解释，附图中元件的尺寸可能被放大。换句话说，由于为了便于解释而任意地示出了附图中部件的尺寸和厚度，因此以下实施例不限于此。

当某个实施例可以不同地实施时，特定的工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可以被基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。

还应当理解，当层、区域或部件被称为“连接”或“耦接”到另一层、区域或部件时，它可以直接连接或耦接到另一层、区域或部件，或者可以存在中间层、区域或部件。例如，当层、区域或部件被称为“电连接”或“电耦接”到另一层、区域或部件时，它可以直接电连接或耦接到另一层、区域或部件，或者可以存在中间层、区域或部件。

图1是根据本公开的实施例的显示设备1的示意性透视图。

参见图1，显示设备1包括发光的显示区da和不发光的非显示区nda。显示设备1可以通过使用从布置在显示区da中的多个像素发射的光来提供图像。

显示设备1包括至少部分地被显示区da围绕的开口区oa。图1示出了开口区oa完全被显示区da围绕。非显示区nda可以包括围绕开口区oa的第一非显示区nda1以及围绕显示区da的第二非显示区nda2。第一非显示区nda1可以完全围绕开口区oa，显示区da可以完全围绕第一非显示区nda1，并且第二非显示区nda2可以完全围绕显示区da。

尽管现在将有机发光显示设备示出并描述为显示设备1，但是显示设备1不限于此。根据另一实施例，可以使用各种类型的显示设备，诸如无机发光显示器和量子点发光显示器。

图2a至图2d是根据实施例的显示设备1的示意性截面图，并且可以对应于沿图1的线ii-ii'截取的截面。开口区oa位于两个像素之间。例如，开口区oa位于两个oled之间。

参见图2a，显示设备1可以包括显示面板10和与显示面板10的开口区oa对应的部件20。虽然未示出，但诸如用于感测触摸输入的输入感测构件、包括偏振器和延迟器或者滤色器和黑矩阵的防反射构件、以及透明窗的元件可以被布置在显示面板10上。

显示面板10可以包括基板100、设置在基板100上的显示元件层200以及作为覆盖显示元件层200的封装构件的薄膜封装层300。

基板100可包括玻璃材料、聚合物材料或金属材料。基板100可以是刚性的或柔性的。例如，基板100可以是包含sio2作为主要成分的透明玻璃基板，或者包括诸如增强塑料的聚合物树脂的基板。显示元件层200包括：包括布置在显示区da中的薄膜晶体管(tft)的像素电路以及诸如有机发光二极管(oled)的电连接到像素电路的显示元件。薄膜封装层300可以通过覆盖显示元件层200来防止外部湿气或污染物质渗透到显示元件层200中。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。

如图2a所示，显示面板10可以包括开口10h，开口10h对应于开口区oa并且穿透(例如，完全穿透)显示面板10。基板100、显示元件层200和薄膜封装层300可以分别包括对应于开口区oa的第一开口100h、第二开口200h和第三开口300h，并且第一开口100h、第二开口200h和第三开口300h可以一起形成显示面板10的开口10h。第一开口100h可以从基板100的顶表面穿透到底表面，第二开口200h可以从显示元件层200的最下层穿透到最上层，并且第三开口300h可以穿透薄膜封装层300。

开口区oa是部件20所在的区域(例如，部件20的至少一部分与显示面板10中的开口10h横向对齐)。尽管在图2a中，部件20被布置在基板100下方，但是实施例不限于此。根据另一实施例，如图2b所示，部件20可以被布置在开口10h内，使得部件20的至少一部分在显示面板10的厚度方向上与显示面板10的面向开口10h的侧表面重叠(例如，在一个或多个实施例中，部件20的至少一部分可以延伸到显示面板10中的开口10h中)。

部件20可以包括电子元件。例如，部件20可以是使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以包括像红外传感器的发射和/或接收并使用光的传感器、接收光并捕获图像的相机、输出并感测光或声音以测量距离或识别指纹等的传感器、输出光的小灯或输出声音的扬声器。使用光的电子元件可以使用各种波段的光，诸如可见光、红外光和紫外光。根据一些实施例，开口区oa可以被理解为能够传输从部件20输出到外部或者从外部朝向部件20行进的光或/和声音的传输区。

根据实施例，当显示面板10被用作智能手表或汽车的仪表面板时，部件20可以是包括时钟指针或指示预定信息(例如，车辆的速度等)的指针等的构件。如图2a或图2b所示，部件20是可以被布置在与显示面板10的开口10h对应的位置处的部件。如上所述，部件20可以包括与显示面板10的功能相关的元件，或者诸如增加显示面板10的美感的配件的元件。

在图2a和图2b中，基板100、显示元件层200和薄膜封装层300分别包括对应于开口区oa的第一开口100h、第二开口200h和第三开口300h。但是，如图2c所示，基板100可以不包括第一开口100h。

参见图2c，尽管基板100不包括第一开口100h，但是显示元件层200和薄膜封装层300可以分别包括第二开口200h和第三开口300h。根据实施例，在图2c中所示的显示面板10的开口区oa中的透光率可以是约50％或更高、70％或更高、75％或更高、80％或更高、85％或更高或者90％或更高。

部件20被布置在开口区oa中。如图2c的实线所示，部件20可以被布置在显示面板10下方，使得部件20不与显示面板10的面向开口10h的侧表面重叠，或者如图2c的虚线所示，部件20的至少一部分可以被布置在第二开口200h和第三开口300h内，使得部件20在显示元件层200和薄膜封装层300的厚度方向上与显示面板10的面向开口10h的侧表面重叠。

参见图2d，基板100和薄膜封装层300可以分别不包括第一开口100h和第三开口300h，但是显示元件层200可以包括第二开口200h。另外，在图2d的实施例中，薄膜封装层300可以包括沿着显示元件层200的面向开口10h的侧表面和基板100的面向开口10h的上表面延伸的凹进部分。在图2d中，部件20被布置在开口区oa中，使得部件20不与显示面板10的面向开口10h的侧表面重叠。然而，部件20可以被布置在图2c的虚线所示的位置处。

图3是根据实施例的显示面板10的示意性平面图，并且图4是显示面板10的多个像素p中的一个的电路图。

参见图3，显示面板10包括布置在显示区da中的多个像素p。像素p中的每一个可以包括oled。像素p中的每一个可以经由oled发射例如红光、绿光、蓝光或白光。

参见图4，像素p包括像素电路pc和连接到像素电路pc的oled。像素电路pc可以包括第一tftt1、第二tftt2和存储电容器cst。

作为开关tft的第二tftt2连接到扫描线sl和数据线dl，并且根据经由扫描线sl接收的开关电压将经由数据线dl接收的数据电压传输到第一tftt1。存储电容器cst连接到第二tftt2和驱动电压线pl，并且存储与从第二tftt2接收的电压和供应至驱动电压线pl的第一电源电压elvdd之间的差相对应的电压。

作为驱动tft的第一tftt1连接到驱动电压线pl和存储电容器cst，并且可以根据存储在存储电容器cst中的电压值控制从驱动电压线pl流到oled的驱动电流。oled可以通过驱动电流发射具有一定亮度的光。oled的对电极(例如，阴极)可以接收第二电源电压elvss。

尽管在图4中示出了像素电路pc包括两个tft和一个存储电容器的情况，但是实施例不限于此。tft的数目和存储电容器的数目可以根据像素电路pc的设计而变化。

返回参见图3，第一非显示区nda1可以围绕开口区oa。第一非显示区nda1是其中未布置发光的显示元件的区域。连接到布置在开口区oa周围的像素p的导线(例如，信号线)可以横跨第一非显示区nda1延伸，或者下面描述的凹槽可以被布置在第一非显示区nda1中。在第二非显示区nda2中，向像素p中的每一个提供扫描信号的扫描驱动器1100、向像素p中的每一个提供数据信号的数据驱动器1200以及用于提供第一电源电压elvdd和第二电源电压elvss的主电源线(未示出)可以被布置。

图3可以被理解为显示面板10的基板100的图。例如，基板100可以被理解为包括开口区oa、显示区da以及第一非显示区nda1和第二非显示区nda2。

图5是根据实施例的显示面板的一部分的平面图，并且示出了位于第一非显示区nda1中的线。

参见图5，像素p可以被布置在开口区oa周围的显示区da中，并且第一非显示区nda1可以位于开口区oa和显示区da之间。

像素p可以在开口区oa周围彼此间隔开。像素p可以在开口区oa周围彼此垂直地间隔开，或者在开口区oa周围彼此水平地间隔开。

在向像素p供应信号的信号线中，与开口区oa邻近的信号线可以在开口区oa周围绕行。穿过显示区da的数据线dl中的一些可以在y方向上延伸以向垂直布置在开口区oa周围的像素p提供数据信号，并且可以在第一非显示区nda1中沿着开口区oa的边缘(例如，弧线)绕行。穿过显示区da的扫描线sl中的一些可以在x方向上延伸以向水平布置在开口区oa周围的像素p提供扫描信号，并且可以在第一非显示区nda1中沿着开口区oa的边缘(例如，弧线)绕行。

图6是根据实施例的显示面板的一部分的平面图，并且示出了位于第一非显示区nda1中的凹槽。

凹槽位于开口区oa和显示区da之间。图6的实施例示出了位于开口区oa和显示区da之间的第一凹槽g1和第二凹槽g2。然而，根据另一实施例，仅一个凹槽或者三个或更多个凹槽可以被布置在开口区oa和显示区da之间。

第一凹槽g1和第二凹槽g2中的每一个可以具有在第一非显示区nda1中完全围绕开口区oa的环形形状。在图6中，因为开口区oa具有圆形形状，所以第一凹槽g1和第二凹槽g2是圆环(例如，在一个或多个实施例中，凹槽g1和g2的形状对应于开口区oa的形状)。然而，开口区oa可以是椭圆形或多边形的形状，并且因此，第一凹槽g1和第二凹槽g2中的每一个也可以具有各种类型的环形形状中的任何一种。第一凹槽g1和第二凹槽g2中的每一个相对于开口区oa的中心点的直径可以大于开口区oa的直径，并且第一凹槽g1和第二凹槽g2可以在第一非显示区nda1中彼此间隔开一间隔(例如，间隙)。

图7是根据实施例的显示面板的截面图，并且对应于沿图6的线vii-vii'截取的截面。图8是图7的oled的放大截面图。图9a是第一凹槽g1的截面图，而图9b是示出图9a的第一凹槽g1上的堆叠结构的截面图。

参见图7的显示区da，基板100可以是包括如上所述的玻璃材料、聚合物材料或/和金属材料的基板。

用于防止杂质渗透到tft的半导体层中的缓冲层201可以被布置在基板100上。缓冲层201可以包括无机绝缘材料，例如氮化硅或氧化硅，并且可以是包括无机绝缘材料的单层或多层。

包括tft和存储电容器cst的像素电路pc可以被布置在缓冲层201上。tft可以包括半导体层act、栅电极ge、源电极se和漏电极de。图7的tft可以对应于图4的驱动tft。根据本实施例，tft是顶栅型，其中栅电极ge被布置在半导体层act上，其间具有栅绝缘层203。然而，根据另一实施例，tft可以是底栅型，其中栅电极被布置在栅绝缘层下方，并且半导体层被布置在栅绝缘层上方。

半导体层act可以包括多晶硅。可替代地，半导体层act可以包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。栅电极ge可以包括低电阻金属材料。栅电极ge可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和钛(ti)的导电材料，并且可以形成为包括上述材料的多层或单层。

栅绝缘层203可以被插入在半导体层act和栅电极ge之间，并且可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪。

源电极se和漏电极de可以包括高导电材料。源电极se和漏电极de中的每一个可以包括包含mo、al、cu和ti的导电材料，并且可以是包括上述材料的多层或单层。根据实施例，源电极se和漏电极de中的每一个可以被形成为ti/al/ti的多层(三层)。

存储电容器cst包括下电极ce1和上电极ce2，其间具有第一层间绝缘层205。下电极ce1和上电极ce2彼此重叠。存储电容器cst可以被覆盖以第二层间绝缘层207。

存储电容器cst可以与tft重叠。图7示出了tft的栅电极ge是存储电容器cst的下电极ce1的情况，但是本公开不限于此。根据另一实施例，存储电容器cst可以不与tft重叠。

第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪，并且可以各自是多层或单层。

包括tft和存储电容器cst的像素电路pc可以被覆盖以平坦化绝缘层209。平坦化绝缘层209可以是有机绝缘层，包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)的商用聚合物、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、丙烯醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的混合物等。根据实施例，平坦化绝缘层209可以包括聚酰亚胺。

oled可以被布置在平坦化绝缘层209上。oled的像素电极221可以被布置在平坦化绝缘层209上，并且可以经由平坦化绝缘层209的接触孔连接到像素电路pc。

像素电极221可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)或氧化铝锌(azo)。根据另一实施例，像素电极221可以包括反射层，反射层包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或这些材料的化合物。根据另一实施例，像素电极221可以进一步包括在反射层上方/下方由ito、izo、zno或in2o3形成的膜。

像素限定层211包括开口并且覆盖像素电极221的边缘，像素电极221的上表面通过该开口被暴露。像素限定层211可以包括有机绝缘材料。像素限定层211可以包括上面在平坦化绝缘层209的上述描述中描述的有机绝缘材料。像素限定层211可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。根据实施例，像素限定层211可以包括聚酰亚胺。

oled的中间层222包括发射层222b。发射层222b可包括发射特定颜色的光的低分子量或高分子量有机材料。根据实施例，如图8所示，中间层222可以进一步包括布置在发射层222b下方的第一功能层222a，和/或布置在发射层222b上方的第二功能层222c。

第一功能层222a可以是单层或多层。例如，当第一功能层222a由高分子量材料形成时，第一功能层222a是具有单层结构的空穴传输层(htl)，并且可以由聚(3,4)-乙烯-二羟基噻吩(pedot)或聚苯胺(pani)形成。另一方面，当第一功能层222a由低分子量材料形成时，第一功能层222a可以包括空穴注入层(hil)和htl。

第二功能层222c是可选的。例如，当第一功能层222a和发射层222b由高分子量材料形成时，第二功能层222c可以被形成以改善oled的特性。第二功能层222c可以是单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。

构成中间层222的多个层中的一些层，例如，第一功能层222a和第二功能层222c，不仅可以被布置在显示区da中，还可以被布置在第一非显示区nda1中，并且可以通过下面描述的第一凹槽g1和第二凹槽g2在第一非显示区nda1中断开。

oled的对电极223可以被布置为面对像素电极221，其间具有中间层222。对电极223可以由具有低功函数的导电材料形成。例如，对电极223可以包括(半)透明层，包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或这些材料的合金。可替代地，对电极223可以进一步包括位于包括上述材料中的任何材料的(半)透明层上的诸如ito、izo、zno或in2o3的层。

oled被覆盖以薄膜封装层300。薄膜封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。尽管在图7中薄膜封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在它们之间的有机封装层320，但是第一无机封装层310和第二无机封装层330以及有机封装层320的堆叠顺序以及无机封装层和有机封装层的数目可以被改变。

第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种的无机绝缘材料，并且可以经由化学气相沉积(cvd)等形成。有机封装层320可包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。

参见图7的第一非显示区nda1，第一非显示区nda1可以包括位于开口区oa的远侧的第一子非显示区snda1以及接近开口区oa的第二子非显示区snda2(例如，第二子非显示区snda2比第一子非显示区snda1更靠近开口区oa)。

第一子非显示区snda1是导线(例如，上面参见图5描述的信号线)穿过的区域。图7示出了位于第一子非显示区snda1中的数据线dl。图7的数据线dl与参见图5描述的在开口区oa周围绕行的数据线dl相对应。数据线dl可以被交替地布置，其中绝缘层(例如，第二层间绝缘层207)位于其间。在这种情况下，邻近数据线dl之间的间隙(间距)可以减小，并且第一非显示区nda1的宽度可以减小。根据另一实施例，数据线dl可以被全部布置在同一层上，例如，布置在第二层间绝缘层207上。

尽管图7示出了位于第一子非显示区snda1中的数据线dl，但是参见图5描述的绕过开口区oa的扫描线sl也可以位于第一子非显示区snda1中。

第二子非显示区snda2可以是布置第一凹槽g1和第二凹槽g2的区域。第一凹槽g1和第二凹槽g2形成在布置在基板100上的多层ml中。多层ml包括下绝缘层250和布置在下绝缘层250上的至少一个绝缘层ail。下绝缘层250可以被插入在基板100和像素电路pc之间，例如在基板100和tft之间。图7的实施例示出了直接布置在基板100上的下绝缘层250。至少一个绝缘层ail可以包括无机绝缘层。在图7所示的实施例中，至少一个绝缘层ail包括缓冲层201、栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207。至少一个绝缘层ail可以指从缓冲层201、栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207中选择的一个或多个绝缘层。

第一凹槽g1和第二凹槽g2可以在多层ml的厚度方向上具有一定深度，并且第一凹槽g1和第二凹槽g2中的每一个可以具有底切结构，其中第一凹槽g1和第二凹槽g2中每一个的穿过下绝缘层250的部分的宽度大于第一凹槽g1和第二凹槽g2中每一个的穿过至少一个绝缘层ail的部分的宽度。像至少一个绝缘层ail是无机绝缘层并且下绝缘层250是有机绝缘层一样，至少一个绝缘层ail和下绝缘层250可以包括彼此不同的材料。下绝缘层250可以包括例如聚酰亚胺。

参见图9a，第一凹槽g1的在深度方向上穿透下绝缘层250的部分的第一宽度w1大于第一凹槽g1的穿透至少一个绝缘层ail的部分的第二宽度w2。至少一个绝缘层ail的侧表面可以比下绝缘层250的侧表面250ie朝向第一凹槽g1的中心更突出，并且至少一个绝缘层ail的突出部分可以形成末端(或者檐状部)(例如，至少一个绝缘层ail的下表面可以悬在第一凹槽g1的在下绝缘层250中的部分上)。图9a示出了一对末端(或檐状部)。末端可以在x方向上比下绝缘层250的侧表面250ie更突出约0.9μm至约1.2μm。

第一凹槽g1可以通过蚀刻至少一个绝缘层ail和下绝缘层250来形成。在用于去除至少一个绝缘层ail的一部分的蚀刻工艺期间使用的蚀刻剂或蚀刻气体可以包括与在用于去除下绝缘层250的一部分的蚀刻工艺期间使用的蚀刻剂或蚀刻气体不同的材料。

经由蚀刻，第一孔250h可以被形成在下绝缘层250中，并且第二孔ail-h可以被形成在至少一个绝缘层ail中。第一孔250h和第二孔ail-h可以彼此连接(例如，彼此连通)以形成第一凹槽g1。第一孔250h的第一宽度w1大于第二孔ail-h的第二宽度w2，并且第一凹槽g1可以具有其中下部宽度大于上部宽度的底切结构。图9a示出了至少一个绝缘层ail的限定第二孔ail-h的侧表面ail-ie在横向方向(x方向)上朝向第一凹槽g1的中心突出第一距离d1，比下绝缘层250的限定第一孔250h的侧表面250ie更突出。在所示实施例中，第一凹槽g1的穿透下绝缘层250的第一孔250h可以从下绝缘层250的面对至少一个绝缘层ail的上表面处的相对较宽的端部到下绝缘层250的面向基板100的下表面处的相对较窄的端部逐渐变窄(例如，侧表面250ie可以从相对较宽的上端部到相对较窄的下端部逐渐变窄)。另外，第一宽度w1可以指的是第一孔250h的在下绝缘层250的上表面处的相对较宽的上端部的宽度。

第一距离d1可以小于下绝缘层250的厚度t，可以等于下绝缘层250的厚度t，或者可以大于下绝缘层250的厚度t。第一距离d1可以大于第一无机封装层310的厚度，或者可以大于第一无机封装层310和第二无机封装层330的各自厚度的总和。根据实施例，第一距离d1可以等于或大于约1μm。换句话说，末端可以比下绝缘层250的侧表面250ie朝向第一凹槽g1的中心更突出第一距离d1。

在如图9a所示第一凹槽g1被形成在多层ml中之后，中间层222和对电极223可以经由热沉积等形成。构成中间层222的多个层中的一些(例如第一功能层222a或/和第二功能层222c)以及对电极223可以经由沉积而形成在基板100上。此时，第一功能层222a和/或第二功能层222c以及对电极223可以各自被位于第一非显示区nda1中的第一凹槽g1和第二凹槽g2断开。图9b示出了中间层222的第一功能层222a或/和第二功能层222c以及对电极223都被第一凹槽g1断开。

尽管上面通过关注第一凹槽g1描述了图9a和图9b，但第二凹槽g2具有与第一凹槽g1相同的结构，并且如上所述，第一功能层222a或/和第二功能层222c以及对电极223都被第二凹槽g2断开。

返回参见图7，薄膜封装层300还覆盖第一非显示区nda1。因为与中间层222和对电极223对比，经由cvd等形成的第一无机封装层310具有相对高的台阶覆盖率，所以第一无机封装层310可以覆盖第一凹槽g1和第二凹槽g2各自的整个内表面。如图9b所示，第一无机封装层310可以覆盖下绝缘层250的侧表面250ie和底表面以及至少一个绝缘层ail的侧表面ail-ie和底表面。这些表面限定第一凹槽g1。下绝缘层250的底表面可以对应于基板100的上表面，并且至少一个绝缘层ail的底表面可以对应于缓冲层201的下表面。

第一无机封装层310可以覆盖位于第一凹槽g1和第二凹槽g2内的断开的第一功能层222a和第二功能层222c以及断开的对电极223，并且可以直接接触基板100的上表面的经由第一凹槽g1暴露的一部分。第一无机封装层310的厚度，例如其在垂直于基板100的方向(z方向)上的厚度，可以小于下绝缘层250的厚度t。第一凹槽g1的一部分可以被至少部分地填充有第一无机封装层310上的有机封装层320。

如图7所示，有机封装层320不仅可以覆盖显示区da，而且可以覆盖第一非显示区nda1的一部分。例如，有机封装层320的端部320e可以在第一凹槽g1和第二凹槽g2之间。有机封装层320可以通过在基板100上涂覆单体等然后使涂覆的单体硬化来形成。当有机封装层320经由开口10h暴露时，湿气可以经由有机封装层320渗透。为了解决该问题，有机封装层320的一部分，例如有机封装层320的与开口区oa和第一凹槽g1之间的区域ha对应的一部分，可以经由灰化工艺等去除。因此，当在垂直于基板100的上表面的方向上观察时，不包括有机封装层320的区域ha可以是围绕开口区oa的环的形状，并且有机封装层320的端部320e可以位于第一凹槽g1和第二凹槽g2之间。

由于有机封装层320的端部320e被定位为比第一无机封装层310和第二无机封装层330的相应端部更靠近显示区da，所以第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在区域ha中彼此直接接触。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在第二凹槽g2中并且在显示面板10的开口10h周围彼此直接接触。

基板100的指向显示面板10的开口10h的端部100e可以比下绝缘层250的指向开口10h的端部250e朝向开口10h更突出。虽然图7示出了在垂直于图6和图7两者中的基板100的上表面的方向上观察的截面图，但像包括与开口区oa对应的第一开口100h的基板100一样，下绝缘层250可以包括与开口区oa对应的开口250h，并且下绝缘层250的开口250h可以具有大于基板100的第一开口100h的直径。

基板100的第一开口100h可以经由激光切割、钻孔等形成。当在形成第一开口100h的工艺期间，冲击被施加到是无机绝缘层的至少一个绝缘层ail时，可能产生裂缝，并且诸如外部湿气的异物可能经由至少一个绝缘层ail的裂缝渗入。然而，当在形成第一凹槽g1和第二凹槽g2的蚀刻工艺期间去除多层ml的与开口区oa对应的部分，然后执行上述激光切割或钻孔以形成基板100中的第一开口100h时，可以防止在无机绝缘层中形成裂缝。第二距离d2可以被理解为足以防止无机绝缘层在激光切割或钻孔期间产生裂缝的裕度。第二距离d2是基板100的端部100e与下绝缘层250的端部250e之间的距离，并且可以是约0.1μm或更大。

图10a是根据另一实施例的第一凹槽g1的截面图，并且图10b是示出图10a的第一凹槽g1上的堆叠结构的截面图。参见图9a和图9b的上述第一凹槽g1，至少一个绝缘层ail的侧表面ail-ie相对平坦。另一方面，参见图10a和图10b，底切结构被局部地形成在至少一个绝缘层ail中，并且至少一个绝缘层ail的面对第一凹槽g1的侧表面是不平坦的。

至少一个绝缘层ail可以包括无机绝缘层，例如包括硅元素的多个无机绝缘层。根据蚀刻工艺期间的各种条件(例如，时间、蚀刻剂或蚀刻气体的成分等)和/或包括在缓冲层201、栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207中的各种材料等，蚀刻工艺期间蚀刻掉缓冲层201、栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的量可以彼此不同。例如，当第一层间绝缘层205包括氧化硅并且缓冲层201、栅绝缘层203和第二层间绝缘层207包括氮化硅时，即使在使用相同的蚀刻气体时，缓冲层201、栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207被蚀刻掉的量也可以依赖于蚀刻条件(例如，时间等)不同而彼此不同，如图10a所示。缓冲层201的侧表面201ie、栅绝缘层203的侧表面203ie和第二层间绝缘层207的侧表面207ie可以比与其邻近的第一层间绝缘层205的侧表面205ie和与其邻近的下绝缘层250的侧表面250ie朝向第一凹槽g1的中心更突出。因此，多个底切结构可以被形成在至少一个绝缘层ail中，使得至少一个绝缘层ail具有面向第一凹槽g1的不平坦侧表面。上述第一凹槽g1的不平坦侧表面不仅仅是凹凸表面，而且是由于包括在至少一个绝缘层ail中的多个无机绝缘层具有彼此不同的材料而获取的。因此，上述不平坦侧表面可以被理解为依据无机绝缘层的厚度方向上的材料的改变的不平坦表面。

在图10a的第一凹槽g1被形成之后，例如第一功能层222a和第二功能层222c的中间层222以及对电极223经由沉积形成，并且都被第一凹槽g1断开，如上面参见图9b所述。如上面参见图9b所述，第一无机封装层310和有机封装层320被依次堆叠在对电极223上。

图11是根据另一实施例的显示面板的截面图，并且与沿图6的线vii-vii'截取的截面相对应。图12a是包括在图11的显示面板中的第一凹槽g1的截面图，并且图12b是示出图12a的第一凹槽g1上的堆叠结构的截面图。图11至图12b的显示面板与图7至图9b的显示面板基本相同，并且因此，现在将主要描述它们之间的区别。

参见图11，第一凹槽g1和第二凹槽g2可以被形成在多层ml中，并且第一凹槽g1和第二凹槽g2的底表面可以位于与基板100的上表面不同的虚拟表面上。例如，与图7和图9a的第一凹槽g1和第二凹槽g2的底表面被布置在与基板100的上表面相同的虚拟表面上不同，图11和图12a的第一凹槽g1和第二凹槽g2的底表面可以位于基板100的上表面之上(例如，上方)的虚拟表面上，并且还位于下绝缘层250的上表面之下。

参见12a，第一凹槽g1可以通过蚀刻多层ml来形成。穿透至少一个绝缘层ail的第二孔ail-h可以通过蚀刻至少一个绝缘层ail的一部分来形成，不完全穿透下绝缘层250的第一凹进250r可以通过蚀刻下绝缘层250的一部分来形成(例如，第一凹进250r可以仅延伸通过下绝缘层250的一部分)，并且第一凹进250r和第二孔ail-h可以一起形成第一凹槽g1。

第一凹进250r的深度h可以小于下绝缘层250的厚度t。第一凹进250r的深度h可以等于或大于下绝缘层250的厚度t的50％、60％、70％、80％、90％、95％或97％，但小于下绝缘层250的厚度t。第一凹进250r和第二孔ail-h可以彼此连接以形成第一凹槽g1，并且第一凹槽g1的底表面可以位于基板100的上表面和下绝缘层250的上表面之间的虚拟表面上。

因为下绝缘层250是有机绝缘层，所以当下绝缘层250保留在第一凹槽g1下方时，存在外部湿气经由保留的下绝缘层250进入并经由无机绝缘层的裂缝流入oled的小的可能性。然而，当基板100如在实施例中那样是刚性基板时，在堆叠于基板100上的无机绝缘层中产生裂缝的可能性很小或不可能，因此可以使上述问题最小化。

当例如第一功能层222a和第二功能层222c的中间层222以及对电极223被形成在图12a的第一凹槽g1上时，第一功能层222a和第二功能层222c以及对电极223均被第一凹槽g1断开，如图12b所示。

在下绝缘层250中形成第一凹进250r而不是第一孔的图11至图12b的结构同样适用于上面参见图10a和图10b描述的第一凹槽g1的结构及其衍生的结构。

图13是根据另一实施例的显示面板的截面图。

图13的显示面板具有与图7的显示面板基本相同的结构，除了在第一凹槽g1和第二凹槽g2之间进一步包括分隔墙400之外。

分隔墙400可以包括有机绝缘材料，并且当在垂直于基板100的上表面的方向上观察时，分隔墙400可以具有围绕开口区oa(例如开口10h)的环形形状。分隔墙400可以包括第一子分隔墙层410和第二子分隔墙层420，第一子分隔墙层410包括与包括在平坦化绝缘层209中的材料相同的材料，并且第二子分隔墙层420包括与包括在像素限定层211中的材料相同的材料。分隔墙400可以在形成有机封装层320的工艺期间控制单体的流动。

图13的分隔墙400可以被包括在具有上面参见图10a和图10b描述的第一凹槽g1和第二凹槽g2的显示面板中，具有上面参见图11至图12b描述的第一凹槽g1和第二凹槽g2的显示面板中，或者从这些显示面板衍生的各种显示面板中。

图14是根据另一实施例的显示面板的截面图，并且与沿图6的线vii-vii'截取的截面相对应。图15a是图14的显示面板的第一凹槽g1的截面图，并且图15b是示出图15a的第一凹槽g1上的堆叠结构的截面图。除了下绝缘层250'以及基于下绝缘层250'的第一凹槽g1和第二凹槽g2的结构之外，图14的显示面板与上面参见图7等描述的显示面板基本相同，因此现在将主要描述两种显示面板之间的区别。

图14的显示面板中的下绝缘层250'包括无机绝缘层。下绝缘层250'可以包括与至少一个绝缘层ail不同的无机绝缘层。例如，下绝缘层250'可以包括氮化硅或碳氧化硅(sioc)。

第一凹槽g1和第二凹槽g2均可以通过蚀刻至少一个绝缘层ail和下绝缘层250'来形成。在蚀刻至少一个绝缘层ail的工艺期间使用的蚀刻剂或蚀刻气体可以与在蚀刻下绝缘层250'的工艺期间使用的蚀刻剂或蚀刻气体相同或不同。

根据实施例，当下绝缘层250'包括氮化硅或碳氧化硅(sioc)时，缓冲层201、栅绝缘层203和下第二层间绝缘层207a包括氧化硅，并且第一层间绝缘层205和上第二层间绝缘层207b包括氮化硅，这些层被蚀刻掉的量可以彼此不同，如图15a所示。

直接在下绝缘层250'上的缓冲层201和栅绝缘层203的侧表面201ie和203ie可以比下绝缘层250'的侧表面250'ie朝向第一凹槽g1的中心更突出，从而形成底切结构。下第二层间绝缘层207a的侧表面207aie可以比第一层间绝缘层205的侧表面205ie朝向第一凹槽g1的中心更突出，从而具有底切结构。

图15a示出了第二层间绝缘层207是具有不同材料的多层并且因此下第二层间绝缘层207a和上第二层间绝缘层207b的侧表面207aie和207bie形成台阶的情况，但是实施例不限于此。根据另一实施例，缓冲层201、栅绝缘层203和第一层间绝缘层205中的每一个可以具有包括不同材料的多层结构。在这种情况下，至少一个绝缘层ail可以局部地具有各种形状的底切结构。

是无机绝缘层的下绝缘层250'的侧表面250'ie可以具有比是有机绝缘层的下绝缘层250的侧表面250ie的倾斜角α大的倾斜角β，如上面参见图9a所述。例如，下绝缘层250'的侧表面250'ie的倾斜角β可以是80°或更大或者85°或更大。

在图15a的第一凹槽g1被形成之后，例如第一功能层222a和第二功能层222c的中间层222以及对电极223可以经由沉积形成，并且都可以被第一凹槽g1断开。此后，如上面参见图7、图9b等所述，第一无机封装层310和有机封装层320被依次堆叠在对电极223上。

图16是根据另一实施例的显示面板的截面图，并且与沿图6的线vii-vii'截取的截面图相对应。图16的显示面板与图14的显示面板基本相同。因此，现在将主要描述它们之间的区别。

参见图16，第一凹槽g1和第二凹槽g2可以被形成在多层ml中，并且第一凹槽g1和第二凹槽g2的底表面可以位于与基板100的上表面不同的虚拟表面上。图14的第一凹槽g1和第二凹槽g2的底表面被布置在与基板100的上表面相同的虚拟表面上，而图16的第一凹槽g1和第二凹槽g2的底表面可以位于基板100的上表面之上(例如，上方)的虚拟表面上，并且还位于下绝缘层250'的上表面之下。

第一凹槽g1和第二凹槽g2的在下绝缘层250'中的部分通过部分蚀刻下绝缘层250'而形成，因此如上面参见图12a所述，凹进可以被形成在下绝缘层250'中。凹进的深度h可以小于下绝缘层250'的厚度t。例如，下绝缘层250'的凹进的深度h可以等于或大于下绝缘层250'的厚度t的50％、60％、70％、80％、90％、95％或97％，但是小于下绝缘层250'的厚度t。

图17是根据另一实施例的显示面板的示意性截面图。图17的显示面板与图14的显示面板基本相同，并且因此，现在主要描述它们之间的区别。

参见图17，分隔墙400可以位于第一凹槽g1和第二凹槽g2之间。分隔墙400包括第一子分隔墙层410和第二子分隔墙层420，并且其材料已在上面参见图13进行了描述。因为分隔墙400能够在形成有机封装层320期间控制单体的流动，所以在单体被硬化时形成的有机封装层320的端部可以被布置在分隔墙400的一个侧表面附近。有机封装层320的端部不会超过分隔墙400朝向开口10h延伸。图17的分隔墙400也可以被包括在图16的显示面板中。

图18是根据另一实施例的显示面板10'的平面图，并且图19是图18的开口区oa的周围的平面图。与图3至图6的显示面板10的部件和结构相同的图18的显示面板10'的部件和结构的描述将不再重复，并且现在将关注并描述两种显示面板之间的区别。

参见图18和图19，显示面板10'的开口区oa可以部分地被显示区da围绕。像素p可以在开口区oa的左侧和右侧彼此间隔开。将扫描信号传送到开口区oa的左侧的像素p和开口区oa的右侧的像素p的扫描线sl可以在第一非显示区nda1中在开口区oa周围绕行。

开口区oa可以至少部分地被第一凹槽g1和第二凹槽g2围绕。根据实施例，图19示出第一凹槽g1围绕开口区oa的一部分(例如，第一凹槽g1部分地围绕开口区oa)，并且第二凹槽g2完全围绕整个开口区oa。当第一凹槽g1围绕开口区oa的一部分时，第一凹槽g1的两个端部可以连接到位于第二非显示区nda2中的第三凹槽g3。当第二凹槽g2完全围绕整个开口区oa时，第二凹槽g2可以连接到位于第二非显示区nda2中的第四凹槽g4。第三凹槽g3和第四凹槽g4可以沿着基板100的边缘延伸。另外，第三凹槽g3和第四凹槽g4可以彼此平行。

图20是沿图19的线xx-xx'截取的截面图。

参见图20，位于第一子非显示区snda1中的扫描线sl对应于参见图19描述的绕过开口区oa的扫描线sl。在图20中，扫描线sl被交替地布置，绝缘层(例如，第一层间绝缘层205)位于其间。在这种情况下，扫描线sl之间的间距可以减小。根据另一实施例，扫描线sl可以被布置在同一绝缘层上。

第二子非显示区snda2包括第一凹槽g1和第二凹槽g2。虽然图20示出了第一凹槽g1和第二凹槽g2的结构以及第一凹槽g1和第二凹槽g2周围的部件与参见图7描述的那些相同，但是第二子非显示区snda2可以具有上面参见图10a至图17描述的实施例的结构及从其衍生的结构。

尽管未在图20中示出，但第三凹槽g3和第四凹槽g4可以具有与第一凹槽g1和第二凹槽g2的截面结构基本相同的截面结构。例如，第三凹槽g3和第四凹槽g4中的每一个可以被形成为穿透至少一个绝缘层ail和下绝缘层250，从而具有底切结构。

图21是根据另一实施例的显示面板10”的平面图，并且图22是图21的开口区oa的周围的平面图。与图3至图6的显示面板10中的部件和结构相同的图21的显示面板10”的部件和结构的描述将不再重复，并且现在将关注并描述它们之间的区别。

参见图21和图22，显示面板10”的开口区oa可以部分地被显示区da围绕。像素p可以在开口区oa的上侧和下侧彼此间隔开。将数据信号传送到开口区oa的上侧的像素p和开口区oa的下侧的像素p的数据线dl可以在第一非显示区nda1中在开口区oa周围绕行。

开口区oa可以至少部分地被第一凹槽g1和第二凹槽g2围绕。根据图22所示的实施例，第一凹槽g1围绕开口区oa的一部分(例如，第一凹槽g1部分地围绕开口区oa)，并且第二凹槽g2完全围绕整个开口区oa。当第一凹槽g1围绕开口区oa的一部分时，第一凹槽g1的两个端部可以连接到位于第二非显示区nda2中的第三凹槽g3。当第二凹槽g2围绕整个开口区oa时，第二凹槽g2可以连接到位于第二非显示区nda2中的第四凹槽g4。第三凹槽g3和第四凹槽g4可以沿着基板100的边缘延伸。另外，第三凹槽g3和第四凹槽g4可以彼此平行。

图23是沿图22的线xxiii-xxiii'截取的截面图。

参见图23，位于第一子非显示区snda1中的数据线dl对应于参见图22描述的绕过开口区oa的数据线dl。第二子非显示区snda2包括第一凹槽g1和第二凹槽g2。尽管图23中的第二子非显示区snda2的结构与上面参见图7描述的相同，但实施例不限于此。根据另一实施例，第二子非显示区snda2可以具有上面参见图10a至图17描述的实施例的结构及从其衍生的结构。

尽管未在图23中示出，但第三凹槽g3和第四凹槽g4可以具有与第一凹槽g1和第二凹槽g2的截面结构基本相同的截面结构。例如，第三凹槽g3和第四凹槽g4中的每一个可以形成为穿透至少一个绝缘层ail和下绝缘层250，从而具有底切结构。

根据实施例，多层在基板上，并且凹槽可以被形成在包括至少一个绝缘层和下绝缘层的多层中。凹槽可以不考虑基板的材料而形成，并且可以有效地阻挡和防止湿气在横向方向上的渗透。在一个或多个实施例中，在包括包含玻璃、聚合物或金属的基板的显示面板中，因为可以在不去除基板的情况下形成具有底切结构的凹槽，所以用于形成基板的材料可以不受限制。然而，上述效果是示例性的。

应当理解，本文描述的实施例应仅在描述性意义上理解而非出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述通常应当认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。

虽然已经参见附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。