1.一种功率器件，所述功率器件被划分为元胞区、过渡区和终端结构区，所述功率器件包括
衬底；
第一外延层，设置于所述衬底之上；
第二外延层，设置于所述第一外延层之上；
多个第一体区，设置于所述第一外延层和所述第二外延层中；
多个第二体区，设置于所述过渡区和所述终端结构区内的所述第一外延层中；
多个第三体区，设置于所述元胞区和所述终端结构区内的所述第一体区的上方；
第四体区，设置于过渡区内的所述第一体区上方并且位于所述第二外延层中；
其中，在所述过渡区和终端结构区中，所述多个第二体区中的每一个第二体区设置于所述多个第一体区中的相应一个第一体区的下方且与其接触。
2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征是，所述多个第一体区通过所述第一外延层和所述第二外延层彼此间隔开，所述多个第二体区通过所述第一外延层彼此间隔开。
3.根据权利要求1所述的功率器件，其特征是，在所述终端结构区内，所述多个第三体区中的每一个第三体区分别对应地设置于所述多个第一体区中的每一个第一体区上方。
4.根据权利要求1所述的功率器件，其特征是，在所述终端结构区内，所述多个第三体区分别设置于所述多个第一体区中的任意一个或多个第一体区上方。
5.根据权利要求4所述的功率器件，其特征是，在所述终端结构内的多个第一体区上方间隔地形成第三体区，使得上方形成有第三体区的第一体区与上方未形成有第三体区的第一体区相邻地排列。
6.根据权利要求1或4所述的功率器件，其特征是，所述第三体区的注入窗口和对应的所述第一体区的注入窗口是相对于同一条中心轴线左右对称的。
7.根据权利要求1或4所述的功率器件，其特征是，所述第三体区的注入窗口和对应的所述第一体区的注入窗口不是相对于同一条中心轴线左右对称的。
8.根据权利要求1所述的功率器件，其特征是，所述第一外延层的掺杂浓度低于所述第二外延层的掺杂浓度；所述第二体区的掺杂浓度低于所述第一体区的掺杂浓度。
9.根据权利要求1所述的功率器件，其特征是，所述第四体区的掺杂浓度低于所述第三体区的掺杂浓度。
10.根据权利要求1所述的功率器件，其特征是，所述第四体区的结深大于所述第三体区的结深。
11.根据权利要求1所述的功率器件，其特征是，还包括形成在所述第三体区中的第一导电类型的源区和形成在所述衬底中的第一导电类型的漏区。
12.根据权利要求1所述的功率器件，其特征是，所述第一体区、所述第二体区、所述第三体区和所述第四体区均为第二导电类型。
13.根据权利要求11或12所述的功率器件，其特征是，第一导电类型为n型，第二导电类型为p型。
14.一种电子设备，包括至少部分地由如权利要求1至13中任意一项所述的功率器件形成的集成电路。