非对称式轴向二极管的制作方法

本实用新型涉及半导体器件，尤其涉及非对称式轴向二极管。

背景技术：

采用Photo Glass工艺生产的轴向GPP二极管，芯片两个电极引线的钉头采用相同的圆台状结构，因此焊接后的芯片表面只有局部与引线钉头通过焊料连接，焊接面以外的芯片为悬空状态。轴向二极管在用塑料注塑封装时，焊接半成品芯片悬空，在注塑后，芯片的悬空部分与环氧模塑料接触。注塑后芯片的悬空部分，在受温度影响或二极管在电路板安装前后的机械加工过程中，会在焊接界面处产生对芯片的应力作用，并因此破坏芯片的晶格结构，影响二极管的性能，严重时会直接造成二极管失效。

技术实现要素：

本实用新型针对以上问题，提供了一种结构简单，方便加工，提高产品质量的非对称式轴向二极管。

本实用新型的技术方案是：包括从上到下依次设置的上引线、上焊料、芯片、下焊料和下引线，

所述芯片呈上小下大的阶梯状，所述芯片的上部两端设有玻璃钝化层，所述上焊料位于两端的玻璃钝化层之间；

所述上引线靠近上焊料的一端设有上钉头，所述上钉头包括上钉头本体，所述上钉头本体的底部设有焊接体，所述上焊料包覆焊接体的底部，

所述下引线靠近下焊料的一端设有下钉头，所述下钉头包括下钉头本体，

所述上钉头本体和下钉头本体的横截面积相同，所述下钉头本体的横截面积大于芯片下部的横截面积。

所述上焊料和玻璃钝化层之间设有间隙。

所述焊接体呈半球形。

所述焊接体的纵向截面呈上大下小的梯形。

所述下焊料的厚度≤50um。

本实用新型中的上、下钉头采用非对称的结构设计，在芯片没有玻璃钝化保护的一面，下钉头本体的横截面积大于芯片下部的横截面积，焊接后下钉头成为芯片的支撑衬底；由于下钉头面积大于芯片可焊接面积，芯片不再有悬空而形成保护。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图一，

图2是本实用新型的结构示意图二；

图中1是上引线，2是上焊料，3是芯片，4是下焊料，5是下引线，6是玻璃钝化层，7是上钉头，71是上钉头本体，72是焊接体，8是下钉头。

具体实施方式

本实用新型如图1-2所示，包括从上到下依次设置的上引线1、上焊料2、芯片3、下焊料4和下引线5，

所述芯片呈上小下大的阶梯状，所述芯片的上部两端设有玻璃钝化层6，所述上焊料位于两端的玻璃钝化层之间；

所述上引线靠近上焊料的一端设有上钉头7，所述上钉头包括上钉头本体71，所述上钉头本体的底部设有焊接体72，所述上焊料包覆焊接体的底部，一方面，增大接触面积，连接可靠；另一方面，避免焊接体接触玻璃钝化层；

所述下引线靠近下焊料的一端设有下钉头8，所述下钉头包括下钉头本体，

所述上钉头本体和下钉头本体的横截面积相同，所述下钉头本体的横截面积大于芯片下部的横截面积。

所述上焊料和玻璃钝化层之间设有间隙，这样，可避免焊接体与玻璃钝化层接触，提高产品质量。

如图1所示，本实用新型的第一种实施方式为：所述焊接体72呈半球形。可以减少与芯片的接触面积，从而降低焊接气孔面积。

如图2所示，本实用新型的第二种实施方式为：所述焊接体72的纵向截面呈上大下小的梯形。可以减少与芯片的接触面积，从而降低焊接气孔面积。

所述下焊料的厚度≤50um，提高焊接可靠性。

本实用新型在组装过程按照如下要求进行：

1）、下引线先装填入焊接治具；

2）、下焊料装填在下引线的下钉头上；

3）、将具有玻璃钝化保护的芯片同方向装填进焊接治具；

4）、上焊料装填在芯片上；

5）、上引线底部的上钉头装填在上焊料上；

6）、按照以上顺序完成组装后的材料进入焊接炉完成焊接，制成焊接半成品。