技术总结
本实用新型涉及半导体技术领域，具体公开了一种具有截止环结构的功率半导体器件，包括半导体基板，元胞区位于半导体基板的中心区，终端保护区位于元胞区的外圈且环绕元胞区设置；位于终端保护区的第二导电类型体区内环绕第二类沟槽的外围设置有截止环结构；截止环结构包括第三类沟槽和截止环金属，第三类沟槽的侧壁上设置有导电多晶硅，第三类沟槽的底壁及内部均填充绝缘介质层，截止环金属位于第三类沟槽的上方，且截止环金属能够分别与第三类沟槽的侧壁上的导电多晶硅以及第一导电类型外延层接触。本实用新型提供的具有截止环结构的功率半导体器能够阻止器件漏电。
技术研发人员：朱袁正;周锦程
受保护的技术使用者：无锡新洁能股份有限公司
技术研发日：2019.08.29
技术公布日：2020.03.17