1.利用纵向三极管触发表面可控硅结构的tvs器件，包括一半导体主体，所述半导体主体包括表面结可控硅结构和纵向npn结构，其特征在于，所述可控硅结构的阳极与半导体主体的对通隔离通过金属连接，当所述纵向npn结构击穿时，所述表面结可控硅结构触发。
2.根据权利要求1所述的利用纵向三极管触发表面可控硅结构的tvs器件，其特征在于，所述半导体主体还包括横向npn结构，所述可控硅结构的阴极与对通隔离通过金属连接，用于单独或与纵向npn结构共同触发所述表面结可控硅结构。
3.根据权利要求1或2所述的利用纵向三极管触发表面可控硅结构的tvs器件，其特征在于，所述半导体主体包括依次设置的衬底、外延层；以及与外延层并排设置于n型埋层一侧的n型对通隔离；以及设置于外延层一侧且位于n型对通隔离中间的n型阱和p型阱；以及设置于n型阱的n型重掺杂和b型重掺杂，设置于p型阱的n型重掺杂和p型重掺杂。
4.根据权利要求1所述的利用纵向三极管触发表面可控硅结构的tvs器件，其特征在于，所述表面结可控硅结构包括p型阱、n型阱、p型重掺杂和n型重掺杂。
5.根据权利要求1所述的利用纵向三极管触发表面可控硅结构的tvs器件，其特征在于，所述纵向npn结构包括n型埋层、外延层以及p型阱。
6.根据权利要求1所述的利用纵向三极管触发表面可控硅结构的tvs器件，其特征在于，所述纵向npn结构的击穿机制包括雪崩击穿和齐纳击穿。
7.根据权利要求1所述的利用纵向三极管触发表面可控硅结构的tvs器件，其特征在于，所述纵向npn结构的击穿电压小于等于10v。
8.根据权利要求3所述的利用纵向三极管触发表面可控硅结构的tvs器件，其特征在于，所述衬底为n型衬底，所述外延层为n型外延层。
9.根据权利要求3所述的利用纵向三极管触发表面可控硅结构的tvs器件，其特征在于，所述衬底为n型衬底，所述外延层为p型外延层。
10.根据权利要求3所述的利用纵向三极管触发表面可控硅结构的tvs器件，其特征在于，所述衬底为n型衬底，所述外延层为p型外延层，所述n型衬底与p型外延层之间设置有n型埋层。