一种霍尔传感器以及电子设备的制作方法

本实用新型涉及霍尔元件技术领域，具体涉及一种霍尔传感器以及电子设备。

背景技术：

当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应。霍尔传感器作为根据霍尔效应制作的一种磁感应元件，广泛应用于电流传感，自动光圈，手机镜头的光学防抖等领域。随着科技的发展，人们对电子元器件的尺寸要求越来越高，从而能够得到更薄，更轻，更小的产品。从而要求霍尔元件的厚度需进一步降低。

现有技术中，公开号为cn105185900a的专利公开了一种霍尔传感器，其具备：gaas霍尔元件，其具备gaas衬底、设置在上述gaas衬底上的感磁部、设置在上述gaas衬底上的多个电极部、以及设置在上述gaas衬底的与设置有上述多个电极部的面相反一侧的面侧的保护层；多个引线端子，其配置在上述gaas霍尔元件的周围；导电性连接构件，即金属细线，其将上述多个电极部与上述多个引线端子分别电连接。

上述专利中，霍尔传感器的厚度取决于霍尔元件的厚度a，以及金属细线的线弧高度h，另外还有保护层厚度c，总厚度d≥a+h+c。如此会导致霍尔传感器的总厚度较厚，厚度缩减有限，无法提供一种接近晶圆级封装厚度的霍尔传感器。

技术实现要素：

因此，本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中霍尔传感器的总厚度较厚，厚度缩减有限的缺陷，从而提供一种霍尔传感器以及电子设备。

本实用新型提供的一种霍尔传感器，包括框架引脚和位于所述框架引脚上方的霍尔元件；所述霍尔元件包括衬底、成型于所述衬底的感磁部以及与所述感磁部电连接的电极；所述电极朝向所述框架引脚并与所述框架引脚连接。

可选的，所述框架引脚与所述霍尔元件之间设置有导通所述电极与所述框架引脚的金属凸点。

可选的，所述电极设置有四个，两个所述电极为偏置电流的输入端，另外两个所述电极为霍尔电压的输出端。

可选的，所述霍尔元件为正方形结构，四个所述电极分布在所述霍尔元件朝向所述框架引脚的正方形端面的顶点位置。

可选的，所述框架引脚一侧设置有镀锡层，所述霍尔传感器还包括将所述框架引脚、所述金属凸点以及所述霍尔元件均塑封在内的塑封体。

可选的，所述霍尔元件的厚度a≥80um，所述框架引脚的厚度b≥10um，所述金属凸点的厚度f≥5um。

可选的，包括引线框架，所述引线框架包括所述框架引脚以及位于所述霍尔元件底部的基岛。

本实用新型同时提供了一种电子设备，包括上述任一项所述的霍尔传感器。

本实用新型技术方案，具有如下优点：

本实用新型提供的一种霍尔传感器，如此设计，霍尔传感器的封装厚度不受金线线弧高度的限制，封装厚度能够大幅降低，从而能够将霍尔传感器应用于对厚度要求很高的应用场景，从而得到超薄的系统级产品；另一方面，通过降低霍尔传感器的封装厚度，霍尔传感器安装所需要的空间变小，霍尔传感器两侧的磁性材料可以靠的更近，霍尔传感器本身感受到的磁场强度更高，输出灵敏度更高。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的第一种实施方式中提供的一种霍尔传感器的结构示意图；

图2为本实用新型的第一种实施方式中提供的一种霍尔传感器的俯视图；

图3为本实用新型的第二种实施方式中提供的一种霍尔传感器的结构示意图；

图4为本实用新型的第二种实施方式中提供的一种霍尔传感器的俯视图。

附图标记说明：

1－框架引脚、2－镀锡层、3－金属凸点、4－霍尔元件、5－塑封体。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

图1至图2示出了本实用新型提供的一种霍尔传感器实施例。

该霍尔传感器包括霍尔元件4、引线框架以及金属凸点3。霍尔元件4为正方形的板型结构，包括衬底、成型于衬底的感磁部与电极。电极与感磁部电连接，设置有四个。四个电极分布在霍尔元件4正方形端面的顶点位置。其中两个相对的电极为偏置电流的输入端，另外两个相对的电极为霍尔电压的输出端。

引线框架包括对应电极设置的四个框架引脚1，相应地，四个框架引脚1也分别位于正方形的顶点位置。安装时，霍尔元件4以电极朝向框架引脚1的方向设置于框架引脚1的上方。框架引脚1与霍尔元件4之间设置有连接电极与框架引脚1的金属凸点3。金属凸点3可以为圆心的，也可为方形的，此处不做限制。电极通过金属凸点3与框架引脚1相连导通。框架引脚1远离霍尔元件4的一侧设置有镀锡层2。

该霍尔传感器还包括将框架引脚1、金属凸点3以及霍尔元件4均塑封在内的塑封体5。

在一个具体的实例中，霍尔元件4的厚度a≥80um，框架引脚1的厚度b≥10um，金属凸点3的厚度f≥5um，霍尔传感器的总厚度d≥a+b+f。在本实例中，霍尔传感器的总厚度d≥95um。由此可以看出，通过采用本实用新型提供的技术方案，霍尔传感器的厚度大幅度缩减，能够接近于晶圆级封装的厚度水平。

作为另一种实施方式，霍尔元件4的形状可以为菱形，矩形，甚至其他不规则形状。电极的排布也可根据实际情况调整，框架引脚1适应性调整即可。

作为另一种实施方式，霍尔元件4的电极可通过焊接等方式与框架引脚1直接连接，如此可以省略金属凸点3。

本实用新型提供的霍尔传感器封装厚度不受金线线弧高度的限制，封装厚度能够大幅降低，从而能够将霍尔传感器应用于对厚度要求很高的应用场景，从而得到超薄的系统级产品；另一方面，通过降低霍尔传感器的封装厚度，霍尔传感器安装所需要的空间变小，霍尔传感器两侧的磁性材料可以靠的更近，霍尔传感器本身感受到的磁场强度更高，输出灵敏度更高。

以上展示的是无岛状封装结构的霍尔传感器，对于岛状封装结构，传统的霍尔传感器更加难以得到超薄的厚度。图3至图4示出了本实用新型提供的一种霍尔传感器的另一种实施方式，其中，引线框架包括位于霍尔元件4底部的基岛，由图3可以看出，本实用新型提供的一种霍尔传感器则完全不受基岛的影响，厚度可以大幅度缩减。

本实用新型同时提供了一种电子设备的实施例，包括上述霍尔传感器。电子设备可以为手机、电脑等。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型创造的保护范围之中。