技术特征：1.一种具有载置晶片的凹陷部的基座，其特征在于：
所述凹陷部中的至少一个具有：支承晶片的多个支承部；与晶片的侧面接触的多个接触部；和不与晶片的侧面接触的多个非接触部，
所述接触部和非接触部交替地形成于凹陷部的内周壁，
所述支承部中的至少两个形成于从上方观察基座时连结凹陷部的中心和非接触部的线上。
2.如权利要求1所述的基座，其特征在于：
一个接触部的周向的长度为2mm以上。
3.如权利要求1或2所述的基座，其特征在于：
凹陷部的圆周上的所述多个接触部的周向的长度的合计的比例为1.5～50％。
技术总结本发明提供能够提高从晶片制作的半导体芯片的成品率的、不易产生缺口(缺损)，且寿命长的基座。具有载置晶片(10)的凹陷部(2)的基座，其中，凹陷部(2)中的至少一个具有：支承晶片(10)的多个支承部(3)；与晶片(10)的侧面(10a)接触的多个接触部(4)；和不与晶片(10)的侧面(10a)接触的多个非接触部(5)。接触部(4)和非接触部(5)交替地形成于凹陷部(2)的内周壁，支承部(3)中的至少两个形成于从上方观察基座时连结凹陷部(2)的中心(O)和非接触部(5)的线上。
技术研发人员：池尻贵宏
受保护的技术使用者：东洋炭素株式会社
技术研发日：2019.09.30
技术公布日：2021.05.11