技术特征：
1.一种磁性随机存储器架构，包括具有多个存储单元的存储阵列，每一储存单元设置于位线与字线相交的部位，每一存储单元具有多指结构的存取晶体管与磁性隧道结，其特征在于，所述存取晶体管是由两根多晶硅栅或金属栅，源极有源区，漏极有源区，半导体衬底构成；所述漏极有源区，位于两根多晶硅栅或金属栅中间，并通过接触点，金属平台，过孔而连接到上层的磁性隧道结；所述源极有源区，位于两根多晶硅栅或金属栅的两侧，并与相邻的存储单元中存取晶体管的源极共享，并通过源极金属连线连接。2.如权利要求1所述磁性随机存储器架构，其特征在于，在每一列存储单元中，通过共享各存储单元中存取晶体管外侧的源极有源区及源极连接线，将所有的存储单元中存取晶体管的源极连接起来。3.如权利要求2所述磁性随机存储器架构，其特征在于，所述两根多晶硅栅或金属栅、漏极有源区与源极有源区形成存取晶体管结构，所述源极有源区形成于所述存取晶体管的两侧。4.如权利要求3所述磁性随机存储器架构，其特征在于，通过所述源极线连接同行存储单元的所述源极金属连接点，形成同行存储单元的共享源极连接结构。5.如权利要求3所述磁性随机存储器架构，其特征在于，每个存储单元形成有n个存取晶体管结构，其中，n为偶数，n≥2，每个存储单元被选择性的形成有2、4、6或8个存取晶体管结构。
技术总结
本申请提供一种磁性随机存储器架构，所述磁性随机存储器架构的每一存储单元设置于字线与位线相交部位，包括拆分为多个存取晶体管、磁性隧道结与源极线共享结构。本申请通过n个存取晶体管的源极和漏极共享有源区的设计条件中，保证管子两端的均为源极连接，确保不同基本单元的存取晶体管可以共享源极连接，缩小了边缘线的范围，实现了存储阵列的面积压缩。缩。缩。
技术研发人员：吕玉鑫 戴瑾
受保护的技术使用者：上海磁宇信息科技有限公司
技术研发日：2020.03.18
技术公布日：2021/10/11