电致发光器件及其制备方法和显示装置与流程

本发明涉及发光器件技术领域，特别是涉及电致发光器件及其制备方法和显示装置。

背景技术：

随着有机发光显示(oled)技术的不断发展，显示器市场呈现应用越来越多样化的发展趋势，比如柔性显示、透明显示等等。其中，具有更宽广色域成为了一种普遍的要求。量子点自主发光器件(qled)，具有发光色谱半峰宽较窄，色度较纯的特点。在此前提下，在显示器装置中如果采用量子点发光器件实现红绿蓝三原色的发光，就有利于实现更宽广的色域。

与已经较为成熟的有机发光器件(oled)不同，量子点发光器件(qled)至今为止受限于其独特的电平衡和能级特点，效率和寿命往往难以匹敌oled器件。而这主要是因为，量子点发光层(qd)的空穴能级homo较深，与传统空穴传输材料(htl)较浅的homo能级往往难于匹配。此外，qled往往采用氧化物比如氧化锌zno作它的电子注入和传输层(etl)，而相比之下传统htl的空穴传输能力往往偏低。由于这些原因，qd激子复合区中，空穴的注入往往难以匹配电子注入，从而很难实现电平衡，从而也就降低了发光效率，或者在一定工作时间后器件内部微小的变化就导致空穴和电子电流失衡，从而导致工作寿命变短。

针对这个问题，传统的解决方法往往是通过变换htl或etl材料等手段，试图优化电平衡。但这严重依赖于新材料的开发，且难度较高。

技术实现要素：

基于此，有必要针对qled中空穴和电子难以匹配的问题，提供一种无需依赖材料变换即可实现空穴和电子电流失衡的电致发光器件及其制备方法，以和显示装置。

一种电致发光器件，包括阴极层、电子传输层、发光层、空穴传输层和阳极层，所述阴极层与所述阳极层相对设置，所述发光层设置于所述阴极层与所述阳极层之间，所述电子传输层设置于所述阴极层与所述发光层之间，所述空穴传输层设置于所述阳极层与所述发光层之间，所述发光层中具有量子点发光材料，所述电子传输层与所述发光层的接触面为第一界面，所述空穴传输层与所述发光层的接触面为第二界面，所述第二界面的粗糙度大于所述第一界面。

在其中一个实施例中，所述第二界面与所述第一界面的粗糙度的比值为(1.5～20):(0.1～1)。

在其中一个实施例中，所述第二界面的均方根粗糙度为1.5nm～20nm；和/或，所述第一界面的均方根粗糙度为0.1nm～1nm。

在其中一个实施例中，所述空穴传输层中包括第一空穴传输材料颗粒和第二空穴传输材料颗粒，所述第一空穴传输材料颗粒与所述第二空穴传输材料颗粒的粒径比为1:5～1:10，所述第一空穴传输材料颗粒与所述第二空穴传输材料颗粒的质量比为1:1～1:10。

在其中一个实施例中，所述发光层中包括第一发光材料颗粒和第二发光材料颗粒，所述第一发光材料颗粒与所述第二发光材料颗粒的粒径比为1:5～1:10，第一发光材料颗粒与所述第二发光材料颗粒的质量比为1:1～1:10。

在其中一个实施例中，所述发光层靠近所述第一界面的发光材料的颗粒均匀度高于所述发光层靠近所述第二界面的发光材料的颗粒均匀度。

在其中一个实施例中，所述发光层为空隙率为0～5％的连续相。

在其中一个实施例中，所述空穴传输层为空隙率为0～5％的连续相。

在其中一个实施例中，所述电子传输层为空隙率为0～5％的连续相。

在其中一个实施例中，所述第一界面为平面，所述第二界面为刻蚀的图形化表面。

一种电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

在基板上形成阴极层；

在所述阴极层上形成电子传输层；

在所述电子传输层上形成发光层，所述电子传输层与所述发光层的接触面为第一界面；

在所述发光层上形成空穴传输层，所述空穴传输层与所述发光层的接触面为第二界面，使得所述第二界面的粗糙度大于所述第一界面的粗糙度；以及

在所述空穴传输层上形成阳极层。

一种电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：在基板上形成阳极层；

在所述阳极层上形成空穴传输层；

在所述空穴传输层上形成发光层，所述空穴传输层与所述发光层的接触面为第二界面；

在所述发光层上形成电子传输层，所述电子传输层与所述发光层的接触面为第一界面，使得所述第二界面的粗糙度大于所述第一界面的粗糙度；以及

在所述电子传输层上形成阴极层。

在其中一个实施例中，所述在所述电子传输层上形成发光层的步骤中，采用溶液干燥成膜法形成所述发光层，包括将发光材料分散液负载在所述电子传输层上并进行干燥，干燥时，所述基板的温度为30℃～180℃，环境的真空气压在10^-6pa至1个标准大气压之间，所述发光材料分散液的粘度为1cp～15cp。

在其中一个实施例中，所述在所述阳极层上形成空穴传输层的步骤中，采用溶液干燥成膜法形成所述空穴传输层，包括将空穴传输材料分散液负载在所述阳极层上并进行干燥，干燥时，所述基板的温度为30℃～250℃，环境的真空气压在10^-6pa至1个标准大气压之间，所述空穴传输材料分散液的粘度为1cp～15cp。

在其中一个实施例中，所述在所述空穴传输层上形成发光层的步骤中，采用溶液干燥成膜法形成所述发光层，包括将发光材料分散液负载在所述空穴传输层上并进行干燥，干燥时，所述基板的温度为20℃～270℃，环境的真空气压在10^-6pa至1个标准大气压之间，所述发光材料分散液的粘度为1cp～15cp。

一种显示装置，包括所述的电致发光器件。

本发明的所述电致发光器件主要用于解决电子和空穴注入不平衡的问题，发明人经实验研究发现，同等注入能级条件下，注入面越粗糙，注入的电流则越大，通过改变空穴传输层(htl)/发光层(qd)界面和qd/电子传输层(etl)界面的粗糙度，在不用改变材料的前提下可以有效地调控电子和空穴电流的电平衡。与传统平面叠层器件结构设计不同，本发明的电致发光器件结构中引入非平面的结构。通过控制htl/qd界面的粗糙度大于qd/etl界面的粗糙度，可以相对的增加空穴注入，从而改善电致发光器件中空穴和电子电流的电平衡，从而有效地改善电致发光器件，尤其是量子点发光器件的效率和寿命。

附图说明

图1为本发明一实施例的电致发光器件的结构示意图；

图2为传统的电致发光器件的结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请参阅图1，本发明实施提供一种电致发光器件，包括阴极层10、电子传输层20、发光层30、空穴传输层40和阳极层50，所述阴极层10与所述阳极层50相对设置，所述发光层30设置于所述阴极层10与所述阳极层50之间，所述电子传输层20设置于所述阴极层10与所述发光层30之间，所述空穴传输层40设置于所述阳极层50与所述发光层30之间，所述发光层30中具有量子点发光材料，所述电子传输层20与所述发光层30的接触面为第一界面，所述空穴传输层40与所述发光层30的接触面为第二界面，所述第二界面的粗糙度大于所述第一界面。

本发明实施例的所述电致发光器件主要用于解决电子和空穴注入不平衡的问题，发明人经实验研究发现，同等注入能级条件下，注入面越粗糙，注入的电流则越大，通过改变空穴传输层40(htl)/发光层30(qd)界面和qd/电子传输层20(etl)界面的粗糙度，在不用改变材料的前提下可以有效地调控电子和空穴电流的电平衡。与传统平面叠层器件结构设计不同(请参阅图2)，本发明实施例的电致发光器件结构中引入非平面的结构。通过控制htl/qd界面的粗糙度大于qd/etl界面的粗糙度，可以相对的增加空穴注入，从而改善电致发光器件中空穴和电子电流的电平衡，从而有效地改善电致发光器件，尤其是量子点发光器件的效率和寿命。

本发明实施例的电致发光器件可以为正置结构，也可以为倒置结构。正置结构的电致发光器件，其阳极层50设于基板上，阳极层50上层叠设置有空穴传输层40、发光层30、电子传输层20、阴极层10。倒置结构的电致发光器件，其阴极层10设于基板上，阴极层10上层叠设置有电子传输层20、发光层30、空穴传输层40和阳极层50。

在一实施例中，所述电致发光器件可以为量子点发光材料形成的发光层30，形成量子点自主发光器件(qled)；或者有机发光材料与量子点发光材料混用的材料形成的发光层30，形成有机发光器件(oled)和qled混用的器件。

在一实施例中，etl/qd界面(第一界面)可以为平面，qd/htl界面(第二界面)为粗糙面。在另一实施例中，etl/qd界面和qd/htl界面均为粗糙面，且qd/htl界面比etl/qd界面粗糙度更高。在一实施例中，所述第一界面为平面，所述第二界面为刻蚀的图形化表面。在一实施例中，所述发光层30的与所述电子传输层20接触的表面为平面，所述发光层30的与所述空穴传输层40接触的表面为刻蚀的图形化表面。这里的“平面”指的是相对光滑的表面，例如均方根粗糙度(rq)小于0.3nm的表面。

在一实施例中，所述第二界面的粗糙度为所述第一界面的粗糙度的1.5倍以上。即，rq(qd/htl)≥1.5rq(etl/qd)。优选的，所述第二界面的粗糙度与所述第一界面的粗糙度的比值可以为(1.5～20):(0.1～1)。在一实施例中，所述第一界面的均方根粗糙度为0.1nm～1nm。具体的，所述第一界面的均方根粗糙度为0.1nm～0.2nm、0.2nm～0.3nm、0.3nm～0.4nm、0.4nm～0.5nm、0.5nm～0.6nm、0.6nm～0.7nm、0.7nm～0.8nm、0.8nm～0.9nm或0.9nm～1nm。在一实施例中，所述第二界面的均方根粗糙度为1.5nm～20nm。具体的，所述第二界面的均方根粗糙度为1.5nm～2nm、2nm～4nm、4nm～6nm、6nm～8nm、8nm～0.6nm、0.6nm～10nm、10nm～12nm、12nm～14nm、14nm～16nm、16nm～18nm或18nm～20nm。

本发明可通过控制空穴传输层40、发光层30或电子传输层20的功能材料的颗粒型或者成膜工艺来控制qd/htl界面和etl/qd界面的粗糙度差异。

在一实施例中，所述电子传输层20中的所述电子传输材料颗粒的粒径比值为1:(0.8～1.2)。也就是说，电子传输材料的粒径比较均匀，从而能够形成相对较平整的表面，使得etl/qd界面的粗糙度较低。

在一实施例中，该电致发光器件为正置结构，先形成空穴传输层40，再形成发光层30。所述空穴传输层40中包括至少两种不同粒径的空穴传输材料颗粒，所述至少两种不同粒径的所述空穴传输材料颗粒包括第一空穴传输材料颗粒和第二空穴传输材料颗粒。在一实施例中，所述第一空穴传输材料颗粒与所述第二空穴传输材料颗粒的粒径比为1:5～1:10。在一实施例中，第一空穴传输材料颗粒与所述第二空穴传输材料颗粒的质量比为1:1～1:10。在一实施例中，第一空穴传输材料颗粒为平面材料颗粒，例如为正六边形颗粒；第二空穴传输材料颗粒为球形或类球形颗粒。通过控制空穴传输材料颗粒的粒径的不均匀性或颗粒的形状差异，使得空穴传输层40的与发光层30连接的表面为粗糙面，从而提高qd/htl界面的粗糙性。在一实施例中，空穴传输材料颗粒的粒径5nm～50nm。具体的，粒径可以为5nm～15nm、15nm～20nm、20nm～25nm、25nm～30nm、30nm～35nm、35nm～40nm、40nm～45nm或45nm～50nm。

在一实施例中，该电致发光器件为倒置结构，先形成电子传输层20，再形成发光层30和空穴传输层40。所述发光层30中包括至少两种不同粒径的发光材料颗粒，所述至少两种不同粒径的所述发光材料颗粒包括第一发光材料颗粒和第二发光材料颗粒。在一实施例中，所述第一发光材料颗粒与所述第二发光材料颗粒的粒径比为1:5～1:10。在一实施例中，第一发光材料颗粒与所述第二发光材料颗粒的质量比为1:1～1:10。在一实施例中，第一发光材料颗粒为平面材料颗粒，例如为正六边形颗粒；第二发光材料颗粒为球形或类球形颗粒。通过控制发光材料颗粒的粒径的不均匀性或颗粒的形状差异，使得发光层30的与空穴传输层40连接的表面为粗糙面，从而提高qd/htl界面的粗糙性。在一实施例中，发光材料颗粒的粒径5nm～50nm。具体的，粒径可以为5nm～15nm、15nm～20nm、20nm～25nm、25nm～30nm、30nm～35nm、35nm～40nm、40nm～45nm或45nm～50nm。

在一实施例中，所述发光层30靠近所述第一界面的发光材料的颗粒均匀度高于所述发光层30靠近所述第二界面的发光材料的颗粒均匀度。通过粒径梯度差异，使得发光层30的两个表面的粗糙度不同，与电子传输层20连接的表面的粗糙度小于与空穴传输层40连接的表面的粗糙度。

在一实施例中，所述发光层30为空隙率为0～5％的连续相。也就是说，发光层30内部是连续填充的、致密的，没有空隙或者空隙率为5％以下。在一实施例中，所述空穴传输层40为空隙率为0～5％的连续相。也就是说，空穴传输层40内部是连续填充的、致密的，没有空隙或者空隙率为5％以下。在一实施例中，所述电子传输层20为空隙率为0～5％的连续相。也就是说，电子传输层20内部是连续填充的、致密的，没有空隙或者空隙率为5％以下。通过形成连续相，能够减少孔状等薄膜缺陷，从而有助于减少界面复合，减小器件的漏电流等现象。

在一实施例中，电子传输材料可以为n型半导体金属氧化物。n型半导体金属氧化物具有良好的耐水氧能力、优异的导电性能和较好的透光性。在一实施例中，n型半导体金属氧化物可以选自zno、moo、tio2、sno2和in2o3中的一种或多种。

发光层30中的发光材料可以选自量子点发光材料或量子点发光材料和有机发光材料的混合物。在一实施例中，量子点发光材料可以选自ii-vi族化合物半导体、iii-v族化合物半导体、i-iii-vi族化合物半导体和钙钛矿量子点中的一种或多种。其中，ii-vi族化合物半导体可以包括zncdses、cdse/cds、cdses/cds、cdse/cds/zns、zncdses/zns和zncds/zns中的一种或多种。iii-v族化合物半导体可以包括inp和inp/zns中的一种或两种。i-iii-vi族化合物半导体可以包括cuins、agins、cuins/zns和anins/zns中的一种或多种。钙钛矿量子点可以为cspbm3(m＝cl、br、i)。当然，量子点发光材料不限于以上的材料。在一实施例中，有机发光材料可以选自荧光材料、磷光材料和热活化延迟荧光(tadf)材料中的一种或多种。其中，荧光材料可以包括tpbe、ttpa、tbrb和dbp中的一种或多种。磷光材料可以包括firpic、ir(ppy)3、ir(ppy)2acac和ir(piq)3中的一种或多种。tadf材料可以包括acrsa、dic-trz、2czpn、pxz-trz、pcnbczocf3中的一种或多种。当然，有机发光材料不限于以上的材料。

在一实施例中，空穴传输层40中具有空穴传输材料，为改善空穴和电子的电平衡，该空穴传输材料具有足够大的三线态能量，大于发光qd激子能量。在一实施例中，该空穴传输材料具有高空穴传输能力，空穴迁移率大于10^-3cm²/vs。在一实施例中，空穴传输层40具有高三线态材料和高迁移率材料的复合结构。在一实施例中，空穴传输材料可以选自有机物和无机物中的一种或两种。有机物可以包括poly-tpd、tfb、pvk、tcta、cbp、npb和npd中的一种或多种。无机物可以包括nio、cu2o和cuscn中的一种或多种。优选的，该空穴传输材料为有机物材料。在一实施例中，该电致发光器件包括空穴注入层，空穴注入层设于阳极层50和空穴传输层40之间。在所述空穴注入层和所述空穴传输层40中，空穴功能材料的种类可以相同或不同。在一实施例中，空穴注入层中具有空穴注入材料，空穴注入材料可以选自导电聚合物和n型半导体中的一种或两种。导电聚合物可以为pedot:pss。n型半导体可以包括hat-cn、moo3、wo3、v2o5和rb2o中的一种或多种。

其中，阴极层10可以为ito玻璃等常规阴极材料。阳极层50可以为铝等常规阳极材料。电致发光器件还可以包括设于阴极层10或阳极层50下的基板，基板可以为聚酰亚胺等柔性基板或玻璃等刚性基板，在此不做特别限定。

在一实施例中，阴极层10的厚度可以为40nm～60nm。在一实施例中，电子传输层20的厚度可以为30nm～60nm。在一实施例中，发光层30的厚度可以为20nm～40nm。在一实施例中，空穴传输层40的厚度可以为30nm～40nm。在一实施例中，空穴注入层的厚度可以为10nm～20nm。在一实施例中，阳极层50的厚度可以为80nm～120nm。可以不限定于以上层厚度。由于本申请涉及功能层的粗糙度问题，可能存在各位置厚度不同的情况，这里的厚度指的是功能层的两端的最大厚度。

本发明实施还提供一种电致发光器件的制备方法，所述电致发光器件为倒置结构，其制备方法包括以下步骤：

在基板上形成阴极层10；

在所述阴极层10上形成电子传输层20；

在所述电子传输层20上形成发光层30，所述电子传输层20与所述发光层30的接触面为第一界面；

在所述发光层30上形成空穴传输层40，所述空穴传输层40与所述发光层30的接触面为第二界面，使得所述第二界面的粗糙度大于所述第一界面的粗糙度；以及

在所述空穴传输层40上形成阳极层50。

在一实施例中，可选用溶液干燥成膜法或蒸镀法形成电子传输层20。

在一实施例中，使得所述第二界面的粗糙度大于所述第一界面的粗糙度的方法可以为：使得所述发光层30的远离所述电子传输层20的表面的粗糙度大于所述发光层30的与所述电子传输层20连接的表面的粗糙度。

在一实施例中，在所述电子传输层20上形成发光层30的步骤中，可采用溶液干燥成膜法形成所述发光层30，包括将发光材料分散液负载在所述电子传输层20上并进行干燥。干燥时，通过控制所述基板的温度为30℃～180℃，环境的真空气压在10^-6pa至1个标准大气压之间，能够使得发光层30的与空穴传输层40连接的表面形成粗糙的表面，提高空穴的相对注入，但基本不影响电致光学器件的其他性能。

在一实施例中，在所述电子传输层20上形成发光层30步骤中，采用溶液干燥成膜法形成所述发光层30，包括将发光材料分散液负载在所述电子传输层20上并进行干燥，所述发光材料分散液的粘度为1cp～15cp。优选为3cp～10cp。通过控制发光材料分散液的粘度，结合成膜方式，形成相对粗糙的表面。在一实施例中，发光材料分散液中的溶剂可选自异丁醇、辛基苯、正辛烷及苯甲酸甲酯中的一种或多种。

本发明实施还提供一种电致发光器件的制备方法，所述电致发光器件为正置结构，其制备方法包括以下步骤：

在基板上形成阳极层50；

在所述阳极层50上形成空穴传输层40；

在所述空穴传输层40上形成发光层30，所述空穴传输层40与所述发光层30的接触面为第二界面；

在所述发光层30上形成电子传输层20，所述电子传输层20与所述发光层30的接触面为第一界面，使得所述第二界面的粗糙度大于所述第一界面的粗糙度；以及

在所述电子传输层20上形成阴极层10。

在一实施例中，使得所述第二界面的粗糙度大于所述第一界面的粗糙度的方式可以为使得空穴传输层40的与所述发光层30连接的表面的粗糙度大于所述发光层30的远离所述空穴传输层40的表面的粗糙度。

在所述阳极层50上形成空穴传输层40的步骤中，可采用溶液干燥成膜法形成所述空穴传输层40，包括将空穴传输材料分散液负载在所述阳极层50上并进行干燥。干燥时，通过控制所述基板的温度为30℃～250℃，环境的真空气压在10^-6pa至1个标准大气压之间，使得空穴传输层40的与发光层30连接的表面形成相对粗糙的表面。在一实施例中所述空穴传输材料分散液的粘度可以为1cp～15cp。优选为5cp～9cp。在一实施例中，空穴传输材料分散液中的溶剂可选自二甲苯、苯甲酸甲酯、正己烷及聚乙烯吡咯烷酮中的一种或多种。

在所述空穴传输层40上形成发光层30的步骤中，可采用溶液干燥成膜法形成所述发光层30，包括将发光材料分散液负载在所述空穴传输层40上并进行干燥。干燥时，通过控制所述基板的温度为20℃～270℃，环境的真空气压在10^-6pa至1个标准大气压之间，使得发光层30的与电子传输层20连接的表面形成相对光滑的平面。在一实施例中，所述发光材料分散液的粘度可为1cp～15cp。优选为3cp～13cp。

当然，以上成膜工艺优选与颗粒型配合，从而提高qd/htl界面和etl/qd界面的粗糙度差异。

本发明实施还提供一种显示装置，包括上述任一实施例的电致发光器件或者上述任一制备方法制备的电致发光器件。

以下为具体实施例。

实施例1

(1)以透明导电薄膜ito作为阴极层10，厚度为50nm。

(2)将电子传输材料zno利用溶液法沉积在阴极层10上得到厚度为20nm的电子传输层20。zno溶液为纳米颗粒分散液，粘度10cps。干燥时，基板温度180℃。环境的真空气压在2×10^-5pa。zno纳米颗粒的粒径为2nm～50nm，其中，2nm～10nm的颗粒的数量占60％，40nm～50nm颗粒的数量占30％。干燥成膜后，电子传输层20表面粗糙度约为rq＝2.3nm。

(3)在电子传输层20上利用溶液干燥成膜法沉积zncds/zns量子点材料作为量子点发光层30，厚度为20nm。溶液干燥成膜法中的量子点材料分散液的粘度为7cp，干燥时，基板的温度为80℃，环境的真空气压在2×10^-5pa。量子点材料的粒径为5nm～50nm，其中，5nm～10nm的颗粒的数量占30％，40nm～50nm颗粒的数量占30％。发光层30远离电子传输层20的表面粗糙度约为rq＝8nm。

(4)在发光层30上利用蒸镀法沉积cpb作为空穴传输层40，厚度为30nm。

(5)在空穴传输层40上利用蒸镀法沉积hat-cn作为空穴注入层，厚度为15nm。

(6)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积al作为阳极层50，厚度为100nm。

实施例2

(1)以al作为阳极层50，厚度为90nm。

(2)在阳极层50上利用溶液法沉积hat-cn作为空穴注入层，厚度为15nm。

(3)在空穴注入层上利用溶液干燥成膜法沉积cpb空穴传输材料作为空穴传输层40，厚度为30nm。溶液干燥成膜法中的空穴传输材料分散液的粘度为7cp，干燥时，基板的温度为150℃，环境的真空气压在10^-3pa，干燥过程中，空穴传输层在加热的作用下形成起伏表面。空穴传输材料层表面粗糙度约为rq＝15nm。

(4)在空穴传输层40上利用蒸镀法沉积溶液干燥成膜法沉积zncds/zns量子点材料作为量子点发光层30，厚度为20nm。溶液干燥成膜法中的量子点材料分散液的粘度为6cp，干燥时，基板的温度为90℃，环境的真空气压在10^-5pa。量子点材料的粒径为5nm～10nm。发光层30远离空穴传输层40的表面粗糙度约为rq＝8nm。

(5)将电子传输材料zno利用蒸镀法沉积在发光层30上得到厚度为20nm的电子传输层20。

(6)以透明导电薄膜ito作为阴极层10设置在电子传输层20上，厚度为50nm。

对比例1

对比例1与实施例1基本相同，区别仅在于步骤(2)中，纳米颗粒平均尺寸较大：zno纳米颗粒的粒径为10nm～50nm，其中，10nm～20nm的颗粒的数量占30％，40nm～50nm颗粒的数量占30％。干燥成膜后，电子传输层20表面粗糙度约为rq＝15nm。

在相同的实验条件下，测定实施例1-2和对比例1的电致发光器件的效率和寿命，结果如表1所示。

表1不同电致发光器件的性能

从上表1可见，本发明实施例的电致发光器件效率和寿命明显高于对比例中电致发光器件，说明本发明实施例有效地改善电致发光器件的性能。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。