1.一种双有源区激光器芯片，其特征在于，包括：依次设置的衬底、下有源区和上有源区；
所述上有源区中包括上有源区量子阱；所述下有源区中包括下有源区量子阱；
所述上有源区量子阱与所述下有源区量子阱的材料为inxga1-xas，且所述上有源区量子阱的inxga1-xas材料中的铟组分x大于所述下有源区量子阱的inxga1-xas材料中的铟组分x；所述上有源区量子阱的厚度大于所述下有源区量子阱的厚度。
2.根据权利要求1所述的双有源区激光器芯片，其特征在于，还包括：隧道结；
所述上有源区和所述下有源区通过所述隧道结串联；
所述隧道结是高掺杂的pn结，包括p层与n层，p层与n层厚度分别为5～10nm，p层掺杂浓度大于1020cm-3，n层掺杂浓度大于3×1019cm-3。
3.根据权利要求2所述的双有源区激光器芯片，其特征在于，还包括：
隔离槽，所述隔离槽依次贯穿所述上有源区、隧道结及下有源区。
4.根据权利要求3所述的双有源区激光器芯片，其特征在于，
所述隔离槽表面及所述上有源区部分表面覆盖有绝缘层；
所述上有源区表面未被所述绝缘层覆盖的部分被p面金属覆盖，形成电流注入区域。
5.根据权利要求4所述的双有源区激光器芯片，其特征在于，
所述电流注入区域宽度大于或等于200μm。
6.根据权利要求4所述的双有源区激光器芯片，其特征在于，
所述电流注入区域与所述隔离槽之间的距离大于或等于30μm。
7.根据权利要求1所述的双有源区激光器芯片，其特征在于，
所述下有源区还包括下有源区n型载流子势垒层、下有源区n型波导层、下有源区p型波导层、下有源区p型载流子势垒层；
所述下有源区n型载流子势垒层位于所述衬底上方；
所述下有源区n型波导层位于所述下有源区n型载流子势垒层上方；
所述下有源区量子阱位于所述下有源区n型波导层上方；
所述下有源区p型波导层位于所述下有源区量子阱上方；
所述下有源区p型载流子势垒层位于所述下有源区p型波导层上方。
8.根据权利要求2所述的双有源区激光器芯片，其特征在于，
所述上有源区还包括上有源区n型载流子势垒层、上有源区n型波导层、上有源区p型波导层、上有源区p型载流子势垒层；
所述上有源区n型载流子势垒层位于所述隧道结上方；
所述上有源区n型波导层位于所述上有源区n型载流子势垒层上方；
所述上有源区量子阱位于所述上有源区n型波导层上方；
所述上有源区p型波导层位于所述上有源区量子阱上方；
所述上有源区p型载流子势垒层位于所述上有源区p型波导层上方。
9.一种双有源区激光器芯片制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长下有源区，在所述下有源区中形成下有源区量子阱；
在所述下有源区上生长上有源区，在所述上有源区中形成上有源区量子阱；
所述上有源区量子阱与所述下有源区量子阱的材料为inxga1-xas，且所述上有源区量子阱的inxga1-xas材料中的铟组分x大于所述下有源区量子阱的inxga1-xas材料中的铟组分x；所述上有源区量子阱的厚度大于所述下有源区量子阱的厚度。
10.根据权利要求9所述的双有源区激光器芯片制备方法，其特征在于，在所述衬底上生长下有源区之后、在所述下有源区上生长上有源区之前，所述方法还包括,通过如下步骤在所述下有源区上生长隧道结：
在所述下有源区的上表面生长p层，所述p层的掺杂浓度大于1020cm-3；
在所述p层的上表面生长n层，所述n层的掺杂浓度大于3×1019cm-3；
通过如下步骤在所述p层的上表面生长n层：
在所述p层的上表面生长第一单原子层，所述第一单原子层为掺si的gaas；
通入ash3气体吹扫所述第一单原子层的表面；
通过si在所述第一单原子层的一侧表面生长第二单原子层；
通入ash3气体吹扫所述第二单原子层的表面；
在所述第二单原子层的一侧表面生长第三单原子层，所述第三单原子层为掺si的gaas；
判断当前的n层的厚度是否大于或等于预设阈值；
若当前的n层的厚度小于预设阈值，返回生长第一单原子层的步骤，直至所述n层的厚度大于或等于预设阈值。