技术特征：
1.基于硒化锌一维纳米结构的单极性阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基底；在所述基底上形成硒化锌一维纳米结构；在所述硒化锌一维纳米结构的两端分别形成双电极层和单电极层，以获得单极性阻变存储器坯料，所述双电极层包括与所述硒化锌一维纳米结构接触的活性金属电极层；将所述单极性阻变存储器坯料置入弱酸性溶液中预设时间，清洗并干燥以获得单极性阻变存储器。2.根据权利要求1所述的单极性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述弱酸性溶液的ph值为范围在4-6.5中任一值，所述预设时间为范围在1s-60s中任一值。3.根据权利要求2所述的单极性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述弱酸选择为盐酸、硫酸、硝酸、醋酸和钼酸中的一种或多种的组合。4.根据权利要求2所述的单极性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述活性金属电极层的厚度为2nm-6nm；所述活性金属电极层的材料选择为铜或银。5.根据权利要求1-4中任一项所述的单极性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述双电极层的另一电极层形成在所述活性金属电极层的与所述硒化锌一维纳米结构接触的表面相对的另一表面上，且厚度为范围在30-200nm中任一值；可选地，所述单电极层的厚度为范围在30-200nm中任一值。6.基于硒化锌一维纳米结构的单极性阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基底；在所述基底上形成硒化锌一维纳米结构；在所述硒化锌一维纳米结构的两端分别形成第一电极层和第二电极层，以获得单极性阻变存储器坯料；在所述单极性阻变存储器坯料的表面上形成含有活性金属元素的修饰材料薄膜；将形成有所述修饰材料薄膜的所述单极性阻变存储器坯料置入弱酸性溶液中预设时间，清洗并干燥以获得单极性阻变存储器。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述弱酸性溶液的ph值为范围在4-6.5中任一值，所述预设时间为范围在1s-60s中任一值。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述弱酸选择为盐酸、硫酸、硝酸、醋酸和钼酸中的一种或多种的组合。9.根据权利要求6-8中任一项所述的单极性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述活性金属元素选择为铜或银；可选地，所述修饰材料薄膜为铜薄膜或氧化亚铜薄膜。10.根据权利要求9所述的单极性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述修饰材料薄膜的厚度为2nm-6nm。
技术总结
本发明提供了基于硒化锌一维纳米结构的单极性阻变存储器的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供一基底；在基底上形成硒化锌一维纳米结构；在硒化锌一维纳米结构的两端分别形成双电极层和单电极层，以获得单极性阻变存储器坯料，双电极层包括与硒化锌一维纳米结构接触的活性金属电极层；将单极性阻变存储器坯料置入弱酸性溶液中预设时间，清洗并干燥以获得单极性阻变存储器。利用本发明的制备方法获得了具有低操作电压、快速阻变速度、单极性导电等特性的基于硒化锌一维纳米结构的单极性阻变存储器。并且，通过选取弱酸性溶液并控制弱酸性溶液处理时间，从而进一步降低阻变存储器首次工作时所需的电成型电压，并进一步提高阻变存储器的稳定性。阻变存储器的稳定性。阻变存储器的稳定性。
技术研发人员：李珂 邵智斌
受保护的技术使用者：苏州大学文正学院
技术研发日：2020.11.06
技术公布日：2022/5/6