薄膜滤波器的制作方法

本实用新型涉及滤波器技术领域，特别涉及一种薄膜滤波器。

背景技术：

滤波器主要是用来分离不同微波信号的器件，当今高效的频谱利用率对具有高选择性、小尺寸、低成本以及可直接表贴的滤波器有着迫切需求。传统的滤波器主要是采用fr-4等级材料，但是，fr-4等级材料的相对介电常数较小，不能有效的减小滤波器的尺寸；并且，传统的滤波器的顶表面线路与底表面线路分离，在实际使用过程中采用金丝键合的方式使得顶表面线路与底表面线路电性连接，但是，金丝键合的长度、粗细、可靠性都会影响滤波器的性能；另外，传统的滤波器上没有安装屏蔽罩，使得在高频至毫米波频段，滤波器的性能易受到其他元器件的影响，进而增加了滤波器的性能的不稳定性。

因此，需要设计一种薄膜滤波器，以解决传统滤波器的尺寸大、性能受到金丝键合工艺影响以及性能不稳定的问题的问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种薄膜滤波器，能够使得所述薄膜滤波器的尺寸得到减小，且能避免所述薄膜滤波器的性能受到金丝键合工艺的影响，以及使得所述薄膜滤波器的性能的稳定性得到提高。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种薄膜滤波器，包括：

陶瓷基板；

多个谐振器，设置于所述陶瓷基板的顶表面上；

输入端和输出端，设置于所述陶瓷基板上，所述输入端和所述输出端均包括顶端和底端，所述输入端的顶端和底端电性连接，所述输出端的顶端和底端电性连接，所述输入端的顶端和所述输出端的顶端分别与相应的谐振器电性连接；以及，

屏蔽罩，包围所述多个谐振器。

可选的，所述陶瓷基板的相对介电常数为12～38。

可选的，所述陶瓷基板的厚度为0.25mm～0.7mm。

可选的，所述陶瓷基板具有两相对的第一边和两相对的第二边。

可选的，所述多个谐振器相对于所述陶瓷基板的两相对的第一边的中心线对称设置，且所述输入端和所述输出端相对于所述陶瓷基板的两相对的第一边的中心线对称设置。

可选的，所有的所述谐振器垂直于所述陶瓷基板的第二边，且所有的所述谐振器之间相互平行。

可选的，相邻两个所述谐振器之间的间隙从所述陶瓷基板的第二边的两端到第二边的中间逐渐增大。

可选的，所述谐振器的长度为所述薄膜滤波器的中心频率所对应的波长的四分之一。

可选的，所述薄膜滤波器的工作频率为4.5ghz～6.5ghz。

可选的，所述谐振器的阶数为7阶。

可选的，所述谐振器组成交指型结构。

可选的，所述输入端和所述输出端分别设置于所述陶瓷基板的两相对的第一边上，所述输入端的顶端和所述输出端的顶端设置于所述陶瓷基板的顶表面上，所述输入端的底端和所述输出端的底端设置于所述陶瓷基板的底表面上，且所述输入端的顶端和底端以及所述输出端的顶端和底端均通过第一导体层电性连接。

可选的，所述第一导体层设置于所述陶瓷基板的两相对的第一边的侧面上的第一凹槽和第二凹槽中。

可选的，所述第一凹槽和第二凹槽的形状为矩形或半圆形。

可选的，每个所述谐振器的形状为矩形，所述输入端的顶端和底端以及所述输出端的顶端和底端的形状均为月牙形。

可选的，所述陶瓷基板的底表面上设置有第二导体层，所述第二导体层接地。

可选的，每个所述谐振器的一端上均设置有至少一个第一通孔，所述第一通孔贯穿所述陶瓷基板，所述第一通孔的内壁上设置有第三导体层，以使得每个所述谐振器通过所述第三导体层与所述第二导体层电性连接。

可选的，相邻的两个所述谐振器上的所述第一通孔设置于所述谐振器的不同端。

可选的，所述第一通孔的形状为圆形，所述第一通孔的直径为0.1mm～0.25mm。

可选的，所述第一通孔的形状为矩形，所述第一通孔的边长为0.25mm～0.5mm。

可选的，所述屏蔽罩包括一顶板、分别设置于所述顶板的两相对边的两个侧板以及分别与两个所述侧板连接的两个安装板，所述顶板位于所述陶瓷基板的顶表面上方且与所述陶瓷基板的顶表面平行，两个所述侧板与所述顶板垂直，两个所述侧板位于所述多个谐振器的外围，两个所述安装板与所述侧板平行，两个所述安装板分别固定于所述陶瓷基板的两相对的第二边的侧面上。

可选的，所述陶瓷基板的两相对的第二边的侧面各设置有一第三凹槽，所述第三凹槽的内壁上设置有第四导体层，所述安装板固定于所述第三凹槽中的第四导体层上，以使得所述屏蔽罩通过所述第四导体层与所述第二导体层电性连接。

可选的，所述薄膜滤波器还包括传输线，所述输入端的顶端和所述输出端的顶端分别通过所述传输线与各自最接近的所述谐振器电性连接。

与现有技术相比，本实用新型提供的薄膜滤波器，由于包括相对介电常数高的所述陶瓷基板，使得所述薄膜滤波器的尺寸得到减小，极大改善了所述薄膜滤波器的性能；进一步地，由于所述输入端的顶端和底端之间以及所述输出端的顶端和底端之间均通过设置于所述陶瓷基板的第一边的侧壁上的第一凹槽和第二凹槽中的第一导体层实现电性连接，使得能够避免所述薄膜滤波器的性能受到金丝键合工艺的影响；更进一步地，由于所述陶瓷基板上设置有屏蔽罩，能够降低外部信号的干扰，提高产品性能和稳定性。

附图说明

图1是本实用新型一实施例的薄膜滤波器(不含屏蔽罩)的顶表面的示意图；

图2是本实用新型一实施例的薄膜滤波器(不含屏蔽罩)的底表面的示意图；

图3是本实用新型一实施例的薄膜滤波器(含屏蔽罩)的爆炸图；

图4是本实用新型一实施例的薄膜滤波器的信号仿真图；

图5是本实用新型另一实施例的薄膜滤波器(不含屏蔽罩)的顶表面的示意图；

图6是本实用新型另一实施例的薄膜滤波器(不含屏蔽罩)的底表面的示意图；

图7是本实用新型另一实施例的薄膜滤波器(含屏蔽罩)的爆炸图；

图8是本实用新型另一实施例的薄膜滤波器的信号仿真图。

其中，附图1～图8的附图标记说明如下：

11-陶瓷基板；111-第一边；112-第二边；113-第二导体层；114-焊接层；115-第二通孔；116-第三凹槽；12-谐振器；121-第一通孔；13-输入端；131-第一顶端；132-第一底端；133-第一凹槽；14-输出端；141-第二顶端；142-第二底端；143-第二凹槽；15、16-屏蔽罩；151、161-顶板；152、162-侧板；153、163-安装板；17-传输线。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图1至图8对本实用新型提出的薄膜滤波器作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

本实用新型一实施例提供一种薄膜滤波器，参阅图1至图8，所述薄膜滤波器包括陶瓷基板11、多个谐振器12、输入端13和输出端14，所述多个谐振器12设置于所述陶瓷基板11的顶表面上，所述输入端13和所述输出端14设置于所述陶瓷基板11上，且所述输入端13和所述输出端14均包括顶端和底端，所述输入端13的顶端和底端电性连接，所述输出端14的顶端和底端电性连接，所述输入端13的顶端和所述输出端14的顶端分别与相应的谐振器12电性连接，所述屏蔽罩包围所述多个谐振器12。

下面参阅图1至图8对所述薄膜滤波器进行详细说明。

所述陶瓷基板11可以为由绝缘的陶瓷材料制作而成的板状结构，可以选择相对介电常数高的陶瓷材料制作所述陶瓷基板11。优选的，所述陶瓷基板11的相对介电常数可以为12～38。

由于同一频率的波在不同介质中以不同的速度传播，所述陶瓷基板11具有一个固有的相对介电常数，根据波的传输概念，相对介电常数高的材料可以用于低频滤波器，相对介电常数低的材料可以用于高频滤波器，通过选择相对介电常数高的陶瓷材料制作所述陶瓷基板11，可以有效的减小所述薄膜滤波器的尺寸(即所述薄膜滤波器的长度、宽度以及厚度)，增加所述薄膜滤波器的阶数，提高阻带信号衰减幅度，极大改善所述薄膜滤波器的性能。

所述陶瓷基板11的表面可以经过抛光处理，抛光处理之后的陶瓷基板11的厚度可以为0.25mm～0.7mm。

如图1和图5所示，所述多个谐振器12设置于所述陶瓷基板11的顶表面上，且可以优选设置于所述陶瓷基板11的顶表面的靠近中间的位置。所述谐振器12的数量可以至少为4个，且所述谐振器12的数量可以为奇数个或偶数个，例如图1和图5中所示的所述谐振器12的数量为7个，等效为7阶lc谐振器，7个所述谐振器12做为谐振杆，一端短路，一端开路。谐振器12的阶数越高滤波效果越好，但相应的成本也会越高，因此，可以综合所需的滤波效果及成本选择合适数量的所述谐振器12。

所述陶瓷基板11具有两相对的第一边111和两相对的第二边112，例如所述陶瓷基板11可以为矩形结构，所述第一边111为矩形结构的短边，所述第二边112为矩形结构的长边，或者，所述第一边111为矩形结构的长边，所述第二边112为矩形结构的短边。所述多个谐振器12可以相对于所述陶瓷基板11的两相对的第一边111的中心线对称设置，相邻两个所述谐振器12之间的间隙可以从所述陶瓷基板11的第二边112的两端到第二边112的中间逐渐增大。相邻两个所述谐振器12之间通过间隙耦合，相邻两个所述谐振器12之间的耦合可以近似为一个电容，因此，可以通过调整相邻两个所述谐振器12之间的间隙宽度来调整相邻两个所述谐振器12之间的耦合系数。相邻两个所述谐振器12之间的距离越近，即相邻两个所述谐振器12之间的间隙越小，则相邻两个所述谐振器12之间的耦合系数越大，带宽越宽；相邻两个所述谐振器12之间的距离越远，即相邻两个所述谐振器12之间的间隙越大，则相邻两个所述谐振器12之间的耦合系数越小，带宽越窄，因此，可以通过改变相邻两个所述谐振器12之间的间隙来调整工作带宽。

所述多个谐振器12可以相对于所述陶瓷基板11的两相对的第二边112的中心线对称设置或者不对称设置，即相邻两个所述谐振器12的朝向所述陶瓷基板11的第二边112的同一端之间可以相互齐平或不齐平。

所有的所述谐振器12可以垂直于所述陶瓷基板11的第二边112，且所有的所述谐振器12之间相互平行，所有的所述谐振器12可以平行于所述陶瓷基板11的第一边111。所有的所述谐振器12组成交指型结构，即两组平行耦合线谐振器相互交叉组成，交指型结构较为紧凑，使得面积较小。

所述谐振器12的长度为所述薄膜滤波器的中心频率所对应的波长的四分之一，通过改变所述谐振器12的长度，可以调整工作频率。所述薄膜滤波器的中心频率指所述薄膜滤波器的工作频率的中心频率，例如本实施例的所述薄膜滤波器的工作频率是4.5ghz～6.5ghz，即中心频率为5.5ghz。

如图2和图6所示，所述陶瓷基板11的底表面上设置有第二导体层113，所述第二导体层113接地。所述第二导体层113的面积很大，大面积的所述第二导体层113可以保证所述薄膜滤波器有效的接地，从而保证良好的薄膜滤波器的性能。

每个所述谐振器12的一端上均设置有至少一个第一通孔121，且所述第一通孔121贯穿所述陶瓷基板11，所述第一通孔121的内壁上设置有第三导体层(未图示)，以使得每个所述谐振器12通过所述第三导体层与所述第二导体层113电性连接，进而使得所有的所述谐振器12能够接地。

所有的所述第一通孔121相对于所述陶瓷基板11的两相对的第一边111的中心线对称设置。相邻的两个所述谐振器12上的所述第一通孔121设置于所述谐振器12的不同端，以使得所有的所述谐振器12通过所述第一通孔121形成类似电感的结构。

可以通过激光打孔的方式形成所述第一通孔121，并通过金属过孔工艺在所述第一通孔121的内壁上长出一层所述第三导体层，使得所述第三导体层均匀地覆盖于所述第一通孔121的内壁上。

每个所述谐振器12的形状可以为矩形。如图1～图3所示，所述第一通孔121的形状(即横截面形状)可以为矩形，所述第一通孔121的边长可以为0.25mm～0.5mm，此时，所述第一通孔121的数量可以为一个；如图5～图7所示，所述第一通孔121的形状(即横截面形状)也可以为圆形，所述第一通孔121的直径可以为0.1mm～0.25mm，此时，所述第一通孔121的数量至少为一个。需要说明的是，所述第一通孔121的形状不仅限于上述两种形状。通过增加所述第一通孔121的数量，能够增加所有的所述第一通孔121的孔内面积，从而增加所述第一通孔121内的第三导体层的面积，第三导体层的面积越大，所述第一通孔121的性能越好，进而提高产品的使用功率。

所述输入端13和所述输出端14分别设置于所述陶瓷基板11的两相对的第一边111上，且所述输入端13和所述输出端14相对于所述陶瓷基板11的两相对的第一边111的中心线对称设置。

所述输入端13和所述输出端14均包括顶端、底端以及电性连接顶端和底端的第一导体层(未图示)，所述第一导体层设置于所述陶瓷基板11的两相对的第一边111的侧面上的第一凹槽133和第二凹槽143中，所述第一凹槽133位于所述输入端13一侧，所述第二凹槽143位于所述输出端14一侧。为了便于区分描述，定义所述输入端13的顶端为第一顶端131，定义所述输入端13的底端为第一底端132，定义所述输出端14的顶端为第二顶端141，定义所述输出端14的底端为第二底端142。

所述第一顶端131和所述第二顶端141均设置于所述陶瓷基板11的顶表面上，且所述第一顶端131和所述第二顶端141相对于所述陶瓷基板11的两相对的第一边111的中心线对称设置；所述第一底端132和所述第二底端142均设置于所述陶瓷基板11的底表面上，且所述第一底端132和所述第二底端142相对于所述陶瓷基板11的两相对的第一边111的中心线对称设置；所述第一顶端131通过位于所述第一凹槽133中的第一导体层与所述第一底端132电性连接，所述第二顶端141通过位于所述第二凹槽143中的第一导体层与所述第二底端142电性连接，且所述第一凹槽133和所述第二凹槽143相对于所述陶瓷基板11的两相对的第一边111的中心线对称设置；所述输入端13的第一顶端131和所述输出端14的第二顶端141分别与相应的谐振器12电性连接；所述输入端13的第一底端132和所述输出端14的第二底端142均与所述陶瓷基板11的底表面上的所述第二导体层113之间绝缘。

所述第一顶端131、所述第一底端132、所述第二顶端141和所述第二底端142的形状相同，可以均为月牙形，且尺寸均相同。其中，如图1和图2所示，月牙形的外圈可以为由多条线段连接而成的折线；如图5和图6所示，月牙形的外圈也可以为半圆形，半圆形的直径可以为0.15mm～0.35mm，例如，对于中心频率为5.5ghz的所述薄膜滤波器，月牙形的外圈的半圆形的直径为0.25mm。

所述第一凹槽133和所述第二凹槽143的横截面(即平行于所述陶瓷基板11的顶表面的截面)的形状可以均为矩形，如图1和图2所示，矩形的边长可以为0.1mm～0.5mm；或者，如图5和图6所示，所述第一凹槽133和所述第二凹槽143的横截面(即平行于所述陶瓷基板11的顶表面的截面)的形状可以均为半圆形，半圆形的直径可以为0.1mm～0.25mm，例如，对于中心频率为5.5ghz的所述薄膜滤波器，半圆形的直径为0.13mm。并且，所述第一凹槽133和所述第二凹槽143的横截面的形状也是所述第一顶端131、所述第一底端132、所述第二顶端141和所述第二底端142的月牙形的内圈的形状。

并且，由于所第一底端132和所述第二底端142均与所述第二导体层113之间绝缘，则位于所述第一底端132和所述第二底端142的外围的所述第二导体层113可以设置为与月牙形的外圈形状对应的折线形形状，如图2所示；或者，如图6所示，位于所述第一底端132和所述第二底端142的外围的所述第二导体层113可以设置为与月牙形的外圈形状对应的半圆形形状，所述第二导体层113上的半圆形形状的直径可以为0.5mm～0.7mm，例如，对于中心频率为5.5ghz的所述薄膜滤波器，所述第二导体层113上的半圆形的直径为0.5mm。

可以通过激光打孔的方式形成所述第一凹槽133和所述第二凹槽143，可以通过金属过孔工艺在所述第一凹槽133和所述第二凹槽143的内壁上长出一层所述第一导体层，使得所述第一导体层均匀地覆盖于所述第一凹槽133和所述第二凹槽143的内壁上。

由于所述第一顶端131通过位于第一凹槽133中的第一导体层与所述第一底端132电性连接，以及所述第二顶端141通过位于第二凹槽143中的第一导体层与所述第二底端142电性连接，结构稳定，电性连接的效果受工艺影响小，避免了所述第一顶端131与所述第一底端132之间以及所述第二顶端141与所述第二底端142之间均通过金丝键合的方式电性连接而对所述薄膜滤波器的性能产生不良影响，避免所述薄膜滤波器的性能出现波动。所述薄膜滤波器在实际应用过程中，能够采用回流焊表贴的技术固定于其它部件上，提高产品应用的一致性。

所述薄膜滤波器还包括传输线17，所述传输线17设置于所述陶瓷基板11的顶表面上，且所述输入端13的顶端(即第一顶端131)和所述输出端14的顶端(即第二顶端141)分别通过所述传输线17与各自最接近的所述谐振器12电性连接，连接所述第一顶端131的传输线17与连接所述第二顶端141的传输线17相对于所述陶瓷基板11的两相对的第一边111的中心线对称设置。其中，若将图1和图5中的7个所述谐振器12从靠近所述输入端13的方向至靠近所述输出端14的方向依次定义为第一级谐振器至第七级谐振器，则所述第一顶端131通过所述传输线17与所述第一级谐振器电性连接，所述第二顶端141通过所述传输线17与所述第七级谐振器电性连接。

由上述内容可知，所有的所述谐振器12之间、所有的所述第一通孔121之间、所述输入端13与所述输出端14之间以及连接所述第一顶端131的传输线17与连接所述第二顶端141的传输线17之间均相对于所述陶瓷基板11的两相对的第一边111的中心线对称设置，且形状和尺寸均相同，若这些结构发生改变，则会导致所述薄膜滤波器的通带、抑制特性以及插入损耗改变，进而导致所述薄膜滤波器的性能改变。

在工作过程中，基于上述的所述薄膜滤波器的结构，所述输入端13的第一底端132与输入端口连接，信号从所述第一底端132进入，然后依次通过所述第一凹槽133中的第一导体层、所述第一顶端131、所述传输线17、所有的所述谐振器12、所述传输线17、所述第二顶端141以及所述第二凹槽143中的第一导体层，最后从所述输出端14的第二底端142输出，使得所述薄膜滤波器的通带宽度、中心频率以及带内特性均可以独立调节，从而在初始设计时可以有效的根据要求调整尺寸。

所述屏蔽罩包围所有的所述谐振器12。图3和图7示意出了两种不同结构的屏蔽罩以及对应的与陶瓷基板11之间的连接方式。为了便于区分，图3和图7中的屏蔽罩、顶板、侧板和安装板采用了不同的附图标记。

参阅图3，所述屏蔽罩16固定于所述陶瓷基板11的两相对的第二边112的顶表面上。所述屏蔽罩16包括顶板161、分别设置于所述顶板161的两相对边的两个侧板162以及分别与两个所述侧板162连接的两个安装板163，所述顶板161位于所述陶瓷基板11的顶表面上方，且所述顶板161与所述陶瓷基板11的顶表面平行，两个所述侧板162与所述顶板161垂直，两个所述侧板162位于所述多个谐振器12的外围，两个所述安装板163与所述侧板162平行，两个所述安装板163分别固定于所述陶瓷基板11的两相对的第二边112的侧面上。

并且，所述陶瓷基板11的两相对的第二边112的侧面上各设置有一第三凹槽116，所述第三凹槽116的内壁上设置有第四导体层(未图示)，所述安装板163固定于所述第三凹槽116中的第四导体层上，以使得所述屏蔽罩16通过所述第四导体层与所述第二导体层113电性连接，进而使得所述屏蔽罩16能够接地。其中，所述第四导体层采用溅射的方法形成；所述屏蔽罩16的两个侧板162的底表面与所述陶瓷基板11的两相对的第二边112的顶表面接触，通过将所述安装板163焊接于所述第三凹槽116中的第四导体层上，使得所述屏蔽罩16固定于所述陶瓷基板11上。

参阅图7，所述屏蔽罩15固定于所述陶瓷基板11的两相对的第二边112的顶表面上。所述屏蔽罩15包括顶板151、分别设置于所述顶板151的两相对边的两个侧板152以及分别与两个所述侧板152连接的两个安装板153。所述顶板151位于所述陶瓷基板11的顶表面上方，且所述顶板151与所述陶瓷基板11的顶表面平行，两个所述侧板152与所述顶板151垂直，两个所述侧板152分别位于所述陶瓷基板11的两相对的第二边112的顶表面上，且两个侧板152设置于所述谐振器12的外围。两个所述安装板153与所述侧板152垂直，两个所述安装板153与所述顶板151平行，所述安装板153设置于所述侧板152的底端，所述安装板153朝所述陶瓷基板11的两相对的第二边112的侧面方向(即背向所述谐振器12的方向)延伸，或者，所述安装板153朝背向所述陶瓷基板11的两相对的第二边112的侧面方向(即面向所述谐振器12的方向)延伸，以使得所述屏蔽罩15通过所述安装板153固定于所述陶瓷基板11的顶表面上。

并且，所述陶瓷基板11的两相对的第二边112的顶表面上各设置有一焊接层114，所述焊接层114位于所述陶瓷基板11的顶表面上的靠近边缘的位置，且所述焊接层114未与所述谐振器12接触，所述安装板153的底面固定于所述焊接层114上。可以通过将所述安装板153焊接于所述焊接层114上，使得所述屏蔽罩15固定于所述陶瓷基板11的顶表面上。通过将所述屏蔽罩15焊接固定于所述陶瓷基板11的顶表面上，更加容易操作，且使得所述屏蔽罩15固定的更加稳定。

需要说明的是，所述屏蔽罩15、16的结构以及所述屏蔽罩15、16固定于所述陶瓷基板11上的方式不仅限于图3和图7所示的示例，可以在满足所述薄膜滤波器的性能的情况下选择其它合适的屏蔽罩15、16的结构和固定方式。

所述焊接层114上设置有多个第二通孔115，所述第二通孔115贯穿所述陶瓷基板11，且所述第二通孔115的内壁上设置有第四导体层(未图示)，所述屏蔽罩15通过所述第四导体层与所述第二导体层113电性连接，进而使得所述屏蔽罩15能够接地。可以通过激光打孔的方式形成所述第二通孔115，并通过金属过孔工艺在所述第二通孔115的内壁上长出一层所述第四导体层，使得所述第四导体层均匀地覆盖于所述第二通孔115的内壁上。

所述第二通孔115的形状(即横截面的形状)为圆形，所述第二通孔115的直径为0.1mm～0.25mm；或者，所述第二通孔115的形状(即横截面的形状)为矩形，所述第二通孔115的边长为0.1mm～0.25mm。需要说明的是，所述第二通孔115的形状不仅限于上述两种形状。所述第二通孔115的数量至少为9个，以避免影响所述薄膜滤波器的性能。通过增加所述第二通孔115的数量，能够增多所述第四导体层的面积，进而满足接地效果。例如，对于中心频率为5.5ghz的所述薄膜滤波器，所述第二通孔115的数量至少为15个。

并且，由于所述陶瓷基板11的材质硬且脆，若对所述陶瓷基板11进行较大面积的打孔操作，会导致加工难度大，且耗时长，以及易导致所述陶瓷基板11破碎，因此，在采用激光打孔的方式形成所述第一通孔121、第二通孔115、第一凹槽133和第二凹槽143时，打孔的直径均很小，且对于图7所示的实施例，可以通过增多所述第一通孔121和第二通孔115的数量的方式来确保所述薄膜滤波器的性能不会受到影响，使得在不降低所述薄膜滤波器的性能的基础上，降低加工难度，提升加工效率，最终降低加工成本，提升市场竞争力。

另外，由于所述陶瓷基板11的两相对的第一边111上分别设置有所述输入端13和所述输出端14，因此，所述安装板153和所述安装板163可以仅固定于所述陶瓷基板11的两相对的第二边112上，以使得所述屏蔽罩15和所述屏蔽罩16在屏蔽信号的同时，还能避免焊接安装所述屏蔽罩15和所述屏蔽罩16时导致所述输入端13和所述输出端14的短路。

所述屏蔽罩的材质为不锈钢等金属，所述屏蔽罩的厚度可以为0.2mm～0.5mm。

由于在工作过程中，滤波器会受到空间其他信号的干扰，尤其在高频至毫米波频段，滤波器的性能更加容易受到其他元器件的影响，增加滤波器的性能的不稳定性，因此，通过在所述陶瓷基板11上设置所述屏蔽罩，能够避免所述薄膜滤波器在工作过程中受到外部信号的干扰，且能够降低所述薄膜滤波器的内部信号的泄露，进而提高所述薄膜滤波器的性能的稳定性，从而有效的改善所述薄膜滤波器的性能参数，例如能量损失更小，也即薄膜滤波器的插入损耗更小。

另外，所述谐振器12、所述第一顶端131、所述第一底端132、所述第二顶端141、所述第二底端142、所述传输线17、所述第一导体层、所述第二导体层113、所述第三导体层、所述第四导体层和所述焊接层114的材质例如为金。

另外，所述谐振器12、所述第二导体层113、所述第一顶端131、所述第一底端132、所述第二顶端141、所述第二底端142、所述传输线17以及所述焊接层114均是采用半导体工艺中的磁控溅射、光刻和刻蚀工艺形成，且位于所述陶瓷基板11的顶表面上的结构可以同时形成，位于所述陶瓷基板11的底表面上的结构可以同时形成，在成本上具有一定的优势。

参阅图4，图4是基于图1至图3所示的所述薄膜滤波器的信号仿真图，其示出了工作频率的通带的变化趋势l1以及插入损耗的变化趋势l2，横坐标为频率，纵坐标为抑制级数，从图4中可看出，所述薄膜滤波器工作的中心频率是5.5ghz，带宽为1ghz，在通带的变化趋势l1上的右边位置p1处产生一个传输零点，大大的改善了所述薄膜滤波器的带外抑制特性，尤其是近端抑制特性。因此，基于上述的所述薄膜滤波器的结构，使得所述薄膜滤波器的性能得到提升。

参阅图8，图8是基于图5至图7所示的所述薄膜滤波器的信号仿真图，其示出了工作频率的通带的变化趋势l3以及插入损耗的变化趋势l4，横坐标为频率，纵坐标为抑制级数，从图8中可看出，所述薄膜滤波器工作的中心频率是5.5ghz，带宽为1ghz，在通带的变化趋势l3上的右边位置p2处产生一个传输零点，大大的改善了所述薄膜滤波器的带外抑制特性，尤其是近端抑制特性。因此，基于上述的所述薄膜滤波器的结构，使得所述薄膜滤波器的性能得到提升。

综上所述，本实用新型提供的所述薄膜滤波器，由于包括相对介电常数高的所述陶瓷基板，使得所述薄膜滤波器的尺寸得到减小，极大改善了所述薄膜滤波器的性能；进一步地，由于所述输入端的顶端和底端之间以及所述输出端的顶端和底端之间均通过设置于所述陶瓷基板的第一边的侧面上的第一凹槽和第二凹槽中的第一导体层实现电性连接，使得能够避免所述薄膜滤波器的性能受到金丝键合工艺的影响；更进一步地，由于所述陶瓷基板上设置有屏蔽罩，使得所述薄膜滤波器的性能的稳定性得到提高。

上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述，并非对本实用新型范围的任何限定，本实用新型领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。