一种集成电路引线框架的制作方法

文档序号:23714384发布日期:2021-01-23 23:04阅读:206来源:国知局
一种集成电路引线框架的制作方法

[0001]
本实用新型属于半导体引线框架技术领域,具体涉及一种集成电路引线框架。


背景技术:

[0002]
集成电路引线框架是制造集成电路半导体元件的基本部件。它作为芯片载体,是借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接、形成电气回路的关键结构件,起到了和外部导线连接的桥梁作用。一般将底材用冲压法进行冲穿或化学蚀刻法进行蚀穿,然后装芯片,进行引脚的焊接,最后进行包封,形成一整体的半导体元件。
[0003]
引线框架中的每个产品单元一般包括基岛、引脚和切割道。为了减小半导体元件的体积,引线框架的厚度越来越薄,现有的引线框架在进行剪切时,剪切处附件的引脚会发生变形,一旦形变过大就会使得该产品单元失效,因此需要控制引线框架在剪切时的变形量。


技术实现要素:

[0004]
本实用新型的目的是针对现有技术中存在的上述问题,提出了一种减小剪切时引脚形变的集成电路引线框架。
[0005]
本实用新型的目的可通过下列技术方案来实现:一种集成电路引线框架,间隔设置有多个基岛和多个剪切部,每个剪切部包括两个引脚和一个切割道,所述切割道两端分别与所述两个引脚相连,所述两个引脚和切割道围成第一凹槽,所述第一凹槽开口设置在所述剪切部的底部,所述切割道具有第一凸起,所述第一凸起设置于对应的第一凹槽中。
[0006]
作为本实用新型的进一步改进,所述第一凸起将对应的第一凹槽分割成两个部分。
[0007]
作为本实用新型的进一步改进,所述第一凸起的宽度小于所述切割道的宽度。
[0008]
作为本实用新型的进一步改进,所述第一凸起的宽度与所述第一凹槽的宽度之比为0.25~0.5。
[0009]
作为本实用新型的进一步改进,所述第一凸起的高度小于所述引脚的高度。
[0010]
作为本实用新型的进一步改进,所述第一凸起的高度与所述第一凹槽的深度之比为0.25~1。
[0011]
作为本实用新型的进一步改进,所述第一凹槽被对应的第一凸起分割成的两个部分形状相同。
[0012]
基于上述技术方案,本实用新型实施例至少可以产生如下技术效果:
[0013]
1、本实用新型集成电路引线框架由于增加了第一凸起,在进行剪切时,剪切处附件的引脚变形程度会大幅降低,从而提升产品的良率。
[0014]
2、所述第一凸起将所述第一凹槽分割成形状相同的两部分使得所述引脚在剪切时受力更为均匀。
[0015]
3、对所述第一凸起相对于所述第一凹槽的尺寸进行限制,可以在满足生产要求的
前提下,节约材料、降低成本。
附图说明
[0016]
图1是本实用新型一种集成电路引线框架一实施例中基岛和引脚的剖视图。
[0017]
图中,10、基岛;20、引脚;21、第一凹槽;30、切割道;31、第一凸起。
具体实施方式
[0018]
以下是本实用新型的一个具体实施例,并结合附图1,对本实用新型的技术方案作进一步的描述,但本实用新型并不限于这个实施例。
[0019]
如图1所示,本实用新型提出了一种用于减少剪切时引脚变形的集成电路引线框架,本集成电路引线框架间隔设置有多个基岛10和多个剪切部,每个剪切部包括两个引脚20和一个切割道30,所述切割道30设置在对应的两个引脚20之间,所述切割道30两端分别与所述两个引脚20相连,本集成电路引线框架包括多个功能单元,图中点划线之间的部分为一个功能单元。所述两个引脚20和切割道30围成第一凹槽21,所述第一凹槽21开口设置在设置在所述剪切部的底部,所述切割道30具有第一凸起31,所述第一凸起31设置于对应的第一凹槽21中。通过在所述第一凹槽21中设置第一凸起31,使得该集成电路引线框架在进行剪切时,剪切处附件的引脚20变形量更小,从而提高功能单元生产的良率。
[0020]
进一步的,所述第一凸起31将所述第一凹槽21分割成两个部分。所述第一凹槽21被分割成两个部分,说明所述所述第一凸起31并未和所述引脚20相连,在剪切所述切割道30时减少对所述引脚20的影响。
[0021]
进一步的,所述第一凸起31的宽度小于所述切割道30的宽度。所述第一凸起31的宽度a不宜太大,太大会浪费较多材料。
[0022]
进一步的,所述第一凸起31的宽度与所述第一凹槽21的宽度之比为0.25~0.5。所述第一凸起31的宽度a与所述第一凹槽21的宽度a之比不宜太大也不宜太小,太大会浪费较多材料,太小又起不到加强的作用,0.25~0.5是发明人经过多次试验获得的合理值,在本实施例中所述第一凹槽21宽度a为0.18mm,所述第一凸起31宽度a为0.06mm。
[0023]
进一步的,所述第一凸起31的高度小于所述引脚20的高度。这么设置是为了与本集成电路引线框架的生产工艺相适应,本实施例中的第一凹槽21和第一凸起31都经蚀刻后产生的,在蚀刻之前原切割道和所述引脚20的高度相同,在对原切割道进行蚀刻后,得到所述切割道30的形状。
[0024]
进一步的,所述第一凸起31的高度与所述第一凹槽21的深度之比为0.25~1。所述第一凸起31的高度与所述第一凹槽21的深度之比不宜太大也不宜太小,太大会浪费较多材料,太小又起不到加强的作用,0.25~1是发明人经过多次试验获得的合理值,本实施例该值为0.5左右。
[0025]
进一步的,所述第一凹槽21被对应的第一凸起31分割成的两个部分形状相同。所述第一凸起31将所述第一凹槽21分割成形状相同的两个部分使得所述引脚20在剪切时受力更为均匀。
[0026]
本实用新型实施例至少可以产生如下技术效果:本实用新型集成电路引线框架由于增加了第一凸起31,在进行剪切时,剪切处附件的引脚20变形程度会大幅降低,从而提升
产品的良率;所述第一凸起31将所述第一凹槽21分割成形状相同的两部分使得所述引脚20在剪切时受力更为均匀;对所述第一凸起31相对于所述第一凹槽21的尺寸进行限制,可以在满足生产要求的前提下,节约材料、降低成本。
[0027]
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神作举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
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