技术特征：
1.一种具有凹陷沟槽的场效应晶体管，其特征在于，包括衬底(10)，所述衬底(10)上依次层叠有外延层(11)、沟道掺杂层(12)、源极层(13)和源极金属层(14)，所述沟道掺杂层(12)和源极层(13)的厚度之和为d，所述衬底(10)下设有漏极金属层(15)，所述外延层(11)中设有贯穿所述沟道掺杂层(12)、所述源极层(13)和所述源极金属层(14)的凹槽(20)；所述凹槽(20)的底部设有位于所述外延层(11)中的保护层(30)，所述保护层(30)呈u形包裹于所述凹槽(20)的底部，所述保护层(30)与所述沟道掺杂层(12)之间形成有间隔；所述凹槽(20)中填充有栅极电介质层(40)，所述栅极电介质层(40)中设有栅极沉积层(50)，所述栅极沉积层(50)的底部设有抗击层(51)，所述栅极沉积层(50)中设有栅极金属层(60)，所述栅极金属层(60)、所述栅极沉积层(50)和所述栅极电介质层(40)的顶面共面，所述栅极金属层(60)的高度为h，h>d；所述栅极电介质层(40)的介电常数大于10，所述抗击层(51)的介电常数小于4；所述衬底(10)、所述外延层(11)和所述源极层(13)均为掺杂有第一导电型离子的半导体材料层，所述沟道掺杂层(12)和所述保护层(30)均为掺杂有第二导电型离子的半导体材料层，第一导电型和第二导电型的极性相反。2.根据权利要求1所述的一种具有凹陷沟槽的场效应晶体管，其特征在于，所述衬底(10)、所述外延层(11)和所述源极层(13)均为掺杂有磷离子的单晶硅层，所述沟道掺杂层(12)和所述保护层(30)均为掺杂有硼离子的单晶硅层。3.根据权利要求1所述的一种具有凹陷沟槽的场效应晶体管，其特征在于，所述保护层(30)的宽度为r，所述凹槽(20)的宽度为l，1.2l≤r≤1.8l。4.根据权利要求1所述的一种具有凹陷沟槽的场效应晶体管，其特征在于，所述栅极电介质层(40)为氧化镧层或二氧化钛层。5.根据权利要求1所述的一种具有凹陷沟槽的场效应晶体管，其特征在于，所述栅极沉积层(50)为氮化钛层或氮化钽层。6.根据权利要求1或5所述的一种具有凹陷沟槽的场效应晶体管，其特征在于，所述栅极沉积层(50)的底部为向下收窄的圆台状。7.根据权利要求1所述的一种具有凹陷沟槽的场效应晶体管，其特征在于，所述抗击层(51)为二氧化硅层或ptfe层。8.根据权利要求1所述的一种具有凹陷沟槽的场效应晶体管，其特征在于，所述栅极金属层(60)为钨层或铝层。