1.一种通过氧空位浓度调控ε相氧化镓光电响应性能的方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底上生成初始的ga2o3薄膜，该ga2o3薄膜为ε相晶体结构；
在富氧环境且在400～960℃的温度下，对所述初始的ga2o3薄膜进行退火处理以降低该ga2o3薄膜的氧空位浓度，得到最终的ga2o3薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述富氧环境的气体流量为0～200ml/min的氧气。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述气体流量为20～80ml/min。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理时间为10～300min。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述富氧环境的氧含量大于50％。
6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述退火处理的温度为600～800℃。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述最终的ga2o3薄膜的o/ga原子比为1.35～1.65，oii/oi比值为0.1～0.4。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述最终的ga2o3薄膜的o/ga原子比为1.45～1.55，oii/oi比为0.24～0.36。
9.一种用于光电探测器的ga2o3薄膜，其特征在于，所述ga2o3薄膜为ε相，使用权利要求1所述的方法制备，且其o/ga原子比为1.35～1.65，oii/oi比值为0.1～0.4。
10.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括使用权利要求9所述的ga2o3薄膜。