微型发光二极管结构与使用其的微型发光二极管显示面板的制作方法

本公开实施例涉及一种发光二极管结构与使用其的发光二极管显示面板，尤其涉及一种包含图案化电极层的微型发光二极管结构与使用其的微型发光二极管显示面板。

背景技术：

随着光电科技的进步，许多光电组件的体积逐渐往小型化发展。相较于有机发光二极管(organiclight-emittingdiode,oled)技术，微型发光二极管(microled,mled/μled)具有效率高、寿命较长、材料不易受到环境影响而相对稳定等优势。因而，使用以数组排列制作的微型发光二极管的显示器在市场上逐渐受到重视。

在一般的微型发光二极管结构中，常包含三族氮化物半导体材料(例如，gan、aln、inn及其合金等)作为发光材料。然而，在发光材料发出光线至到达出光面的过程中，可能因为各层的折射率不同，对于光线的行进造成阻碍。举例来说，发光材料发出的光线可能在微型发光二极管结构的内部发生全反射，导致微型发光二极管结构的整体发光效率降低。

技术实现要素：

本公开实施例是有关于一种包含图案化电极层的微型发光二极管结构与使用其的微型发光二极管显示面板。图案化电极层被区分为多个图案化电极区段，且这些图案化电极区段彼此分离。在一些实施例中，可通过调整图案化电极区段的尺寸(高度、宽度等)或相邻两个图案化电极区段的距离，使微型发光二极管结构的整体发光效率进一步提升。

本公开实施例包含一种微型发光二极管结构。微型发光二极管结构包含一磊晶层。微型发光二极管结构也包含一反射层，反射层设置于磊晶层之上。微型发光二极管结构还包含一图案化电极层，图案化电极层设置于磊晶层与反射层之间。图案化电极层被区分为多个图案化电极区段，图案化电极区段彼此分离。此外，微型发光二极管结构包含一第一型电极与一第二型电极，第一型电极与第二型电极设置于反射层之上并与磊晶层电性连接。

本公开实施例包含一种微型发光二极管显示面板。微型发光二极管显示面板包含一驱动基板，驱动基板具有一显示区与一非显示区。微型发光二极管显示面板也包含多个像素，像素设置于显示区中并排列为一数组。微型发光二极管显示面板还包含多个前述的微型发光二极管结构，微型发光二极管结构设置于像素中并接合于驱动基板之上。

附图说明

以下将配合所附附图详述本公开实施例。应注意的是，各种特征部件并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，组件的尺寸可能经放大或缩小，以清楚地表现出本公开实施例的技术特征。

图1是根据本公开一实施例示出微型发光二极管结构的部分剖面图；

图2是根据本公开一实施例示出微型发光二极管结构的部分上视图；

图3是根据本公开另一实施例示出微型发光二极管结构的部分剖面图；

图4是根据本公开另一实施例示出微型发光二极管结构的部分剖面图；

图5是根据本公开另一实施例示出微型发光二极管结构的部分剖面图；

图6是根据本公开一实施例示出微型发光二极管显示面板的部分上视图；

图7是根据本公开一实施例示出微型发光二极管显示面板的部分剖面图。

附图标记说明

1:微型发光二极管显示面板

3:驱动基板

3a:显示区

3e1,3e2:电路接垫

3n:非显示区

5:扫描驱动电路

7:数据驱动电路

100,100b,100g,100r,102,104,106:微型发光二极管结构

10:第一型半导体层

10b:背面

10e:图案化出光面

20,20b,20g,20r:发光层

30:第二型半导体层

30t:表面

40:图案化电极层

41:图案化电极区段

43:导电膜

50,50’:反射层

50t:顶表面

50t’:图案化顶表面

61,61’:第一型电极

61h,61h’:贯孔

61hb:底部

63:第二型电极

63h:贯孔

63hb:底部

d:高度

i:排列间距

p:像素

p1,p2,p3:子像素

s:底面宽度

具体实施方式

以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本案的不同特征。以下的公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。例如，若是本公开实施例叙述了一第一特征部件形成于一第二特征部件之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征部件与上述第二特征部件是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征部件形成于上述第一特征部件与上述第二特征部件之间，而使上述第一特征部件与第二特征部件可能未直接接触的实施例。

应理解的是，额外的操作步骤可实施于所述方法之前、之间或之后，且在所述方法的其他实施例中，部分的操作步骤可被取代或省略。

此外，其中可能用到与空间相关用词，例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“在…上方”、“上方”、“较高的”及类似的用词，这些空间相关用词是为了便于描述图示中一个(些)组件或特征部件与另一个(些)组件或特征部件之间的关系，这些空间相关用词包括使用中或操作中的装置的不同方位，以及附图中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，则其中所使用的空间相关形容词也将依转向后的方位来解释。

在说明书中，“约”、“大约”、“大抵”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，或10％之内，或5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大抵”的含义。

除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇公开所属的技术人员所通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本公开实施例有特别定义。

以下所公开的不同实施例可能重复使用相同的参考符号和/或标记。这些重复是为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例和/或结构之间有特定的关系。

图1是根据本公开一实施例示出微型发光二极管结构100的部分剖面图，图2是根据本公开一实施例示出微型发光二极管结构100的部分上视图。举例来说，图1可为沿着图2中的剖面线a-a’所切的剖面图，但本公开实施例并非以此为限。要注意的是，为了更清楚显示本公开实施例的技术特征，图1与图2中可能省略微型发光二极管结构100的部分部件。

参照图1，在一些实施例中，微型发光二极管结构100包含一第一型半导体层10、一发光层20及一第二型半导体层30，发光层20设置于第一型半导体层10之上，而第二型半导体层30设置于发光层20之上。在一些实施例中，第一型半导体层10具有一第一导电类型(例如，n型)，且第二型半导体层30具有与第一导电类型相反的一第二导电类型(例如，p型)。

在一些实施例中，第一型半导体层10、发光层20及第二型半导体层30可视为微型发光二极管结构100的一磊晶层。亦即，第一型半导体层10、发光层20及第二型半导体层30可通过磊晶成长制程形成于一基板之上。举例来说，磊晶成长制程可包含金属有机化学气相沉积(metalorganicchemicalvapordeposition,mocvd)、氢化物气相磊晶法(hydridevaporphaseepitaxy,hvpe)、分子束磊晶法(molecularbeamepitaxy,mbe)、其他适用的方法或其组合，但本公开实施例并非以此为限。

前述基板可包含半导体基板。举例来说，基板可包含硅、硅锗、氮化镓、砷化镓、其他适用的半导体材料或其组合。基板也可为半导体位于绝缘体之上的基板，例如绝缘层上的硅(silicononinsulator,soi)基板。或者，基板可为玻璃基板或陶瓷基板。举例来说，基板可包含碳化硅(siliconcarbide,sic)、氮化铝(aluminumnitride,aln)、玻璃或蓝宝石(sapphire)，但本公开实施例并非此为限。

在一些实施例中，第一型半导体层10的掺杂为n型。举例来说，第一型半导体层10可包含ⅱ-ⅵ族材料(例如，硒化锌(znse))或ⅲ-ⅴ氮族化合物材料(例如，氮化镓(gan)、氮化铝(aln)、氮化铟(inn)、氮化铟镓(ingan)、氮化铝镓(algan)或氮化铝铟镓(alingan))，且第一型半导体层10可包含硅(si)或锗(ge)等掺杂物，但本公开实施例并非以此为限。在本公开的实施例中，第一型半导体层10可以是单层或多层结构。

在一些实施例中，发光层20包含至少一无掺杂(undoped)半导体层或是至少一低掺杂层。举例来说，发光层20可包含一量子井(quantumwell,qw)层，量子井可包含氮化铟镓(indiumgalliumnitride,inxga1-xn)或氮化镓(galliumnitride,gan)，但本公开实施例并非以此为限。在一些实施例中，发光层20包含一多重量子井(multiplequantumwell,mqw)。

在一些实施例中，第二型半导体层30的掺杂为p型。举例来说，第二型半导体层30可包含ⅱ-ⅵ族材料(例如，硒化锌(znse))或ⅲ-ⅴ氮族化合物材料(例如，氮化镓(gan)、氮化铝(aln)、氮化铟(inn)、氮化铟镓(ingan)、氮化铝镓(algan)或氮化铝铟镓(alingan))，且第二型半导体层30可包含镁(mg)、碳(c)等掺杂物，但本公开实施例并非以此为限。在本公开的实施例中，第二型半导体层30可以是单层或多层结构。

如图1所示，第一型半导体层10具有一图案化出光面10e及与图案化出光面10e相对的一背面10b。在一些实施例中，发光层20设置于第一型半导体层10的背面10b之上。图案化出光面10e可例如通过一表面粗化制程所形成，但本公开实施例并非以此为限。图案化出光面10e可进一步提升微型发光二极管结构100的整体发光效率。

参照图1，在一些实施例中，微型发光二极管结构100包含一图案化电极层40，图案化电极层40设置于磊晶层之上。更详细而言，图案化电极层40可设置于第二型半导体层30之上，并与第二型半导体层30直接接触。图案化电极层40可包含透明导电材料。举例来说，透明导电材料可包含氧化铟锡(indiumtinoxide,ito)、氧化锡(tinoxide,to)、氧化铟锌(indiumzincoxide,izo)、氧化铟镓锌(indiumgalliumzincoxide,igzo)、氧化铟锡锌(indiumzinctinoxide,itzo)、氧化锑锡(antimonytinoxide,ato)、氧化锑锌(antimonyzincoxide,azo)，但本公开实施例并非以此为限。

图案化电极层40可通过一沉积制程与一图案化制程形成于第二型半导体层30之上。沉积制程可包含化学气相沉积(chemicalvapordeposition,cvd)、原子层沉积(atomiclayerdeposition,ald)、其他适用的方法或其组合，但本公开实施例并非以此为限。此外，可在前述透明导电材料之上设置屏蔽层(未示出)，接着使用此屏蔽层作为蚀刻屏蔽进行蚀刻制程，以完成图案化制程。

举例而言，屏蔽层可以包含光阻，例如正型光阻(positivephotoresist)或负型光阻(negativephotoresist)。屏蔽层可包含硬屏蔽，且可由氧化硅(sio2)、氮化硅(sin)、氮氧化硅(sion)、碳化硅(sic)、氮碳化硅(sicn)、类似的材料或前述的组合形成，但本公开实施例并非以此为限。屏蔽层可以是单层或多层结构。屏蔽层的形成可以包含沉积制程、光微影制程、其他适当的制程或前述的组合。沉积制程例如包含旋转涂布(spin-oncoating)、化学气相沉积、原子层沉积、类似的制程或前述的组合。光微影制程可以包含光阻涂布(例如旋转涂布)、软烘烤(softbaking)、光罩对准(maskaligning)、曝光(exposure)、曝光后烘烤(post-exposurebaking,peb)、显影(developing)、清洗(rinsing)、干燥(例如硬烘烤)、其他合适的制程或前述的组合。

前述蚀刻制程可包含干式蚀刻制程、湿式蚀刻制程或前述的组合。举例来说，干式蚀刻制程可以包含反应性离子蚀刻(reactiveionetch,rie)、感应耦合式电浆(inductively-coupledplasma,icp)蚀刻、中子束蚀刻(neutralbeametch,nbe)、电子回旋共振式(electroncyclotronresonance,erc)蚀刻、类似的蚀刻制程或前述的组合。举例来说，湿式蚀刻制程可使用例如氢氟酸(hydrofluoricacid,hf)、氢氧化铵(ammoniumhydroxide,nh4oh)或任何合适的蚀刻剂。

如图1与图2所示，在一些实施例中，图案化电极层40被区分为多个图案化电极区段41，图案化电极区段41彼此分离。图案化电极层40的多个图案化电极区段41可呈现一规则的周期排列(例如，数组排列)并形成于磊晶层之上，但本公开实施例并非以此为限。

在图1所示的实施例中，图案化电极区段41可形成为一锥体(在剖面图中呈现为三角形)，但本公开实施例并非以此为限。举例来说，图案化电极区段41也可形成为一圆柱体(在剖面图中呈现为矩形)、一条状柱等，可依实际需求调整。

如图1所示，在一些实施例中，每个图案化电极区段41的高度d介于约0.01μm至约2μm。在一些实施例中，每个图案化电极区段41的底面宽度s介于约0.5μm至约5μm。此外，在一些实施例中，如图1所示，图案化电极区段41的排列间距i为恒定的(constant)(即多个图案化电极区段41呈现一规则的周期排列)，且排列间距i介于约0.5μm至约20μm。在此，排列间距i定义为相邻的两个图案化电极区段41的中心轴的距离。在一些其他的实施例中，图案化电极区段41的排列间距i为可变的(variable)。

图案化电极层40的多个图案化电极区段41可降低色散，因此可通过调整图案化电极区段的尺寸(例如，高度d、宽度s等)或图案化电极区段41的排列间距i，使微型发光二极管结构100的整体发光效率进一步提升。在一些实施例中，每个图案化电极区段41的尺寸小于图案化出光面10e的每个图案的尺寸。

举例来说，当发光层20发出红光时，每个图案化电极区段41的高度d可介于约0.48μm至约1.2μm，每个图案化电极区段41的底面宽度s可介于约0.6μm至约1.2μm，而图案化电极区段41的排列间距i可介于约0.5μm至约20μm；当发光层20发出蓝光时，每个图案化电极区段41的高度d可介于约0.35μm至约1μm，每个图案化电极区段41的底面宽度s可介于约0.5μm至约1μm，而图案化电极区段41的排列间距i可介于约0.5μm至约20μm；当发光层20发出绿光时，每个图案化电极区段41的高度d可介于约0.4μm至约1μm，每个图案化电极区段41的底面宽度s可介于约0.55μm至约1μm，而图案化电极区段41的排列间距i可介于约0.5μm至约20μm，但本公开实施例并非以此为限。

参照图1，在一些实施例中，微型发光二极管结构100包含一反射层50，反射层50设置于图案化电极层40之上。换言之，反射层50设置于磊晶层(例如，第二型半导体层30)之上，而图案化电极层40设置于磊晶层与反射层50之间。在一些实施例中，反射层50包含一分布式布拉格反射器(distributedbraggreflector,dbr)。在一些实施例中，反射层50是由多层折射率不同的绝缘材料所堆栈而成。如图1所示，反射层50形成于发光层20与第二型半导体层30之上并覆盖发光层20与第二型半导体层30的(部分)表面30t与侧表面。更详细而言，发光层20与第二型半导体层30的所有侧表面如图1所示皆被反射层50所保护，因而可减少漏电途径并提高发光效率。

举例来说，当发光层20所发出的光经过反射层50中不同折射率的薄膜时，由于各层反射回来的光因相位角的改变而进行相长干涉(constructiveinterference)，然后互相结合在一起，得到强烈反射光，使反射光通过第一型半导体层10的图案化出光面10e射出，进而增加微型发光二极管结构100的发光效率。反射层50可通过一沉积制程形成于图案化电极层40之上，但本公开实施例并非以此为限。沉积制程与图案化制程的范例如前所述，在此不多加赘述。

反射层50可具有平坦的顶表面50t，但本公开实施例并非以此为限。在此，如图1所示，顶表面50t位于反射层50与图案化电极层40(图案化电极区段41)的接触表面相对侧的表面。

参照图1，微型发光二极管结构100包含一第一型电极61与一第二型电极63，第一型电极61与第二型电极63设置于反射层50之上并与磊晶层电性连接。具体而言，如图1所示，第二型半导体层30、图案化电极层40、至少部分反射层50、至少部分第一型电极61与第二型电极63位于发光层20的同一侧，而第一型半导体层10位于发光层20的另一侧。

第一型电极61与第二型电极63可包含导电材料，例如金属、金属硅化物、类似的材料或前述的组合。举例来说，金属可包含金(au)、镍(ni)、铂(pt)、钯(pd)、铱(ir)、钛(ti)、铬(cr)、钨(w)、铝(al)、铜(cu)、类似的材料、前述的合金或前述的组合，但本公开实施例并非以此为限。第一型电极61与第二型电极63可通过物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积、蒸镀(evaporation)、溅镀(sputtering)、类似的制程或前述的组合所形成，但本公开实施例并非以此为限。

在一些实施例中，第一型电极61与第一型半导体层10电性连接，而第二型电极63与第二型半导体层30电性连接。具体而言，如图1与图2所示，在一些实施例中，微型发光二极管结构100具有一贯孔61h，贯孔61h贯穿反射层50、第二型半导体层60与发光层20并裸露第一型半导体层10的一部分，且第一型电极61设置于贯孔61h中并与第一型半导体层10直接接触，藉此使第一型电极61与第一型半导体层10电性连接。亦即，贯孔61h的底部61hb可位于第一型半导体层20的内部或背面10b。

如图1与图2所示，在一些实施例中，微型发光二极管结构100也具有一贯孔63h，贯孔63h贯穿反射层50并裸露图案化电极层40的一部分(即一些图案化电极区段41)与第二型半导体层30的一部分，且第二型电极63设置于贯孔63h中并与图案化电极层40裸露的部分直接接触，藉此使第二型电极63与第二型半导体层30电性连接。亦即，贯孔63h的底部63hb可位于第二型半导体层30的表面30t并与部分图案化电极区段41直接接触。

如图2所示，在一些实施例中，在微型发光二极管结构100的一上视图中，图案化电极层40的多个图案化电极区段41形成为一数组(array)，且图案化电极区段41彼此分离。亦即，图案化电极层40可形成为非连续的电极。这些非连续的电极可使电流受到局限，藉此控制第二型电极63与第二型半导体层30之间的电流密度。

在一些实施例中，贯孔63h中图案化电极层40的部分与第二型半导体层30的接触面积与贯孔63h的底面积(即，贯孔63h的底部63hb的面积)的比例介于约0.5％至约85％。在一些实施例中，此比例介于约40％至约60％。若图案化电极层40的部分与第二型半导体层30的接触面积过小，会造成电流拥挤的问题，也容易使得微型发光二极管结构过热；若接触面积过大会达不到局限电流的功效，而让微型发光二极管结构的发光效率无法进一步地提高。

图3是根据本公开另一实施例示出微型发光二极管结构102的部分剖面图，图4是根据本公开另一实施例示出微型发光二极管结构104的部分剖面图，图5是根据本公开另一实施例示出微型发光二极管结构106的部分剖面图。类似地，为了更清楚显示本公开实施例的技术特征，图3与图5中可能省略微型发光二极管结构102、微型发光二极管结构104或微型发光二极管结构106的部分部件。

参照图3，在一些实施例中，微型发光二极管结构102进一步包含一导电膜43，导电膜43设置于磊晶层(例如，第二型半导体层30)与图案化电极层40之间且导电膜43整层平铺于磊晶层(第一型半导体层10、发光层20及第二型半导体层30)之上。具体而言，导电膜43可设置于第二型半导体层30之上，并位于图案化电极层40的多个图案化电极区段41的底部，但本公开实施例并非以此为限。

在一些实施例中，导电膜43的材料与图案化电极层40的材料相同或类似。举例来说，导电膜43可包含透明导电材料。透明导电材料的范例如前所述，在此不多加赘述。此外，导电膜43可通过一沉积制程形成于第二型半导体层30之上。沉积制程的范例如前所述，在此不多加赘述。在一些实施例中，导电膜43与图案化电极层40可通过相同的制程(例如，沉积制程与图案化制程)同时形成，但本公开实施例并非以此为限。

在前述的实施例中，反射层50具有平坦的顶表面50t，但本公开实施例并非以此为限。参照图4，在一些实施例中，微型发光二极管结构104的反射层50’具有一图案化顶表面50t’。在此，如图4所示，图案化顶表面50t’位于反射层50’与图案化电极层40(图案化电极区段41)的接触表面相对侧的表面。类似地，图案化顶表面50t’可通过一图案化制程或一表面粗化制程所形成，但本公开实施例并非以此为限。通过反射层50’的图案化顶表面50t’的反射能力，可进一步提升微型发光二极管结构104的整体发光效率。

参照图5，在一些实施例中，微型发光二极管结构106的反射层50’延伸至第一型半导体层10之上。此外，贯孔61h’只须贯穿反射层50’即可裸露第一型半导体层10的一部分。在一些实施例中，第一型电极61’设置于反射层50’的顶表面50t’之上，第一型电极61’也延伸并覆盖于反射层50’的一侧面50s之上，且延伸至贯孔61h’中并与第一型半导体层10直接接触，藉此使第一型电极61’与第一型半导体层10电性连接。

图6是根据本公开一实施例示出微型发光二极管显示面板1的部分上视图。图7是根据本公开一实施例示出微型发光二极管显示面板1的部分剖面图。举例来说，图7可为沿着图6中的剖面线b-b’所切的剖面图，但本公开实施例并非以此为限。要注意的是，为了更清楚显示本公开实施例的技术特征，图6与图7中可能省略微型发光二极管显示面板1的部分部件。

参照图6，微型发光二极管显示面板1包含一驱动基板3与多个像素p。驱动基板3具有显示区3a与非显示区3n，而多个像素p设置于显示区3a中并排列为一数组。在一些实施例中，如图6所示，每个像素p包含三个子像素(例如，子像素p1、子像素p2及子像素p3)，但本公开实施例并非以此为限。在一些其他的实施例中，每个像素p包含超过三个子像素，可依实际需求调整。

如图6所示，微型发光二极管显示面板1包含扫描驱动电路5及数据驱动电路7，扫描驱动电路5及数据驱动电路7设置于非显示区3n中。参照图6与图7，微型发光二极管显示面板1包含像素电路，像素电路在每个子像素中形成多个电路接垫3e1与电路接垫3e2。参照图7，微型发光二极管显示面板1包含多个微型发光二极管显示结构，微型发光二极管显示结构设置于像素p中并与驱动基板3接合，使扫描驱动电路5及数据驱动电路7可通过像素电路(电路接垫3e1与电路接垫3e2)与微型发光二极管显示结构电性连接。

在一些实施例中，如图6与图7所示，微型发光二极管显示结构100r设置于像素p的子像素p1中，并通过将电路接垫3e1与微型发光二极管显示结构100r的第一型电极61接合，将电路接垫3e2与微型发光二极管显示结构100r的第二型电极62接合，使微型发光二极管显示结构100r接合于驱动基板3之上。举例来说，微型发光二极管显示结构100r的发光层20r可发出红光。换言之，微型发光二极管显示结构100r可为一微型红光二极管，但本公开实施例并非以此为限。

类似地，在一些实施例中，如图6与图7所示，微型发光二极管显示结构100g设置于像素p的子像素p2中，微型发光二极管显示结构100b设置于像素p的子像素p3中。可通过电路接垫3e1与电路接垫3e2将微型发光二极管显示结构100g与微型发光二极管显示结构100b分别接合于驱动基板3之上。举例来说，微型发光二极管显示结构100g的发光层20g可发出绿光，而微型发光二极管显示结构100b的发光层20b可发出蓝光。换言之，微型发光二极管显示结构100g可为一微型绿光二极管，而微型发光二极管显示结构100b可为一微型蓝光二极管，但本公开实施例并非以此为限。

如图7所示，每个像素p可具有分别发出红色光、绿色光及蓝色光的微型发光二极管显示结构100r(对应于子像素p1)、微型发光二极管显示结构100g(对应于子像素p2)及微型发光二极管显示结构100b(对应于子像素p3)。这些微型发光二极管显示结构覆晶接合于像素电路的多个电路接垫3e1与电路接垫3e2之上。

在一些实施例中，微型发光二极管显示结构100r、微型发光二极管显示结构100g及微型发光二极管显示结构100b具有类似于图1所示的微型发光二极管结构100的结构，但本公开实施例并非以此为限。在一些其他的实施例中，微型发光二极管显示结构100r、微型发光二极管显示结构100g及微型发光二极管显示结构100b具有类似于图3所示的微型发光二极管结构102、图4所示的微型发光二极管结构104或图5所示的微型发光二极管结构106的结构。

此外，微型发光二极管显示结构的第一型半导体层10的图案化出光面10e可视为微型发光二极管显示面板1的显示面。因此，本公开实施例的微型发光二极管显示面板1相较于传统的显示面板可具有更高的亮度、更高的发光效率，特别适合应用于户外显示设备或透明显示设备中。

承上述说明，本公开实施例的微型发光二极管结构的图案化电极层被区分为多个图案化电极区段，且这些图案化电极区段彼此分离。在一些实施例中，可通过调整图案化电极区段的尺寸(高度、宽度等)或相邻两个图案化电极区段的距离，使微型发光二极管结构的整体发光效率进一步提升。此外，使用本公开实施例的微型发光二极管结构的微型发光二极管显示面板可具有更高的亮度与更高的发光效率。

以上概述数个实施例的部件，以便在本公开所属技术领域中技术人员可以更理解本公开实施例的观点。在本公开所属技术领域中技术人员应该理解，他们能以本公开实施例为基础，设计或修改其他制程和结构以达到与在此介绍的实施例相同的目的和/或优势。在本公开所属技术领域中技术人员也应该理解到，此类等效的结构并无悖离本公开的精神与范围，且他们能在不违背本公开的精神和范围之下，做各式各样的改变、取代和替换。因此，本公开的保护范围当视权利要求所界定的为准。另外，虽然本公开已以数个较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本公开。

整份说明书对特征、优点或类似语言的引用，并非意味可以利用本公开实现的所有特征和优点应该或者可以在本公开的任何单个实施例中实现。相对地，涉及特征和优点的语言被理解为其意味着结合实施例描述的特定特征、优点或特性包括在本公开的至少一个实施例中。因而，在整份说明书中对特征和优点以及类似语言的讨论可以但不一定代表相同的实施例。

再者，在一个或多个实施例中，可以任何合适的方式组合本公开的所描述的特征、优点和特性。根据本文的描述，相关领域的技术人员将意识到，可在没有特定实施例的一个或多个特定特征或优点的情况下实现本公开。在其他情况下，在某些实施例中可识别附加的特征和优点，这些特征和优点可能不存在于本公开的所有实施例中。