1.一种深紫外探测器，其特征在于，包括：衬底、设置于所述衬底上的多晶氮化铝薄膜层、设置于所述多晶氮化铝薄膜层上的电极层。
2.根据权利要求1所述的深紫外探测器，其特征在于，所述多晶氮化铝薄膜层为c轴取向的多晶氮化铝；所述深紫外探测器的光响应截止边在200～250nm，所述深紫外探测器的响应速度为10～100μs。
3.根据权利要求1所述的深紫外探测器，其特征在于，所述衬底的材料为蓝宝石、表面覆盖二氧化硅层的硅片或者玻璃。
4.根据权利要求1所述的深紫外探测器，其特征在于，所述多晶氮化铝薄膜层的厚度为100～500nm，吸收截止边为190～230nm。
5.根据权利要求1所述深紫外探测器，其特征在于，所述电极层为不连续电极层，厚度为30～100nm。
6.根据权利要求5所述的深紫外探测器，其特征在于，所述不连续电极层为叉指电极、嵌套的环形电极或并列的方形电极。
7.根据权利要求6所述深紫外探测器，其特征在于，所述叉指电极的材料为金，所述叉指电极的叉指间距为10μm，叉指宽度为10μm，叉指对数为25对，叉指长度为500μm。
8.根据权利要求1～7任一项所述的深紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
s1、对所述衬底进行清洗、吹干；
s2、以铝源、氮气气体源，在分子束外延生长室中生长多晶氮化铝薄膜；
s3、在所述多晶氮化铝薄膜的表面制备所述电极层；
s4、在所述电极层上按压铟粒。
9.根据权利要求8所述的深紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述铝源的纯度为5n5～8n5，氮气气体流速为0.5～5sccm；氮气的射频功率为100～400w；电子束源炉电流为160～200ma；电子束源炉电压为4～6kv；生长温度为500～1000℃；生长的真空度为1×10-6～3×10-6torr。
10.根据权利要求8所述的深紫外探测器的制备方法，其特征在于，在生长多晶氮化铝薄膜结束后，降温速率为1～15℃/min。
11.根据权利要求8所述的深紫外探测器的制备方法，其特征在于，在步骤s3中，使用蒸镀后刻蚀的方法制备所述电极层，蒸镀的电流为10～140ma，蒸镀的电极原料为5～500mg。
12.根据权利要求11所述的深紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述刻蚀的方法为先经光刻后再进行湿法刻蚀。