技术特征：
1.一种基于多层凹嵌式基板的多器件封装单体化结构，其特征在于，包括：多层基板、多层基板信号线、多层基板接地线、底层电极、接地电极；其中，所述多层基板的下表面具有凹嵌空间，所述凹嵌空间内放置至少一颗芯片和至少一个有源或无源器件，所述芯片和器件通过焊接层材料焊接在多层基板的凹嵌空间内层基板衬底上；所述器件的第一电极通过所述多层基板信号线与底层电极连接，所述器件的第二电极通过芯片电极引线连接所述芯片；所述芯片通过芯片电极引线分别连接所述器件的第二电极和连接电极，并通过所述连接电极连接所述多层基板接地线。2.根据权利要求1所述的一种基于多层凹嵌式基板的多器件封装单体化结构，其特征在于：所述芯片为裸芯片。3.根据权利要求2所述的一种基于多层凹嵌式基板的多器件封装单体化结构，其特征在于：所述凹嵌空间内进一步填充有封装树脂，以覆盖所述裸芯片。4.根据权利要求3所述的一种基于多层凹嵌式基板的多器件封装单体化结构，其特征在于：所述封装树脂不超过所述多层基板的下表面水平线。5.根据权利要求1所述的一种基于多层凹嵌式基板的多器件封装单体化结构，其特征在于：所述芯片为封装芯片，所述芯片电极引线替换为芯片管脚，所述封装芯片通过芯片管脚焊接固定到所述器件的第二电极和连接电极。6.根据权利要求1所述的一种基于多层凹嵌式基板的多器件封装单体化结构，其特征在于：所述无源器件包括以下中的至少一种：表贴电容、电感、电阻、晶体振荡器、敏感材料器件、厚膜、薄膜。7.根据权利要求5所述的一种基于多层凹嵌式基板的多器件封装单体化结构，其特征在于：在所述凹嵌空间的顶部涂敷有一层保护胶。8.根据权利要求1所述的一种基于多层凹嵌式基板的多器件封装单体化结构，其特征在于：所述多层基板信号线通过对应的层间连线孔连接底层电极，多层基板接地线通过对应的层间连线孔连接接地电极。
技术总结
本发明涉及一种基于多层凹嵌式基板的多器件封装单体化结构，包括：多层基板、多层基板信号线、多层基板接地线、底层电极、接地电极；其中，所述多层基板的下表面具有凹嵌空间，所述凹嵌空间内放置至少一颗芯片和至少一个有源或无源器件，所述芯片和器件通过焊接层材料焊接在多层基板的凹嵌空间内层基板衬底上；所述器件的第一电极通过所述多层基板信号线与底层电极连接，所述器件的第二电极通过芯片电极引线连接所述芯片；所述芯片通过芯片电极引线分别连接所述器件的第二电极和连接电极，并通过所述连接电极连接所述多层基板接地线。该结构有以下特点：多层PCB板不易发生翘曲剥离现象；避免了高昂的SiP模具加工费用和新结构的加工周期；成本低。成本低。成本低。
技术研发人员：ꢀ(74)专利代理机构
受保护的技术使用者：北京七芯中创科技有限公司
技术研发日：2021.05.13
技术公布日：2021/9/21