技术特征：
1.一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法，包括以下步骤，其特征在于：s1.在使用时将原料放至在衬底架(1)上，在第一次外延生长时，通过升高外部温度使得原料的温度升高；s2.升高的温度经判断杆(41)传导至导热球(42)内，随后再经由导热球(42)散发至传动腔(43)内，此时传动腔(43)内的温度上升压强增大，而导动塞(44)与传动腔(43)的内壁紧密贴合，故而此时的导动塞(44)会受到一个向下的推力，这个推力经导动塞(44)作用在复位弹簧(46)上，并最终拉伸复位弹簧(46)使其发生形变后推动加压杆(45)运动，加压杆(45)在运动的过程中会同时拉动推拉杆(47)；s3.推拉杆(47)运动从而对连接块(61)施加一个作用力，从而使得连接块(61)有一个在限位滑杆(63)上滑动的趋势，此时启动放温机构(3)与调温机构(6)的外部电源，这时推拉杆(47)所施加的力会拉动连接块(61)使其拉伸缓冲弹簧(62)发生形变后在限位滑杆(63)上滑动，在连接块(61)滑动的过程中其会同时带动调节拨片(64)在电阻片(65)上滑动；s4.由于调节拨片(64)、电阻片(65)、电热丝(31)、电性块(32)为串联，在调节拨片(64)滑动后电阻片(65)在电路内的阻值发生改变，从而使得施加在电热丝(31)上的电压大小发生改变，进而改变电热丝(31)的发热量，这时电热丝(31)散发的热量会经过安装座(33)传导至衬底架(1)，并最终传导至原料；s5.在判断机构(4)的作用下，电热丝(31)所散发的热量始终保持一个动态平衡，即原料温度降低时电热丝(31)所散发的热量升高，反之原料温度升高时电热丝(31)所散发的热量降低，从而确保原料所受到的热量均匀；s6.在对第一次外延生长后的原料进行制备光栅时，光栅所使用的腐蚀液会滴落在衬底架(1)上，此时腐蚀液的温度会降低衬底架(1)的温度，进而使得传动腔(43)内的温度降低压强减少，从而此时的复位弹簧(46)便会开始复位；s7.复位后的复位弹簧(46)拉动加压杆(45)向着靠近传动腔(43)的方向运动，从而带动挤压块(51)同步运动，这时挤压块(51)施加在负压囊(52)上的压力同步减小，从而负压囊(52)开始回弹，其内部空间逐渐增大形成负压，这个负压经由换气槽(53)传导至回收槽(54)内，再经由回收槽(54)作用在衬底架(1)上，最终作用在腐蚀液上，从而减少腐蚀液停留在原料上的时间，避免腐蚀液对原料进行蚀刻。2.一种如权利要求1所述的激光器芯片的化合物外延生长的制造装置，其特征在于：包括调温机构(6)、回收机构(5)，所述调温机构(6)包括连接块(61)，所述连接块(61)内部活动连接有限位滑杆(63)，所述连接块(61)远离限位滑杆(63)的一侧活动连接有缓冲弹簧(62)，所述连接块(61)左侧固定连接有调节拨片(64)，所述调节拨片(64)远离连接块(61)的一端活动连接有电阻片(65)，所述电阻片(65)外部固定连接有紧固架(66)。3.根据权利要求2所述的一种激光器芯片的化合物外延生长的制造装置，其特征在于：所述回收机构(5)包括挤压块(51)，所述挤压块(51)底部活动连接有负压囊(52)，所述负压囊(52)靠近连接块(61)的一侧活动连接有换气槽(53)，所述换气槽(53)远离负压囊(52)的一端活动连接有回收槽(54)。4.根据权利要求2所述的一种激光器芯片的化合物外延生长的制造装置，其特征在于：所述回收机构(5)顶部活动连接有判断机构(4)，所述判断机构(4)顶部活动连接有放温机
构(3)，所述放温机构(3)顶部活动连接有衬底架(1)，所述衬底架(1)底部靠近判断机构(4)的一侧固定连接有支撑座(2)，所述判断机构(4)远离支撑座(2)的一侧与调温机构(6)活动连接。5.根据权利要求4所述的一种激光器芯片的化合物外延生长的制造装置，其特征在于：所述放温机构(3)包括电热丝(31)，所述电热丝(31)左右两侧均活动连接有电性块(32)，所述电性块(32)外部活动连接有安装座(33)。6.根据权利要求4所述的一种激光器芯片的化合物外延生长的制造装置，其特征在于：所述判断机构(4)包括判断杆(41)，所述判断杆(41)底部活动连接有导热球(42)，所述导热球(42)外部活动连接有传动腔(43)，所述传动腔(43)底部活动连接有导动塞(44)，所述导动塞(44)底部活动连接有加压杆(45)，所述加压杆(45)左右两侧均活动连接有复位弹簧(46)，所述加压杆(45)外部活动连接有推拉杆(47)，所述推拉杆(47)远离加压杆(45)的一端与连接块(61)活动连接。7.根据权利要求2所述的一种激光器芯片的化合物外延生长的制造装置，其特征在于：所述电热丝(31)通过电性块(32)、内部线路与外部电源、调节拨片(64)、电阻片(65)形成闭合回路。
技术总结
本发明涉及芯片制造技术领域，且公开了一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法，包括调温机构、回收机构，所述调温机构包括连接块，所述连接块内部活动连接有限位滑杆，所述连接块远离限位滑杆的一侧活动连接有缓冲弹簧，所述连接块左侧固定连接有调节拨片，所述调节拨片远离连接块的一端活动连接有电阻片，所述电阻片外部固定连接有紧固架，通过温度经判断杆传导至传动腔内，从而拉动连接块在限位滑杆上滑动，在连接块滑动的过程中其会同时带动调节拨片在电阻片上滑动，使得施加在电热丝上的电压大小发生改变，如此便达到了在第一次外延生长时自动平衡原理温度防止出现导热不均匀致使质量问题的效果。均匀致使质量问题的效果。均匀致使质量问题的效果。
技术研发人员：郑君雄 郑世进 崔雨舟 王青
受保护的技术使用者：深圳市中科光芯半导体科技有限公司
技术研发日：2021.06.03
技术公布日：2021/9/9