显示面板的制作方法及显示面板与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板的制作方法及显示面板。


背景技术：

2.随着显示技术的发展，微纳米(micro/nano)发光二极管(light emitting diode，led)得到了越来越广泛的应用。micro/nano
‑
led由于像素点距离减小至微米甚至纳米量级，集合了高分辨率、低功耗、高亮度、高色彩饱和度等优点，可视为超越液晶显示和有机发光二极管的最新一代显示技术。
3.在制作micro/nano
‑
led显示面板时，需要通过巨量转移技术将大量为尺寸的micro/nano
‑
led晶粒转移置阵列基板上。然而，现有的巨量转移技术难度较大且可靠性低，导致micro/nano
‑
led显示面板的制作工艺复杂，成本较高。


技术实现要素：

4.本技术提供一种显示面板的制作方法及显示面板，旨在解决现有的micro/nano
‑
led显示面板的制作工艺复杂，制作成本较高的问题。
5.第一方面，本技术提供一种显示面板的制作方法，包括如下步骤：
6.提供一阵列基板，所述阵列基板包括像素电极层，所述像素电极层包括沿所述阵列基板的侧面分布的多个像素电极，所述像素电极包括阴极和阳极；
7.将含有多个发光二极管的光刻胶涂布在所述像素电极层上，使至少部分所述发光二极管沉积在所述像素电极上，所述发光二极管包括正极和负极；
8.将所述像素电极上的发光二极管进行固定，并使所述像素电极的阳极与其上的发光二极管的正极电连接，所述像素电极的阴极与其上的发光二极管的负极电连接；
9.去除所述光刻胶。
10.可选的，所述将所述像素电极上的发光二极管进行固定，并使所述像素电极的阳极与其上的发光二极管的正极电连接，所述像素电极的阴极与其上的发光二极管的负极电连接的步骤中，包括：
11.对所述光刻胶对应所述像素电极的位置进行曝光显影以形成暴露区域，所述暴露区域暴露至少部分所述像素电极及所述像素电极上的发光二极管的至少一部分；
12.对所述暴露区域作镀膜处理，以在所述像素电极和所述发光二极管上形成镀膜层，将所述像素电极上的发光二极管进行固定，以使所述像素电极的阳极与其上的发光二极管的正极电连接，所述像素电极的阴极与其上的发光二极管的负极电连接。
13.可选的，所述对所述光刻胶对应所述像素电极的位置进行曝光显影以形成暴露区域，所述暴露区域暴露至少部分所述像素电极及所述像素电极上的发光二极管的至少一部分的步骤包括：
14.对所述光刻胶对应所述像素电极的阳极和阴极的位置进行曝光显影以形成暴露区域，所述暴露区域暴露所述像素电极的阳极与其上的发光二极管的正极，以及所述像素
电极的阴极与其上的发光二极管的负极。
15.可选的，所述发光二极管的表面涂布有绝缘层；所述镀膜层的材料为导电材料。
16.可选的，所述将含有多个发光二极管的光刻胶涂布在所述像素电极层上，使至少部分所述发光二极管沉积在所述像素电极上的步骤中，包括：
17.将含有多个发光二极管的光刻胶涂布在所述像素电极层上；
18.对位于所述光刻胶内的发光二极管作配向处理，使至少部分发光二极管沉积在所述像素电极上，且所述像素电极的阳极与其上的发光二极管的正极位置对应，所述像素电极的阴极与其上的发光二极管的负极位置对应。
19.可选的，所述对位于所述光刻胶内的发光二极管作配向处理，使至少部分发光二极管沉积在所述像素电极上，且所述像素电极的阳极与其上的发光二极管的正极位置对应，所述像素电极的阴极与其上的发光二极管的负极位置对应的步骤中，包括：
20.对所述光刻胶施加配向电场，通过所述配向电场对所述发光二极管施加电场力以调整所述发光二极管的正极与负极的朝向，使至少部分发光二极管沉积在所述像素电极上，且所述像素电极的阳极与其上的发光二极管的正极位置对应，所述像素电极的阴极与其上的发光二极管的负极位置对应。
21.可选的，所述对位于所述光刻胶内的发光二极管作配向处理，使至少部分发光二极管沉积在所述像素电极上，且所述像素电极的阳极与其上的发光二极管的正极位置对应，所述像素电极的阴极与其上的发光二极管的负极位置对应的步骤中，包括：
22.对所述光刻胶施加配向磁场，通过所述配向磁场对所述发光二极管施加磁场力以调整所述发光二极管的正极与负极的朝向，使至少部分发光二极管沉积在所述像素电极上，且所述像素电极的阳极与其上的发光二极管的正极位置对应，所述像素电极的阴极与其上的发光二极管的负极位置对应。
23.可选的，所述对位于所述光刻胶内的发光二极管作配向处理，使至少部分发光二极管沉积在所述像素电极上，且所述像素电极的阳极与其上的发光二极管的正极位置对应，所述像素电极的阴极与其上的发光二极管的负极位置对应的步骤中，包括：
24.对所述光刻胶照射偏振光，所述偏振光形成电场，通过所述电场对所述发光二极管施加电场力以调整所述发光二极管的正极与负极的朝向，使至少部分发光二极管沉积在所述像素电极上，且所述像素电极的阳极与其上的发光二极管的正极位置对应，所述像素电极的阴极与其上的发光二极管的负极位置对应。
25.可选的，所述显示面板包括薄膜晶体管层和隔堤层，所述隔堤层设置在所述薄膜晶体管层和所述像素电极层上，所述隔堤层对应所述像素电极的位置设有开口；所述将所述光刻胶涂布在所述像素电极层上，使至少部分发光二极管沉积在像素电极上，包括：
26.将所述光刻胶涂布在所述像素电极层和所述隔堤层上，使与所述开口处的发光二极管沉积在所述开口对应的像素电极上。
27.可选的，在所述去除所述光刻胶的步骤之后，包括：
28.在所述像素电极层和所述隔堤层上制作平坦化层；
29.在所述平坦化层上制作色彩转换层；
30.在所述色彩转换层上制作封装层。
31.第二方面，本技术提供一种显示面板，所述显示面板通过本技术实施方案中所述
的方法制成。
32.本技术提供的显示面板的制作方法包括如下步骤，首先提供一阵列基板，阵列基板包括像素电极层，像素电极层包括沿阵列基板的侧面分布的多个像素电极，像素电极包括阴极和阳极；然后将含有多个发光二极管的光刻胶涂布在像素电极层上，使至少部分发光二极管沉积在像素电极上，发光二极管包括正极和负极；接着将像素电极上的发光二极管进行固定，并使像素电极的阳极与其上的发光二极管的正极电连接，像素电极的阴极与其上的发光二极管的负极电连接；最后将光刻胶去除。通过将多个小尺寸的发光二极管散布在光刻胶中，然后将光刻胶涂布在阵列基板上，以实现将多个发光二极管转移至阵列基板。由此简化了显示面板的制作工艺，降低了制作成本。
附图说明
33.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
34.图1为本技术第一实施例中显示面板的制作方法流程示意图；
35.图2为图1中步骤s2的流程示意图；
36.图3为图1中步骤s3的流程示意图；
37.图4为本技术第二实施例中显示面板的制作方法流程示意图；
38.图5为光刻胶中混入发光二极管的示意图；
39.图6为本技术实施例中阵列基板的结构示意图；
40.图7为将光刻胶涂布在像素电极层上后阵列基板的结构示意图；
41.图8为对发光二极管进行配向和沉积后阵列基板的结构示意图；
42.图9为对光刻胶进行曝光显影后阵列基板的结构示意图；
43.图10为对暴露区域进行镀膜处理后阵列基板的结构示意图；
44.图11为去除光刻胶后阵列基板的结构示意图；
45.图12为在像素电极层上制作平坦化层后阵列基板的结构示意图；
46.图13为在平坦化层上制作色彩转换层和封装层后所形成的显示面板的结构示意图。
47.48.具体实施方式
49.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
50.本技术实施例提供一种显示面板的制作方法及显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
51.首先，本技术提供一种显示面板1的制作方法，如图1所示，包括如下步骤：
52.s1、提供一阵列基板10，所述阵列基板10包括像素电极层11，所述像素电极层11包括沿所述阵列基板10的侧面分布的多个像素电极111，所述像素电极111包括阴极111b和阳极111a；
53.s2、将含有多个发光二极管121的光刻胶12涂布在所述像素电极层11上，使至少部分所述发光二极管121沉积在所述像素电极111上，所述发光二极管121包括正极121a和负极121b；
54.s3、将所述像素电极111上的发光二极管121进行固定，并使所述像素电极111的阳极111a与其上的发光二极管121的正极121a电连接，所述像素电极111的阴极111b与其上的发光二极管121的负极121b电连接；
55.s4、去除所述光刻胶12。
56.首先提供一阵列基板10。如图6所示，阵列基板10包括衬底基板，设置在衬底基板上的薄膜晶体管层14，以及设置在薄膜晶体管层14带上的像素电极层11。衬底基板的材料通常为玻璃，像素电极层11包括多个研阵列基板10的侧面分布的像素电极111，薄膜晶体管层14中包括源漏极以及与源漏极同层设置的数据线，像素电极111与源楼极和数据线电连接。
57.如图5所示，将多个micro/nano发光二极管121分散到光刻胶12中，即将多个micro/nano发光二极管121混入光刻胶12中。在本技术的实施例中，光刻胶12中发光二极管121的浓度为500至10000个每纳升。需要说明的是，光刻胶12中发光二极管121的浓度可以根据实际情况确定，此处不作限定。
58.之后，结合图6和图7，将混有发光二极管121的光刻胶12涂布在阵列基板10的像素电极层11上。对光刻胶12作干燥处理，去除部分溶剂，以使光刻胶12中的至少部分发光二极管121沉积在阵列基板10的像素电极111上。发光二极管121包括正极121a和负极121b，像素电极111包括阴极111b和阳极111a。
59.在光刻胶12中的至少部分发光二极管121沉积在阵列基板10的像素电极111上后，对像素电极111之上的发光二极管121进行固定，并使像素电极111的阳极111a与其上的发光二极管121的正极121a电连接，像素电极111的阴极111b与其上的发光二极管121的负极121b电连接。以实现发光二极管121与像素电极层11的电连接，像素电极层11驱动发光二级光发光。
60.需要说明的是，将发光二极管121固定在像素电极111上可以通过多种方式实现。例如在像素电极111上涂布一层导电胶，在发光二极管121沉积在像素电极111上后，发光二极管121和像素电极111固定。发光二极管121和像素电极111的固定方式可以根据实际情况进行确定。
61.最后，如图11所示，去除光刻胶12，即对阵列基板10上的光刻胶12进行剥离。光刻胶12中未被固定在像素电极111上的发光二极管121随着被去除的光刻胶12一起被带离阵列基板10。
62.通过将多个小尺寸的发光二极管121散布在光刻胶12中，然后将光刻胶12涂布在阵列基板10上以实现将多个发光二极管121转移至阵列基板10，和传统的固晶机转移方法以及激光转移方法相比较为容易且成本较低。由此简化了显示面板1的制作工艺，降低了制作成本。另外此方法对于发光二极管121的尺寸没有严格的限制，具有较好的泛用性。
63.在本技术的一些实施例中，如图3所示，步骤s3中包括如下步骤：
64.s31、对所述光刻胶12对应所述像素电极111的位置进行曝光显影以形成暴露区域130，所述暴露区域130暴露至少部分所述像素电极111及所述像素电极111上的发光二极管121的至少一部分；
65.s32、对所述暴露区域130作镀膜处理，以在所述像素电极111和所述发光二极管121上形成镀膜层13，将所述像素电极111上的发光二极管121进行固定，以使所述像素电极111的阳极111a与其上的发光二极管121的正极121a电连接，所述像素电极111的阴极111b与其上的发光二极管121的负极121b电连接。
66.结合图8和图9，在光刻胶12中的至少部分发光二极管121沉积在阵列基板10的像素电极111上后，对光刻胶12进行曝光显影，将部分光刻胶12刻蚀以形成暴露区域130。暴露
区域130使部分像素电极111和像素电极111上的发光二极管121的至少一部分暴露。
67.如图10所示，形成暴露区域130后，对其进行镀膜处理，以形成镀膜层13，镀膜层13分别与发光二极管121和像素电极111连接，以将发光二极管121固定在像素电极111上。需要说明的是，在将发光二极管121固定在像素电极111上时，需要使像素电极111的阳极111a与其上的发光二极管121的正极121a电连接，并使像素电极111的阴极111b与其上的发光二极管121的负极121b电连接，以保证发光二极管121的导通。
68.形成镀膜层13的可以采用真空蒸镀工艺，也可以采用溅射工艺等。镀膜层13的材料可以是金属材料，也可以是氧化铟锡(indium tin oxide，ito)材料，具体可以根据实际情况进行确定，此处不作限定。通过对暴露区域130进行镀膜处理，形成镀膜层13以将发光二极管121固定在像素电极111上，可以使发光二极管121固定的更加牢固，避免后续去除光刻胶12时将固定在像素电极111上的发光二极管121剥离。
69.可以理解的是，在对光刻胶12进行曝光显影以形成暴露区域130时，可以使部分像素电极111暴露，也就可以使像素电极111的阴极111b和阳极111a全部暴露。同样，可使发光二极管121的正极121a和负极121b其中之一暴露，也可以使发光二极管121的正极121a和负极121b同时暴露。优选的，在本技术的一些实施例中，步骤s31中还包括如下步骤：
70.s31a、对所述光刻胶12对应所述像素电极111的阳极111a和阴极111b的位置进行曝光显影以形成暴露区域130，所述暴露区域130暴露所述像素电极111的阳极111a与其上的发光二极管121的正极121a，以及所述像素电极111的阴极111b与其上的发光二极管121的负极121b。
71.在对光刻胶12进行曝光显影时，将光刻胶12上对应像素电极111的阳极111a和阴极111b，以及对应发光二极管121的正极121a和负极121b的部分全部刻蚀去除，以将像素电极111的阳极111a和阴极111b，发光二极管121的正极121a和负极121b全部暴露。因此，在对暴露区域130镀膜形成镀膜层13时，可以在像素电极111的阳极111a和阴极111b处均形成镀膜层13，即镀膜层13同时将发光二极管121固定在像素电极111的阳极111a和阴极111b上，以使发光二极管121能被固定的更加牢固。
72.如图1所示，在本技术的一些实施例中，发光二极管121的表面涂布有绝缘层122。由此可以避免光刻胶12中搞得多个发光二极管121堆叠时互相导通，降低了发光二极管121发生损坏的风险。发光二极管121表面的绝缘层122可以通过沉积的方式形成，具体可根据实际情况进行确定。
73.当发光二极管121的表面涂布了绝缘层122后，在对光刻胶12进行曝光显影时以去除光刻胶12时，需要同时对发光二极管121表面的绝缘层122进行刻蚀，以使发光二极管121上的正极121a和负极121b露出。
74.需要说明的是，当发光二极管121的表面未涂布有绝缘层122时，发光二极管121沉积在像素电极111上，即可实现发光二极管121与像素电极111的导通。在对光刻胶12进行曝光显影时以去除光刻胶12时，无需蚀刻绝缘层122以使发光二极管121上的正极121a和负极121b露出。
75.在本技术的一些实施例中，如图2所示，步骤s2中还包括：
76.s21、将含有多个发光二极管121的光刻胶12涂布在所述像素电极层11上；
77.s22、对位于所述光刻胶12内的发光二极管121作配向处理，使至少部分发光二极
管121沉积在所述像素电极111上，且所述像素电极111的阳极111a与其上的发光二极管121的正极121a位置对应，所述像素电极111的阴极111b与其上的发光二极管121的负极121b位置对应。
78.在将混合有发光二极管121的光刻胶12涂布在像素电极层11上后，对光刻胶12内的发光二极管121作配向处理，即使发光二极管121的正极121a与像素电极111的阳极111a位置对应，使发光二极管121的负极121b与像素电极111的阴极111b位置对应。
79.因此，对发光二极管作配向处理后，能使大部分的发光二极管121与像素电极111的位置对准，避免了发光二极管121与像素电极111的阴极111b或阳极111a没有对应时发光二极管121失效，提高了发光二极管121的利用率。对发光二极管121做配向处理可以通过多种方式实现，例如通过电场配向，或者通过磁场配向，或者通过偏振光进行配向，具体可以根据实际情况进行确定。
80.需要说明的是，将含有多个发光二极管121的光刻胶12涂布在像素电极层11上后，也可以不对发光二极管121作配向处理。若不作配向处理，则发光二极管121中正极121a和负极121b的朝向随机分布。当发光二极管121的正极121a与像素电极111的阳极111a位置对应，发光二极管121的负极121b与像素电极111的阴极111b位置对应时，像素电极111上的发光二极管121才会导通发光，发光二极管121的利用率较低。
81.在本技术的一些实施例中，在步骤s22中，还包括如下步骤：
82.s22a、对所述光刻胶12施加配向电场e，通过所述配向电场e对所述发光二极管121施加电场力以调整所述发光二极管121的正极121a与负极121b的朝向，使至少部分发光二极管121沉积在所述像素电极111上，且所述像素电极111的阳极111a与其上的发光二极管121的正极121a位置对应，所述像素电极111的阴极111b与其上的发光二极管121的负极121b位置对应。
83.如图8所示，在阵列基板10上涂布光刻胶12后，对光刻胶12施加一配向电场e。配向电场e可通过在光刻胶12的两侧分别设置高电势和低电势的电极板产生，配向电场e产生的电场线如图8中所示。在电场力的作用下，发光二极管121的正极121a和负极121b发生偏转，发光二极管121的正极121a与负极121b的朝向产生变化，直至发光二极管121的正极121a与像素电极111的阳极111a相对应，发光二极管121的负极121b与像素电极111的阴极111b相对应。
84.在本技术的一些实施例中，在步骤s22中，还包括如下步骤：
85.s22b、对所述光刻胶12照射偏振光，所述偏振光形成电场，通过所述电场对所述发光二极管121施加电场力以调整所述发光二极管121的正极121a与负极121b的朝向，使至少部分发光二极管121沉积在所述像素电极111上，且所述像素电极111的阳极111a与其上的发光二极管121的正极121a位置对应，所述像素电极111的阴极111b与其上的发光二极管121的负极121b位置对应。
86.由于偏振光可以产生特定方向的电场，因此，对光刻胶12照射能产生如图7中所示电场的偏振光，可以使发光二极管121的正极121a和负极121b在电场力的作用下发生偏转，发光二极管121的正极121a与负极121b的朝向发生变化，直至发光二极管121的正极121a与像素电极111的阳极111a相对应，发光二极管121的负极121b与像素电极111的阴极111b相对应。由此，使光刻胶12中的多个发光二极管121完成配向。
87.在本技术的一些实施例中，在步骤s22中，还包括如下步骤：
88.s22c、对所述光刻胶12施加配向磁场，通过所述配向磁场对所述发光二极管121施加磁场力以调整所述发光二极管121的正极121a与负极121b的朝向，使至少部分发光二极管121沉积在所述像素电极111上，且所述像素电极111的阳极111a与其上的发光二极管121的正极121a位置对应，所述像素电极111的阴极111b与其上的发光二极管121的负极121b位置对应。
89.结合图5和图8，为了提高发光二极管121与像素电极111之间的导电性，在制作发光二极管121时可以在其之上制作金属电极124。在对光刻胶12中的多个发光二极管121进行配向时，可以对光刻胶12施加配向磁场。发光二极管121上的金属电极124在磁场力的作用下发生运动，发光二极管121的正极121a与负极121b的朝向发生变化。
90.当发光二极管121的正极121a与像素电极111的阳极111a相对应，发光二极管121的负极121b与像素电极111的阴极111b相对应时，消除配向磁场。由此实现了发光二极管121的配向。可以理解的是，发光二极管121上金属电极124的位置和配向磁场的方向可以根据实际情况进行调整，此处不作限定。
91.在本技术的一些实施例中，在步骤s2中，包括如下步骤：
92.s2a、将所述光刻胶12涂布在所述像素电极层11和所述隔堤层15上，使与所述开口150处的发光二极管121沉积在所述开口150对应的像素电极111上。
93.如图6所示，在本技术的一些实施例中，显示面板1包括薄膜晶体管层14和隔堤层15，隔堤层15设置在薄膜晶体管层14和像素电极层11上，隔堤层15对应像素电极111的位置设有开口150。
94.结合图6、图7和图8，通过在薄膜晶体管层14和像素电极层11上设置隔堤层15，相邻的两个隔堤层15之间形成一个开口150，开口150与像素电极111的位置对应。因此，在将光刻胶12中的多个发光二极管121沉积在像素电极111上时，能使部分发光二极管121落入开口150内与像素电极111对应，发光二极管121的正极121a和负极121b更容易对准像素电极111的阳极111a和阴极111b，方便了后续对发光二极管121进行配向。另外，在去除光刻胶12时，落在隔堤上的部分发光二极管121也更容易被剥离。
95.在本技术的实施例中，如图4所示，在步骤s4后，还包括如下步骤：
96.s5、在所述像素电极层11和所述隔堤层15上制作平坦化层16；
97.s6、在所述平坦化层16上制作色彩转换层17；
98.s7、在所述色彩转换层17上制作封装层18。
99.结合图11和图12，在将多个发光二极管121固定在阵列基板10的像素电极111上，并去除光刻胶12以剥离剩余的发光二极管121后，在像素电极层11和隔堤层15上制作平坦化层16。平坦化层16的作用主要是使平坦化层16以上的各层平坦度一致，在后续对显示面板1进行色偏校正时会更加容易。平坦化层16的材料通常为聚酰亚胺(pi)，可通过涂布方式形成，其厚度可以根据实际情况进行确定。
100.结合图12和图13，制作平坦化层16之后，在其之上制作色彩转换层17，以将发光二极管121发出的光转换为红色、绿色、或者蓝色，以使显示面板1能通过红、绿、蓝三原色像素显示出不同的色彩。色彩转换层17中可采用量子点色彩转换膜171，发光二极管121发出的光经过量子点色彩转换膜171的吸收、色转换与散射，转换成不同颜色的光。
101.如图13所示，色彩转换层17的制作可以通过先在平坦化层16上制作转换层隔堤172，然后再相邻两个转换层隔堤172之间注入量子点材料以形成色彩转换膜171。可以理解的是，色彩转换层17中也可以采用不同颜色的吸收式滤光片，以实现光线色彩的转换。
102.制作色彩转换层17之后，在其之上制作封装层18以形成显示面板1。封装层18可以隔绝外部水汽或灰尘，保护显示面板1的内部部件。封装层18可采用具有良好绝缘性能以及刚度的无机材料，具体可根据实际情况进行确定。
103.另外，本技术实施例还提供一种显示面板，显示面板通过本技术实施例中的制作方法制成。
104.以上对本技术提供的一种显示面板的制作方法及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例的技术方案的范围。