一种高频电子变压器的制作方法

文档序号:28364500发布日期:2022-01-05 12:58阅读:183来源:国知局
一种高频电子变压器的制作方法

1.本实用新型属于变压器领域,特别涉及一种高频电子变压器。


背景技术:

2.随着全球对能源问题的重视,电子产品的耗能问题将愈来愈突出,如何降低其待机功耗,提高供电效率成为一个急待解决的问题。传统的线性稳压电源虽然电路结构简单、工作可靠,但它存在着效率低、体积大、铜铁消耗量大,工作温度高及调整范围小等缺点。为了提高效率,人们研制出了高频开关式稳压电源,它的效率可达85%以上,稳压范围宽,稳压精度高。
3.高频开关式稳压电源已广泛应用于各种电子设备中,开关电源是通过电路控制开关管进行高速的导通与截止,将直流电转化为高频率的交流电提供给高频电子变压器进行变压,从而产生所需要的一组或多组电压。因为高频开关电源中高频变压器传输的是高频脉冲方波信号,在传输的瞬变过程中,传统结构高频电子变压器中的分布参数过高,如漏感和分布电容会引起浪涌电流和尖峰电压,造成电路损耗及开关器件应力增加。所以低漏感,合理的分布电容及高密度功率容量是现高频电子变压器的优化方向。


技术实现要素:

4.发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本实用新型提供一种高频电子变压器,其能够降低泄露电感,提高能量传输率。
5.技术方案:为实现上述目的,本实用新型的技术方案如下:
6.一种高频电子变压器,包括变压器骨架、磁芯、初级绕组一、初级绕组二、次级绝缘线绕组、绝缘层一和绝缘层二,两个所述磁芯对应于磁孔对称设置在变压器骨架的两端,所述变压器骨架的绕轴上绕设有初级绕组一,所述初级绕组一的外侧绕设有绝缘层一,所述绝缘层一的外侧绕制有次级绝缘线绕组,所述次级绝缘线绕组的外侧设有绝缘层二,所述绝缘层二的外侧绕制有初级绕组二,所述初级绕组一与初级绕组二串联设置。
7.进一步的,所述变压器骨架的绕线线槽两端分别设置有端空距离控制层一,所述初级绕组一绕制在两个所述端空距离控制层一之间,所述端空距离控制层一上包含有沿绕线线槽轴向延伸的过线槽,所述初级绕组一的线束两端分别设置在过线槽内。
8.进一步的,所述端空距离控制层一的厚度等于初级绕组一的绕制厚度,所述端空距离控制层一为绝缘带,且绝缘带的两端间隙设置并构成过线槽。
9.进一步的,所述次级绝缘线绕组的绕制幅宽大于初级绕组一的绕制幅宽。
10.进一步的,所述变压器骨架的pin针在针座上呈非等间距设置,任意相邻的两个所述pin针呈a间距或b间距排列设置。
11.进一步的,所述变压器骨架的两组针座上位于两列pin针之间分别设置有隔离挡板。
12.进一步的,所述变压器骨架上绕组的最外侧设置有磁场屏蔽层。
13.有益效果:本实用新型的初级绕组一与初级绕组二串联连接,从而形成三明治绕法,能够有效提高变压器初级绕组与其它绕组组间的耦合系数,降低泄露电感,提高能量传输率。本实用新型还采用磁芯窗口高度增加的方案,磁芯窗口总面积增加,总体磁芯中柱的截面积增加,变压器功率密度乘积值增加,从而变压器功率容量增加。同时,绕线幅宽增加后,各绕组轴向绕制距离增加,组间耦合面积增大,耦合性提高,漏感减小,功率传输率高。
附图说明
14.附图1为本实用新型的变压器骨架示意图;
15.附图2为本实用新型的整体结构爆炸示意图;
16.附图3为本实用新型的变压器整体结构立体示意图;
17.附图4为本实用新型的变压器骨架立体示意图;
18.附图5为本实用新型的变压器整体轴向半剖示意图。
具体实施方式
19.下面结合附图对本实用新型作更进一步的说明。
20.如附图1和附图2所示,一种高频电子变压器,包括变压器骨架1、磁芯2、初级绕组一4、初级绕组二15、次级绝缘线绕组12、绝缘层一5和绝缘层二13,所述绝缘层一5、绝缘层二13均为组间绝缘胶带,且为pet薄膜材料,两个所述磁芯2对应于磁孔对称设置在变压器骨架1的两端,所述磁芯为高频铁氧体磁芯,所述变压器骨架1的绕轴上绕设有初级绕组一4,所述初级绕组一4的外侧绕设有绝缘层一5,所述绝缘层一5的外侧绕制有次级绝缘线绕组12,所述次级绝缘线绕组12即为次级绕组,所述次级绝缘线绕组12的外侧设有绝缘层二13,所述绝缘层二13的外侧绕制有初级绕组二15,所述初级绕组一4与初级绕组二15串联设置。本实用新型的初级绕组一4与初级绕组二15串联连接,从而形成“三明治”绕法,能够有效提高变压器初级绕组与其它绕组组间的耦合系数,降低泄露电感,提高能量传输率。
21.本实用新型还采用磁芯窗口高度增加的方案,增加变压器骨架绕线轴的轴向长度,磁芯窗口总面积aw增加,总体磁芯中柱的截面积ae增加,变压器功率密度乘积ap值增加,从而变压器功率容量增加。
22.同时,绕线幅宽增加后,各绕组轴向绕制距离增加,组间耦合面积增大,耦合性提高,漏感减小,功率传输率高。
23.所述变压器骨架1的绕线线槽两端分别设置有端空距离控制层一3,所述初级绕组一4绕制在两个所述端空距离控制层一3之间,所述端空距离控制层一3上包含有沿绕线线槽轴向延伸的过线槽20,所述初级绕组一4的线束两端分别设置在过线槽内,以便初级绕组一的两端线端能够通过过线槽20从变压器骨架的线槽端面引出,以便于连接初级绕组二15,能够保证初级绕组一的绕面等厚。
24.所述端空距离控制层一3的厚度等于初级绕组一4的绕制厚度,所述端空距离控制层一3为绝缘带,且绝缘带的两端绕制在变压器骨架的绕制上时,其首、尾不相连,间隙设置并构成过线槽20。
25.所述次级绝缘线绕组12的绕制幅宽大于初级绕组一4的绕制幅宽,绕线幅宽增加后,组间耦合面积增大,耦合性提高,漏感减小,功率传输率高。
26.所述初级绕组二的两端设置有端空距离控制层三14,用于对初级绕组二的绕制宽度进行限定,所述端空距离控制层一、端空距离控制层二和端空距离控制层三均为无纺布,端空距离控制层三14上也包含有过线槽,以用于容纳初级绕组二的两个线端。
27.所述次级绝缘线绕组12采用三层绝缘线材,将次级绝缘线绕组12按间隔绕制方式,均匀分布于所述变压器骨架1的线槽内,因三层绝缘线外部自带三层有效绝缘层,从而可以覆盖于整个线槽内。所述次级绝缘线绕组12的外侧还设有外部绝缘胶带16,所述初级绕组二15的外侧或外部绝缘胶带的外侧设置有磁场屏蔽层17,即所述变压器骨架上绕组的最外侧设置有磁场屏蔽层,变压器外部整体采用磁屏蔽技术,以减小高频变压器本体泄露磁场对相邻电磁器件的干扰,提高电源整体emc能力。
28.如附图3所示,所述变压器骨架1的pin针18在针座上呈非等间距设置,任意相邻的两个所述pin针18呈a间距或b间距排列设置。pin针引脚采用非对称式分布式结构设计,此防错设计方案可以避免产品安装过程中的引脚位插制错误,避免出现炸机现象。
29.所述变压器骨架1的两组针座上位于两列pin针之间分别设置有隔离挡板19,以增加导体部分与磁性体之间的安规爬电距离,满足高压情况下的加强绝缘要求。
30.如附图4所示,所述变压器骨架1的绕轴上的两端还设置有增强筋21,变压器骨架绕线线槽上下部位与骨架上端及下端部位联结处,采用增强筋结构设计,从而提高骨架整体联结部分强度,可以大幅度降低骨架在运输及绕制过程中出现的破损现象。
31.本实用新型的具体实施步骤方式:
32.将变压器骨架1的pin针脚朝外,插入绕线模具,绕线机逆时针转动,绕线方向呈顺时针方向转动;
33.将端空距离控制层一3包制于所述变压器骨架1线槽内上、下端两侧位置,包制2圈,所述端空距离控制层一的带体首、尾不接,与初级绕组一4高度保持一致;
34.将初级绕组一4首层紧密绕制于所述端空距离控制层一3所限制空间内,再将初级绕组一4第二层均匀间隔绕于首层上部,以保持与后续线圈较好的耦合面积;
35.将绝缘层一5,整体缠绕于所述端空距离控制层一3和初级绕组一4的外部,共紧密包制3层,以满足ul安规要求的穿透距离;
36.再将芯片供电绕组7、信号反馈绕组10缠绕于骨架上,芯片供电绕组7与信号反馈绕组10之间包制有绝缘层,信号反馈绕组10外部包制绝缘胶带11,在芯片供电绕组7、信号反馈绕组10距离骨架绕线轴两端均包含端部距离控制层四6;
37.将次级绝缘线绕组12按间隔绕制方式缠绕于绝缘胶带11外侧,均匀分布于所述变压器骨架1的线槽内,因三层绝缘线材自带三层有效绝缘层,从而可以覆盖于整个线槽内,然后包制绝缘层二13于外层;
38.将端空距离控制层三14包制于所述变压器骨架1线槽内上,下端两侧位置,包制1圈,所述端空距离控制层三的带体首、尾不接,与初级绕组二15绕组高度保持一致,将初级绕组二紧密绕制于端空距离控制层三14所限定空间内;
39.初级绕组一4与初级绕组二15串联连结,从而形成三明治绕法,能够有效提高变压器初级绕组与其它绕组组间的耦合系数,降低泄露电感,提高能量传输率;
40.将磁芯2分上、下侧装入所述线架1内部中孔,从而构成闭合磁路,进行有效的能量转换和传递;
41.将磁场屏蔽层17包制于所述磁芯2整体外围侧,形成闭合环路,从而将变压器泄露磁场有效限制于屏蔽空间内,有效降低变压器本身对外围器件及电路的emi干扰。
42.以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
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