一种有机薄膜晶体管结构的制作方法

1.本实用新型涉及晶体管技术领域，具体为一种有机薄膜晶体管结构。


背景技术：

2.有机薄膜晶体管具有工艺简单、成本低及柔韧性良好等优点，在平板显示领域应用前景广阔。
3.但传统的有机薄膜晶体管制程中，导体化处理时栅极直接暴露在外面，影响薄膜晶体管的电特性、容易氧化以及不能很好的将有源层很好的封装。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种有机薄膜晶体管结构，具备电气性能优良、绝缘性能较好以及防氧化的效果，解决了薄膜晶体管制程中，导体化处理时栅极直接暴露在外面，影响薄膜晶体管的电特性、容易氧化以及不能很好的将有源层很好的封装的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种有机薄膜晶体管结构，包括晶体管本体，所述晶体管本体包括基层，所述基层的上表面设置有有源层，所述有源层的两端设置有源极和漏极，所述有源层的上表面设置有有机绝缘层，所述有机绝缘层的上表面设置有栅极层，所述源极和漏极的表面与有源层的表面接触，所述有源层为有机半导体材料。
6.可选的，所述基层包括基板，所述基板的上表面涂覆有遮光膜，所述遮光膜的上表面沉积有缓冲层。
7.可选的，所述栅极层包括通过真空蒸镀技术在所述有机绝缘层上沉积的第一金属层和通过磁控溅射技术在所述第一金属层上沉积的第二金属层，以及通过磁控溅射技术在所述第二金属层上沉积的氧化阻隔层。
8.可选的，所述基层的上表面设置有两个隔离墙，所述源极和所述漏极分别覆盖在两个所述隔离墙的表面。
9.可选的，所述遮光膜为导电材料。
10.可选的，所述第一金属层为金属铝，所述第二金属层为金属铝，所述氧化阻隔层为氧化铟锡。
11.与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：
12.一、本实用新型为保证有机半导体有源层各项性能的稳定性不受其他制备工艺的影响，通过真空蒸镀技术在有机绝缘层上沉积第一金属层，通过磁控溅射技术在第一金属层上沉积第二金属层，通过磁控溅射技术在第二金属层上沉积氧化阻隔层，第一金属层和第二金属层均为铝，通过磁控溅射技术形成铝层，铝层厚度可控性更好，铝层更致密，均匀性更好，可提高有机薄膜晶体管的相关电学性能，但是磁控溅射制备铝层过程中产生的离子会损伤有源层及绝缘层，但通过真空蒸镀技术先将铝加热蒸发至绝缘层上凝结形成铝层，再通过磁控溅射技术再沉积铝层，可有效减小制备过程中离子对有机有源层及有机绝
缘层的损伤；最后的溅射氧化阻隔层可以有效保护铝层，使铝层不会被氧化。
13.二、本实用新型通过在基板的表面涂覆遮光膜，将遮光膜图案化形成遮光层，遮光层可以对穿过基板的紫外光进行遮挡，从而使得穿过基板的紫外光无法穿过，在遮光层的上方沉积缓冲层，缓冲层可通过提高缓冲层及有源层的接触面的光线反射率来降低薄膜晶体管的光漏电流。
14.三、本实用新型通过设置隔离墙，能够有效地降低并隔离外部显示器相邻像素单元之间的电极的相互影响，提高显示器的显示效果。
附图说明
15.图1为本实用新型结构的轴测图；
16.图2为本实用新型结构的主视剖视图；
17.图3为本实用新型基板、遮光膜和缓冲层结构的正视剖视图；
18.图4为本实用新型第一金属层、第二金属层和氧化阻隔层结构的正视剖视图。
19.图中：1、本体；2、基层；3、源极；4、漏极；5、有源层；6、有机绝缘层；7、栅极层；8、隔离墙；21、基板；22、遮光膜；23、缓冲层；71、第一金属层；72、第二金属层；73、氧化阻隔层。
具体实施方式
20.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
21.请参阅图1至图4，本实用新型提供一种技术方案：一种有机薄膜晶体管结构，包括晶体管本体1，晶体管本体1包括基层2，基层2的上表面设置有有源层5，有源层5的两端设置有源极3和漏极4，有源层5的上表面设置有有机绝缘层6，有机绝缘层6的上表面设置有栅极层7，源极3和漏极4的表面与有源层5的表面接触，有源层5为有机半导体材料，为保证有机半导体有源层5各项性能的稳定性不受其他制备工艺的影响，通过栅极层7可以提高有机薄膜晶体管的相关电学性能，并且有效减小制备过程中离子对有机有源层5及有机绝缘层6的损伤，通过基层2使得外部紫外光无法穿过。
22.为了使得晶体管电器性能更好，进一步的，基层2包括基板21，基板21的上表面涂覆有遮光膜22，遮光膜22的上表面沉积有缓冲层23，通过在基板21的表面涂覆遮光膜22，将遮光膜22图案化形成遮光层，遮光层可以对穿过基板21的紫外光进行遮挡，从而使得穿过基板21的紫外光无法穿过，在遮光层的上方沉积缓冲层23，缓冲层23可通过提高缓冲层23及有源层5的接触面的光线反射率来降低薄膜晶体管的光漏电流。
23.提高有机薄膜晶体管的相关电学性能，进一步的，栅极层7包括通过真空蒸镀技术在有机绝缘层6上沉积的第一金属层71和通过磁控溅射技术在第一金属层71上沉积的第二金属层72，以及通过磁控溅射技术在第二金属层上沉积的氧化阻隔层73，通过真空蒸镀技术在有机绝缘层6上沉积第一金属层71，通过磁控溅射技术在第一金属层71上沉积第二金属层72，通过磁控溅射技术在第二金属层72上沉积氧化阻隔层73。
24.为了提高外界显示器的显示效果，进一步的，基层2的上表面设置有两个隔离墙8，
源极3和漏极4分别覆盖在两个隔离墙8的表面，通过设置隔离墙8，能够有效地降低并隔离外部显示器相邻像素单元之间的电极的相互影响，提高显示器的显示效果。
25.为了提高薄膜晶体管的电学稳定性，进一步的，遮光膜22为导电材料。
26.进一步的，第一金属层71为金属铝，第二金属层72为金属铝，氧化阻隔层73为氧化铟锡，第一金属层71和第二金属层72均为铝，通过磁控溅射技术形成铝层，铝层厚度可控性更好，铝层更致密，均匀性更好，可提高有机薄膜晶体管的相关电学性能，但是磁控溅射制备铝层过程中产生的离子会损伤有源层及绝缘层，但通过真空蒸镀技术先将铝加热蒸发至绝缘层上凝结形成铝层，再通过磁控溅射技术再沉积铝层，可有效减小制备过程中离子对有机有源层5及有机绝缘层6的损伤；最后的溅射氧化阻隔层73可以有效保护铝层，使铝层不会被氧化。
27.工作原理：该有机薄膜晶体管结构使用时，为保证有机半导体有源层5各项性能的稳定性不受其他制备工艺的影响，通过真空蒸镀技术在有机绝缘层6上沉积第一金属层71，通过磁控溅射技术在第一金属层71上沉积第二金属层72，通过磁控溅射技术在第二金属层72上沉积氧化阻隔层73，第一金属层71和第二金属层72均为铝，通过磁控溅射技术形成铝层，铝层厚度可控性更好，铝层更致密，均匀性更好，可提高有机薄膜晶体管的相关电学性能，但是磁控溅射制备铝层过程中产生的离子会损伤有源层及绝缘层，但通过真空蒸镀技术先将铝加热蒸发至绝缘层上凝结形成铝层，再通过磁控溅射技术再沉积铝层，可有效减小制备过程中离子对有机有源层5及有机绝缘层6的损伤；最后的溅射氧化阻隔层73可以有效保护铝层，使铝层不会被氧化；
28.通过在基板21的表面涂覆遮光膜22，将遮光膜22图案化形成遮光层，遮光层可以对穿过基板21的紫外光进行遮挡，从而使得穿过基板21的紫外光无法穿过，在遮光层的上方沉积缓冲层23，缓冲层23可通过提高缓冲层23及有源层5的接触面的光线反射率来降低薄膜晶体管的光漏电流；
29.通过设置隔离墙8，能够有效地降低并隔离外部显示器相邻像素单元之间的电极的相互影响，提高显示器的显示效果。
30.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。