技术特征：
1.一种用于借助半导体盘(10)中的贯通开口(22)进行贯通接触的方法，所述方法至少包括以下步骤：-提供半导体盘(10)，所述半导体盘(10)具有上侧(10.1)、下侧(10.2)，其中，所述半导体盘(10)具有多个太阳能电池堆叠(12)且在所述下侧处包括衬底(14)，并且每个太阳能电池堆叠(12)具有至少两个iii-v族子电池(18，20)和至少一个贯通开口(22)，所述至少两个iii-v族子电池(18，20)布置在所述衬底(14)上，所述至少一个贯通开口(22)从所述半导体盘(10)的上侧(10.1)延伸至所述半导体盘(10)的下侧(10.2)且具有连续侧壁(22.1)，其中，所述贯通开口在所述上侧(10.1)处具有第一边缘区域(11.1)并且在所述下侧(10.2)处具有第二边缘区域(11.2)；-借助第一印刷方法将绝缘层(24)施加到所述第一边缘区域(11.1)的一部分、所述侧壁(22.1)的一部分上并且施加到所述第二边缘区域(11.2)上；-借助第二印刷方法将导电层(32)施加到所述上侧(10.1)上的绝缘层(24)和所述第一边缘区域(11.1)的一部分上、施加到所述侧壁(22.1)处的绝缘层(24)上并且施加到所述下侧(10.2)处的绝缘层(24)的一部分上。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用膏以构造所述绝缘层(24)，并且所述膏包括有机成分。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，使用包含金属颗粒的膏来构造所述导电层(32)。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，仅从正侧或仅从背侧执行所述第一印刷方法和/或所述第二印刷方法。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在构造所述绝缘层(24)之后，所述贯通开口(22)仍然具有贯通的孔。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在构造所述导电层(32)之后，所述贯通开口部分地或完全地封闭，或者所述贯通开口仍然具有贯通的孔。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，与所述第二边缘区域(11.2)相比，所述第一边缘区域(11.1)具有不同的、尤其是更小的直径。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一边缘区域(11.1)和所述第二边缘区域(11.2)分别构造为完全环绕所述贯通开口(22)的边缘区域，并且相应的边缘区域(11.1，11.2)平行于所述半导体盘(10)地具有至少10μm且最高3.0mm的直径，或者相应的边缘区域平行于所述半导体盘(10)地具有至少100μm且最高1.0mm的直径。9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，借助喷墨方法或借助丝网印刷方法或借助分配方法或借助模板印刷方法来执行所述印刷方法。10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体盘(10)的贯通开口(22)具有最高500μm且至少30μm的总高度(h1)或者具有最高200μm且至少50μm的总高度(h1)。11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体盘(10)的贯通开口(22)具有横截面为椭圆形的外周、尤其是圆形的外周。12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在应用所述第一印刷方法之前，所述贯通开口(22)具有在25μm与1mm之间的直径或者典型地50μm至300μm之间的直径。
13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述贯通开口(22)的直径在所述衬底(14)中从所述上侧(10.1)朝所述下侧(10.2)的方向近似相等或恰好相等。14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底(14)构造为导电的，并且所述衬底包括锗或gaas或硅，或者所述衬底由上述材料中的一种材料组成，或者所述衬底(14)包括金属箔或导电塑料，或所述衬底(14)由金属箔或导电塑料组成。15.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述太阳能电池堆叠具有ge子电池(16)。16.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，将所述绝缘层在所述上侧(10.1)上的一部分构造在金属面上。
技术总结
一种用于借助半导体盘中的贯通开口进行贯通接触的方法，所述方法至少包括以下步骤：提供具有上侧、下侧的半导体盘，其中，所述半导体盘具有多个太阳能电池堆叠并且在所述下侧上包括衬底，并且每个太阳能电池堆叠具有布置在所述衬底上的至少两个III-V族子电池和从所述半导体盘的上侧延伸至下侧的至少一个贯通开口，所述贯通开口具有连续侧壁，其中，所述贯通开口在所述上侧上具有第一边缘区域并且在所述下侧上具有第二边缘区域；借助第一印刷方法将绝缘层施加到所述第一边缘区域的一部分、所述侧壁和所述第二边缘区域上；借助第二印刷方法将导电层施加到所述上侧上的绝缘层和所述第一边缘区域的一部分上、施加到所述侧壁上的绝缘层上并且施加到所述下侧上的绝缘层的一部分上。一部分上。一部分上。
技术研发人员：W
受保护的技术使用者：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
技术研发日：2022.03.02
技术公布日：2022/9/19