改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法和钕铁硼永磁体与流程

文档序号:31547117发布日期:2022-09-17 01:30阅读:116来源:国知局

1.本发明涉及稀土永磁材料制备领域,尤其涉及改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法和钕铁硼永磁体。


背景技术:

2.nd2fe
14
b永磁体作为全球稀土永磁材料的高产量代表,已经进入高速增长时期。随着钕铁硼永磁体在风力发电、混合动力汽车及纯电动汽车和节能家电等低碳经济领域中的广泛应用,对钕铁硼永磁体也提出了越来越高的要求。钕铁硼永磁体中存在的多相结构以及各相之间的化学特性差异,使得钕铁硼稀土永磁体表现出固有的耐蚀性不足的特点。钕铁硼永磁体中晶界富nd相发生腐蚀溶解后,磁体内部主相晶粒之间的结合介质消失,将造成主相晶粒的脱落,严重时,还会造成磁体的粉化失效。因此,钕铁硼永磁体的应用和发展,离不开其腐蚀防护技术的进步和创新。
3.钕铁硼永磁体的表面防护技术是伴随着钕铁硼永磁体应用领域的拓宽,服役环境的苛刻程度加深,用户要求的提升而不断发展和进步的。虽然经过多年的发展,取得了很大的进步,但是钕铁硼永磁体表面防护技术仍然与实际需要存在差距。


技术实现要素:

4.本发明的一个目的是解决至少上述问题和/或缺陷,并提供至少后面将说明的优点。
5.本发明的一个目的是提供改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法,其可以改善钕铁硼永磁体的抗腐蚀性能。
6.本发明的另一个目的是提供一种钕铁硼永磁体,其具有高耐蚀性。
7.为了实现根据本发明的这些目的和其它优点,提供了一种改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法,包括:
8.将悬浮液喷涂于成型设备的模具腔内;其中,所述悬浮液由re
xm(100-x)
合金粉末、有机溶剂和固化液配制而成,re选自nd、pr、ce、la、sm中的一种或者几种,m选自al、ag、au、si、ge、sn、pb、cu、ga中的一种或几种;
9.将用于制备钕铁硼永磁体的原料磁粉加入所述模具腔内,通过所述成型设备对所述原料磁粉进行压制成型,得到生坯,其中,所述生坯的外表面裹覆有所述悬浮液;
10.对所述生坯进行真空烧结,所述真空烧结包括合金晶界扩散阶段,所述合金晶界扩散阶段在900~1000℃下保温5~15h。
11.优选的是,所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法中,所述re
xm(100-x)
合金粉末在所述悬浮液中的质量百分比为40%~70%。
12.优选的是,所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法中,所述有机溶剂选自异丙醇和无水乙醇中的一种。
13.优选的是,所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法中,所述固化液由聚乙烯
醇缩丁醛与松油醇按质量比1:10比例配制而成。
14.优选的是,所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法中,在所述对所述生坯进行真空烧结之前,还对所述生坯进行烘干处理。
15.优选的是,所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法中,所述对所述生坯进行烘干处理,包括:
16.将所述生坯置于真空度为5pa,温度为100℃的条件下进行烘干处理0.5~1h。
17.优选的是,所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法中,所述对所述生坯进行真空烧结,包括:
18.将所述生坯放入真空烧结设备中,在真空度为1.0
×
10-2
pa以下,升温至150℃,保温0.5~2h,每间隔10~30min充入惰性气体;继续升温至350~550℃保温0.5~2h,继续升温至700~800℃,保温0.5~2h;进入合金晶界扩散阶段,继续升温至900~1000℃,保温5~15h;进入高温烧结致密阶段,继续升温至1050~1090℃,保温1~4h;充入惰性气体至85~100kpa进行冷却;待冷却至70℃以下,转入热处理设备,抽真空至1pa以下,开始升温,热处理温度为450~650℃。
19.为了实现根据本发明的这些目的和其它优点,还提供了一种钕铁硼永磁体,其由所述的方法制备得到的。
20.本发明至少包括以下有益效果:
21.本发明提供了一种改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法和和钕铁硼永磁体。该方法包括:将悬浮液喷涂于成型设备的模具腔内;其中,所述悬浮液由re
xm(100-x)
合金粉末、有机溶剂和固化液配制而成,re选自nd、pr、ce、la、sm中的一种或者几种,m选自al、ag、au、si、ge、sn、pb、cu、ga中的一种或几种;将用于制备钕铁硼永磁体的原料磁粉加入所述模具腔内,通过所述成型设备对所述原料磁粉进行压制成型,得到生坯,其中,所述生坯的外表面裹覆有所述悬浮液;对所述生坯进行真空烧结,所述真空烧结包括真空低温加热阶段和合金晶界扩散阶段,所述真空低温加热阶段在真空度为1.0
×
10-2
pa以下,温度为150~180℃,保温0.5~2h,所述合金晶界扩散阶段在900~1000℃下保温5~15h。基于该方法,通过压制成型阶段将re
xm(100-x)
合金粉末包裹于钕铁硼永磁体的生坯表面,经过真空烧结过程中的合金晶界扩散阶段实现合金向钕铁硼永磁体的晶界扩散,从而制备出高矫顽力、高耐蚀性的烧结钕铁硼磁体。
22.本发明的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现,部分还将通过对本发明的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。
具体实施方式
23.下面对本发明做进一步的详细说明,以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
24.本发明提供了一种改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法,包括:将悬浮液喷涂于成型设备的模具腔内;其中,所述悬浮液由re
xm(100-x)
合金粉末、有机溶剂和固化液配制而成,re选自nd、pr、ce、la、sm中的一种或者几种,m选自al、ag、au、si、ge、sn、pb、cu、ga中的一种或几种;将用于制备钕铁硼永磁体的原料磁粉加入所述模具腔内,通过所述成型设备对所述原料磁粉进行压制成型,得到生坯,其中,所述生坯的外表面裹覆有所述悬浮液;对所
述生坯进行真空烧结,所述真空烧结包括合金晶界扩散阶段,所述合金晶界扩散阶段在900~1000℃下保温5~15h。
25.在真空烧结过程的合金晶界扩散阶段,re稀土元素和m元素可以扩散至钕铁硼永磁体内部,与铁和硼形成新的相结构,从而提高钕铁硼永磁体的耐蚀性,并提高磁性能。
26.综上所述,本发明将re
xm(100-x)
合金粉末配制成悬浮液,其中,re选自nd、pr、ce、la、sm中的一种或者几种,m选自al、ag、au、si、ge、sn、pb、cu、ga中的一种或几种,通过压制成型阶段将re
xm(100-x)
合金粉末包裹于钕铁硼永磁体的生坯表面,经过真空烧结过程中的合金晶界扩散阶段实现合金向钕铁硼永磁体的晶界扩散,从而制备出高矫顽力、高耐蚀性的烧结钕铁硼磁体。
27.在一个优选的实施例中,所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法中,所述re
xm(100-x)
合金粉末在所述悬浮液中的质量百分比为40%~70%。合金粉末在悬浮液中的质量百分比过小,会导致向钕铁硼永磁体内部扩散的合金成分过少,影响对于钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的改善效果;合金粉末在悬浮液中的质量百分比过大,只有部分合金成分扩散至钕铁硼永磁体内部,也会对合金粉末造成浪费。
28.在一个优选的实施例中,所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法中,所述有机溶剂选自异丙醇和无水乙醇中的一种。其中,异丙醇的粘度比无水乙醇大,因此更有利于悬浮液裹覆在生坯的外表面。此外,异丙醇和无水乙醇均容易挥发,在进入真空烧结的合金晶界扩散阶段之前,容易除去,不会影响合金成分的晶界扩散以及钕铁硼永磁体的烧结制备。
29.在一个优选的实施例中,所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法中,所述固化液由聚乙烯醇缩丁醛与松油醇按质量比1:10比例配制而成。本实施例中,合金粉末加入至固化液和有机溶剂中配制成悬浮液,固化液促使悬浮液具有合适的粘度和成膜性能,从而使得在成型设备对原料磁粉进行压制成型时,悬浮液可以均匀地裹覆在生坯的外表面,从而使得合金粉末可以均匀地覆盖在生坯表面,保证在合金晶界扩散阶段合金成分可以从生坯的外表面均匀地向生坯内部的晶界扩散,进而达到均匀改善钕铁硼永磁体的各个部位的抗腐蚀性能的目的。同时,固化液可以在较低温度下分解,在进入真空烧结的合金晶界扩散阶段之前,容易除去,不会影响合金成分的晶界扩散以及钕铁硼永磁体的烧结制备。
30.在一个优选的实施例中,所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法中,在所述对所述生坯进行真空烧结之前,还对所述生坯进行烘干处理。烘干处理可以除去部分有机溶剂以及生坯表面所吸附的水分。
31.具体地,所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法中,所述对所述生坯进行烘干处理,包括:将所述生坯置于真空度为5pa,温度为100℃的条件下进行烘干处理0.5~1h。
32.在一个优选的实施例中,所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法中,所述对所述生坯进行真空烧结,包括:将所述生坯放入真空烧结设备中,在真空度为1.0
×
10-2
pa以下,升温至150℃,保温0.5~2h,每间隔10~30min充入惰性气体;继续升温至350~550℃保温0.5~2h,继续升温至700~800℃,保温0.5~2h;进入合金晶界扩散阶段,继续升温至900~1000℃,保温5~15h;进入高温烧结致密阶段,继续升温至1050~1090℃,保温1~4h;充入惰性气体至85~100kpa进行冷却;待冷却至70℃以下,转入热处理设备,抽真空至1pa以下,开始升温,热处理温度为450~650℃。
33.本实施例中,在进入合金晶界扩散阶段之前,温度处于逐步升高的状态,在这一阶段,可以将悬浮液中有机溶剂、生坯表面吸附的杂质以及固化液除去。
34.其中,惰性气体可以是氩气或氦气。
35.本发明提供了一种钕铁硼永磁体,其由所述的方法制备得到的。所制备的钕铁硼永磁体具有高耐蚀性,良好的磁性能。
36.以下提供实施例,以进一步说明本发明所提供的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法。
37.实施例一
38.(1)将pr
70
la
10
si
20
合金细粉,按50%质量百分比与异丙醇、固化液的混合溶液配制成悬浮液,固化液由聚乙烯醇缩丁醛与松油醇按质量比1:10比例配制而成。
39.(2)在氧含量50ppm的密闭环境中,将悬浮液喷在压机的模具腔四壁,磁粉下到模具内,磁场取向压制成型,压后的生坯表面包裹了一层pr
70
la
10
si
20
合金细粉。将生坯传送至真空恒温箱内,设置真空度为5pa,温度为100℃,0.5h,将悬浮液中异丙醇及表面吸附的水分烘干除掉。烘干处理后,将真空恒温箱密封对接入炉车,将生坯转移至入炉车内,通过入炉车将生坯运转至真空烧结炉。在真空烧结过程中,经过真空低温加热再次将悬浮液中异丙醇及表面吸附的杂质进一步除掉。真空烧结过程具体操作为:在真空度为1.0
×
10-2pa以下,升温至150℃,保温0.5h,每间隔10min充入氩气;继续升温至380℃保温2h,继续升温至750℃,保温1h;继续升温至1000℃,进行悬浮液中合金的晶界扩散,保温10h;继续升温至1090℃,进行高温最终烧结致密,保温1h,充入氩气或氦气至85~100kpa进行冷却。待冷却至70℃以下后,转入热处理炉,抽真空至1pa以下,开始升温,热处理温度为500℃。
40.分别取本实施例制备的磁体和传统工艺制备的磁体,置于高温高压试验箱进行pct实验(实验条件:120℃~130℃,2~3bar,168h,100%rh,每天去除腐蚀物,失重要求≤5mg/cm2),实验结果见表1。
41.表1本实施例制备的磁体和传统工艺制备的磁体的抗腐蚀性能对比
42.工艺初始重量(g)腐蚀后重量(g)失重(mg/cm2)本实施例8.89368.89120.375传统工艺8.88928.87951.526
43.由表1可知,相较于传统工艺制备的磁体,本实施例所制备的磁体的失重明显减少,说明本实施例通过压制成型阶段将合金粉末包裹于钕铁硼永磁体的生坯表面,经过真空烧结过程中的合金晶界扩散阶段实现合金向钕铁硼永磁体的晶界扩散,改善了烧结钕铁硼磁体的抗腐蚀性能。
44.分别取本实施例制备的磁体和传统工艺制备的磁体,检测二者的磁性能,检测结果见表2。
45.表2本实施例制备的磁体和传统工艺制备的磁体的磁性能对比
46.工艺br(kgs)hcj(koe)(bh)maxhk/hcj本实施例14.4616.8649.960.983传统工艺14.6515.5251.850.981
47.由表2可知,相较于传统工艺制备的磁体,本实施例所制备的磁体的hcj矫顽力提升了8.6%,说明本实施例通过压制成型阶段将合金粉末包裹于钕铁硼永磁体的生坯表面,
经过真空烧结过程中的合金晶界扩散阶段实现合金向钕铁硼永磁体的晶界扩散,在改善钕铁硼永磁体的抗腐蚀性能的同时,钕铁硼永磁体的磁性能也得到的改善。
48.实施例二
49.(1)将nd
70
ce
10
cu
10
ga
10
合金细粉,按65%质量百分比与异丙醇、固化液的混合溶液配制成悬浮液,固化液由聚乙烯醇缩丁醛与松油醇按质量比1:10比例配制而成。
50.(2)在氧含量50ppm的密闭环境中,将悬浮液喷在压机的模腔四壁,磁粉下到模具内,磁场取向压制成型,压后的生坯表面包裹了一层nd
70
ce
10
cu
10
ga
10
合金细粉。将生坯传送至真空恒温箱内,设置真空度为5pa,温度为100℃,烘干处理1h,将悬浮液中异丙醇及表面吸附的水分烘干除掉。烘干处理后,将真空恒温箱密封对接入炉车,将生坯转移至入炉车内,通过入炉车将生坯运转至真空烧结炉。在真空烧结过程中,经过真空低温加热再次将悬浮液中异丙醇及表面吸附的杂质进一步除掉。真空烧结过程具体操作为在真空度为1.0
×
10-2
pa以下,升温至150℃,保温2h,每间隔30min充入氩气;继续升温至550℃保温1h,继续升温至780℃,保温2h,继续升温至920℃,进行悬浮液中合金的晶界扩散,保温15h,继续升温至1060℃,进行高温最终烧结致密,保温4h,充入氩气或氦气至85~100kpa进行冷却。待冷却至70℃以下后,转入热处理炉,抽真空至1pa以下,开始升温,热处理温度为550℃。
51.分别取本实施例制备的磁体和传统工艺制备的磁体,置于高温高压试验箱进行pct实验(实验条件:120℃~130℃,2~3bar,168h,100%rh,每天去除腐蚀物,失重要求≤5mg/cm2),实验结果见表3。
52.表3本实施例制备的磁体和传统工艺制备的磁体的抗腐蚀性能对比
53.工艺初始重量(g)腐蚀后重量(g)失重(mg/cm2)本实施例8.88788.88700.125传统工艺8.89148.88031.746
54.由表3可知,相较于传统工艺制备的磁体,本实施例所制备的磁体的失重明显减少,说明本实施例通过压制成型阶段将合金粉末包裹于钕铁硼永磁体的生坯表面,经过真空烧结过程中的合金晶界扩散阶段实现合金向钕铁硼永磁体的晶界扩散,改善了烧结钕铁硼磁体的抗腐蚀性能。
55.分别取本实施例制备的磁体和传统工艺制备的磁体,检测二者的磁性能,检测结果见表4。
56.表4本实施例制备的磁体和传统工艺制备的磁体的磁性能对比
57.工艺br(kgs)hcj(koe)(bh)maxhk/hcj本实施例14.3318.2649.830.979传统工艺14.6715.4651.950.982
58.由表4可知,相较于传统工艺制备的磁体,本实施例所制备的磁体的hcj矫顽力提升了18.1%,说明本实施例通过压制成型阶段将合金粉末包裹于钕铁硼永磁体的生坯表面,经过真空烧结过程中的合金晶界扩散阶段实现合金向钕铁硼永磁体的晶界扩散,在改善钕铁硼永磁体的抗腐蚀性能的同时,钕铁硼永磁体的磁性能也得到的改善。
59.实施例三
60.(1)将nd
70
sm
10
al
10 pb 10
合金细粉,按40%质量百分比与异丙醇、固化液的混合溶液配制成悬浮液,固化液由聚乙烯醇缩丁醛与松油醇按质量比1:10比例配制而成。
61.(2)在氧含量50ppm的密闭环境中,将悬浮液喷在压机的模腔四壁,磁粉下到模具内,磁场取向压制成型,压后的生坯表面包裹了一层nd
70
sm
10
al
10 pb 10
合金细粉。将生坯传送至真空恒温箱内,设置真空度为5pa,温度为100℃,烘干处理1h,将悬浮液中异丙醇及表面吸附的水分烘干除掉。烘干处理后,将真空恒温箱密封对接入炉车,将生坯转移至入炉车内,通过入炉车将生坯运转至真空烧结炉。在真空烧结过程中,经过真空低温加热再次将悬浮液中异丙醇及表面吸附的杂质进一步除掉。真空烧结过程具体操作为在真空度为1.0
×
10-2
pa以下,升温至150℃,保温2h,每间隔30min充入氩气;继续升温至350℃保温1h,继续升温至800℃,保温0.5h;继续升温至900℃,进行悬浮液中合金的晶界扩散,保温5h;继续升温至1050℃,进行高温最终烧结致密,保温4h,充入氩气或氦气至85~100kpa进行冷却。待冷却至70℃以下后,转入热处理炉,抽真空至1pa以下,开始升温,热处理温度为650℃。
62.分别取本实施例制备的磁体和传统工艺制备的磁体,置于高温高压试验箱进行pct实验(实验条件:120℃~130℃,2~3bar,168h,100%rh,每天去除腐蚀物,失重要求≤5mg/cm2),实验结果见表5。
63.表5本实施例制备的磁体和传统工艺制备的磁体的抗腐蚀性能对比
64.工艺初始重量(g)腐蚀后重量(g)失重(mg/cm2)本实施例8.89048.88710.516传统工艺8.89328.87822.359
65.由表5可知,相较于传统工艺制备的磁体,本实施例所制备的磁体的失重明显减少,说明本实施例通过压制成型阶段将合金粉末包裹于钕铁硼永磁体的生坯表面,经过真空烧结过程中的合金晶界扩散阶段实现合金向钕铁硼永磁体的晶界扩散,改善了烧结钕铁硼磁体的抗腐蚀性能。
66.分别取本实施例制备的磁体和传统工艺制备的磁体,检测二者的磁性能,检测结果见表6。
67.表6本实施例制备的磁体和传统工艺制备的磁体的磁性能对比
68.工艺br(kgs)hcj(koe)(bh)maxhk/hcj本实施例13.3217.6842.970.986传统工艺13.4116.1643.380.978
69.由表6可知,相较于传统工艺制备的磁体,本实施例所制备的磁体的hcj矫顽力有所提升,说明本实施例通过压制成型阶段将合金粉末包裹于钕铁硼永磁体的生坯表面,经过真空烧结过程中的合金晶界扩散阶段实现合金向钕铁硼永磁体的晶界扩散,在改善钕铁硼永磁体的抗腐蚀性能的同时,钕铁硼永磁体的磁性能也得到的改善。
70.实施例四
71.(1)将pr 70
au
10 ge
10
sn 10
合金细粉,按70%质量百分比与异丙醇、固化液的混合溶液配制成悬浮液,固化液由聚乙烯醇缩丁醛与松油醇按质量比1:10比例配制而成。
72.(2)在氧含量50ppm的密闭环境中,将悬浮液喷在压机的模腔四壁,磁粉下到模具内,磁场取向压制成型,压后的生坯表面包裹了一层nd
70
sm
10
al
10 pb 10
合金细粉。将生坯传送至真空恒温箱内,设置真空度为5pa,温度为100℃,烘干处理1h,将悬浮液中异丙醇及表面吸附的水分烘干除掉。烘干处理后,将真空恒温箱密封对接入炉车,将生坯转移至入炉车内,通过入炉车将生坯运转至真空烧结炉。在真空烧结过程中,经过真空低温加热再次将悬
浮液中异丙醇及表面吸附的杂质进一步除掉。真空烧结过程具体操作为在真空度为1.0
×
10-2
pa以下,升温至150℃,保温2h,每间隔30min充入氩气;继续升温至350℃保温0.5h,继续升温至700℃,保温0.5h;继续升温至1000℃,进行悬浮液中合金的晶界扩散,保温10h;继续升温至1050℃,进行高温最终烧结致密,保温4h,充入氩气或氦气至85~100kpa进行冷却。待冷却至70℃以下后,转入热处理炉,抽真空至1pa以下,开始升温,热处理温度为450℃。
73.分别取本实施例制备的磁体和传统工艺制备的磁体,置于高温高压试验箱进行pct实验(实验条件:120℃~130℃,2~3bar,168h,100%rh,每天去除腐蚀物,失重要求≤5mg/cm2),实验结果见表7。
74.表7本实施例制备的磁体和传统工艺制备的磁体的抗腐蚀性能对比
75.工艺初始重量(g)腐蚀后重量(g)失重(mg/cm2)本实施例9.16379.15890.735传统工艺9.34979.32583.611
76.由表7可知,相较于传统工艺制备的磁体,本实施例所制备的磁体的失重明显减少,说明本实施例通过压制成型阶段将合金粉末包裹于钕铁硼永磁体的生坯表面,经过真空烧结过程中的合金晶界扩散阶段实现合金向钕铁硼永磁体的晶界扩散,改善了烧结钕铁硼磁体的抗腐蚀性能。
77.分别取本实施例制备的磁体和传统工艺制备的磁体,检测二者的磁性能,检测结果见表8。
78.表8本实施例制备的磁体和传统工艺制备的磁体的磁性能对比
79.工艺br(kgs)hcj(koe)(bh)maxhk/hcj本实施例12.8715.3439.640.985传统工艺12.9513.740.640.981
80.由表8可知,相较于传统工艺制备的磁体,本实施例所制备的磁体的hcj矫顽力有所提升,说明本实施例通过压制成型阶段将合金粉末包裹于钕铁硼永磁体的生坯表面,经过真空烧结过程中的合金晶界扩散阶段实现合金向钕铁硼永磁体的晶界扩散,在改善钕铁硼永磁体的抗腐蚀性能的同时,钕铁硼永磁体的磁性能也得到的改善。
81.实施例五
82.(1)将pr
60 ce 10
ag 10
si 10
合金细粉,按50%质量百分比与异丙醇、固化液的混合溶液配制成悬浮液,固化液由聚乙烯醇缩丁醛与松油醇按质量比1:10比例配制而成。
83.(2)在氧含量50ppm的密闭环境中,将悬浮液喷在压机的模腔四壁,磁粉下到模具内,磁场取向压制成型,压后的生坯表面包裹了一层nd
70
sm
10
al
10 pb 10
合金细粉。将生坯传送至真空恒温箱内,设置真空度为5pa,温度为100℃,烘干处理1h,将悬浮液中异丙醇及表面吸附的水分烘干除掉。烘干处理后,将真空恒温箱密封对接入炉车,将生坯转移至入炉车内,通过入炉车将生坯运转至真空烧结炉。在真空烧结过程中,经过真空低温加热再次将悬浮液中异丙醇及表面吸附的杂质进一步除掉。真空烧结过程具体操作为在真空度为1.0
×
10-2
pa以下,升温至150℃,保温2h,每间隔30min充入氩气;继续升温至350℃保温0.5h,继续升温至700℃,保温0.5h;继续升温至900℃,进行悬浮液中合金的晶界扩散,保温10h;继续升温至1090℃,进行高温最终烧结致密,保温4h,充入氩气或氦气至85~100kpa进行冷却。待冷却至70℃以下后,转入热处理炉,抽真空至1pa以下,开始升温,热处理温度为500℃。
84.分别取本实施例制备的磁体和传统工艺制备的磁体,置于高温高压试验箱进行pct实验(实验条件:120℃~130℃,2~3bar,168h,100%rh,每天去除腐蚀物,失重要求≤5mg/cm2),实验结果见表9。
85.表9本实施例制备的磁体和传统工艺制备的磁体的抗腐蚀性能对比
86.工艺初始重量(g)腐蚀后重量(g)失重(mg/cm2)本实施例9.80819.80550.38传统工艺9.74649.73152.188
87.由表9可知,相较于传统工艺制备的磁体,本实施例所制备的磁体的失重明显减少,说明本实施例通过压制成型阶段将合金粉末包裹于钕铁硼永磁体的生坯表面,经过真空烧结过程中的合金晶界扩散阶段实现合金向钕铁硼永磁体的晶界扩散,改善了烧结钕铁硼磁体的抗腐蚀性能。
88.分别取本实施例制备的磁体和传统工艺制备的磁体,检测二者的磁性能,检测结果见表10。
89.表10本实施例制备的磁体和传统工艺制备的磁体的磁性能对比
90.工艺br(kgs)hcj(koe)(bh)maxhk/hcj本实施例12.9521.540.350.977传统工艺13.0419.6140.760.985
91.由表10可知,相较于传统工艺制备的磁体,本实施例所制备的磁体的hcj矫顽力有所提升,说明本实施例通过压制成型阶段将合金粉末包裹于钕铁硼永磁体的生坯表面,经过真空烧结过程中的合金晶界扩散阶段实现合金向钕铁硼永磁体的晶界扩散,在改善钕铁硼永磁体的抗腐蚀性能的同时,钕铁硼永磁体的磁性能也得到的改善。
92.尽管本发明的实施方案已公开如上,但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用。它完全可以被适用于各种适合本发明的领域。对于熟悉本领域的人员而言,可容易地实现另外的修改。因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下,本发明并不限于特定的细节。
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