技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一衬底，包括多个有源区，互相平行并且排列成阵列；一隔离结构，位于所述多个有源区之间；一埋入式字线，位于所述衬底中并且切过所述隔离结构和所述多个有源区；以及一绝缘垫层，设置在所述埋入式字线正下方的所述衬底中，并且位于所述多个有源区的相邻端部之间，其中所述绝缘垫层的底面低于所述隔离结构的底面。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述隔离结构与所述绝缘垫层包括不同材料。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述隔离结构的底面低于所述埋入式字线的底面。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述绝缘垫层的侧壁与所述隔离结构直接接触。5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述埋入式字线包括：一栅极电介质层，与所述绝缘垫层直接接触；一导电层，位于所述栅极电介质层上；以及一盖层，位于所述导电层上。6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述绝缘垫层的宽度小于所述埋入式字线的宽度。7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述绝缘垫层的宽度大于所述埋入式字线的宽度。8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述绝缘垫层包括54.7度的夹角。
技术总结
本实用新型公开了一种半导体装置，包括衬底，其包括多个互相平行并且排列成阵列的有源区。一隔离结构，位于有源区之间。一埋入式字线，位于衬底中并且切过隔离结构和有源区。一绝缘垫层，设置在埋入式字线正下方的衬底中并且位于有源区的相邻端部之间。绝缘垫层的底面低于隔离结构的底面，可减少相邻有源区之间的漏电流。漏电流。漏电流。
技术研发人员：童宇诚 张钦福
受保护的技术使用者：福建省晋华集成电路有限公司
技术研发日：2022.04.18
技术公布日：2022/9/2