专利名称：纳米级平面微细结构加工装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种用于制作集成电路的纳米级半导体平面微细结构加工装置。
目前，微细结构采用扫描探针显微技术来加工，在加工过程中，针尖损耗，同时很难控制其损耗过程，换针尖也很难与前针尖保持一致。微细结构的另一加工方法是扫描探针结合反应气体进行加工，而这种加工方法需在真空环境中进行，加工时须退入一定量反应气体进行，而在扫描探针的作用下参予反应的气体非常之少，这便形成了多余气体，多余气体不仅造成了浪费，而且，对不需要加工之处造成污染，尤其是针尖损坏后污染等情形则更为严重。此外，在诸如搬迁原子、或分子基团的过程，往往通过STM针尖具有一定的极性静电吸附一定材料，随后须不时地在另外地方脱附，以恢复原针尖形状。从加工角度看，这样做效率很低，同时在移往另外脱附后，针尖有显著重复定位不准，重复定位难的缺陷。
本实用新型目的在于提供一种能够降低污染的纳米级半导体平面微细结构加工装置。
本实用新型采用如下技术方案来实现其实用新型目的本实用新型由三维压电扫描器、探针及安装调节器组成，在探针1的外部设有密封室2，在密封室2的下部设有可供探针1进出的小孔3，在密封室2上还设有气孔。
与现有技术相比，本实用新型具有如下优点
①由于本实用新型在探针外部套设密封室，尤其是选择了锥形密封室，反应气体从密封室底部小孔喷出，使探针针尖部位反应气体小范围包围，因而，降低了污染，节省了气体，并可在大气下使用。
②由于本实用新型可以通过密封室的气孔抽气，使密封室形成负压，将针尖的原子吸走，这既保证了探针的位置不变，重复定位简单，又简化了结构且易于搬迁原子。
③由于本实用新型中的密封室远小于现有技术中的大真空环境，故气体可以在密封室中得充分混合，具有均匀性好的优点。
图1是本实用新型的结构示意图。
下面参照附图，对本实用新型的实施方案作一详细描述本实用新型由三维压电扫描器、探针1及安装调节器组成，在探针1的外部设有密封室2，在密封室2的下部设有可供探针1进出的小孔3，在密封室2上还设有气孔，该气孔可以为反应气体的入孔兼做抽吸气体的出口，该气孔也可以设有若干个，其中一些为入气孔，另一些为出气孔，即在密封室2上设有的气孔可以包括入气孔4和出气孔5。为提高移动废异物的能力，减少非加工区域的污染，上述密封室2为锥形密封室。
权利要求1.一种纳米级平面微细结构加工装置，由三维压电扫描器、探针(1)及安装调节器组成，其特征在于在探针(1)的外部设有密封室(2)，在密封室(2)的下部设有可供探针(1)进出的小孔(3)，在密封室(2)上还设有气孔。
2.根据权利要求1所述的纳米级平面微细结构加工装置，其特征在于密封室(2)锥形密封室。
3.根据权利要求1或2所述的纳米级平面微细结构加工装置，其特征在于在密封室(2)上设有的气孔可以包括入气孔(4)和出气孔(5)。
专利摘要本实用新型公开了一种平面微细结构加工装置。本实用新型由三维压电扫描器、探针及安装调节器组成，在探针的外部设有密封室，在密封室的下部设有可供探针进出的小孔，在密封室上还设有气孔，该气孔可以包括入气孔和出气孔，上述密封室可以选择为锥形密封室。本实用新型可以在探针的周围形成小范围反应气体，因此，既节省了气体，又降低了污染，反应气体在密封室中也可以得到充分混合，另外，本实用新型可以通过密封室搬迁原子，具有易重复定位，结构简单的优点。
文档编号H01L21/02GK2264415SQ96231690
公开日1997年10月8日 申请日期1996年4月22日 优先权日1996年4月22日
发明者顾宁, 陆祖宏, 韦钰 申请人:东南大学