多层陶瓷电容器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子元器件，特别是涉及一种容量集中度高的多层陶瓷电容器。
【背景技术】
[0002]多层陶瓷电容器包括长方体的陶瓷体以及设置于陶瓷体相对两端的两个外电极。陶瓷体包括交替层叠并分别连接到极性相异的外电极的多个内电极层以及多个分别层叠于相异极性的内电极层之间的介质层。内电极层的形状一般为矩形，并且相邻的内电极层形成一定的正对面积从而产生容量。相邻的内电极层的正对面积越大，多层陶瓷电容器的容量越大。在多层陶瓷电容器的制造过程中，由于叠层对位精度等原因，相邻的内电极层之间的相对位置难以避免地会发生偏移，从而导致相邻内电极层的正对面积发生变化，导致多层陶瓷电容器的容量集中度变差。
【发明内容】
[0003]基于此，有必要提供一种容量集中度高的多层陶瓷电容器。
[0004]一种多层陶瓷电容器，包括多层主体，所述多层主体具有交替层叠的多个介电层和多个内电极层，
[0005]所述内电极层包括第一内电极层和面对第一内电极层的第二内电极层，在所述第一内电极层和所述第二内电极层之间设置有介电层；
[0006]所述第一内电极层一端引至所述多层主体的第一短侧面后、沿长边方向向所述多层主体的第二短侧面延伸；所述第二内电极层一端引至所述多层主体的第二短侧面后、沿长度方向向所述多层主体的第一短侧面延伸；
[0007]所述第一内电极层靠近所述多层主体的第一短侧面的一端且沿短边方向设有第一矩形缺口 ；以所述第一矩形缺口为起点、沿长边方向的区域平行设有M个第二矩形缺口、第三矩形缺口、第六矩形缺口和第八矩形缺口 ；其中，M为所述第三矩形缺口、所述第二矩形缺口、所述第六矩形缺口和所述第八矩形缺口的总个数；
[0008]所述第二内电极层靠近所述多层主体的第二短侧面的一端、以长边边缘为起点且沿短边方向分别设有两个第四矩形缺口 ；以所述第四矩形缺口为起点、沿长边方向的区域平行设有第五矩形缺口、第七矩形缺口和第九矩形缺口 ；所述第五矩形缺口、第七矩形缺口和第九矩形缺口的个数为M-1 ；
[0009]所述第一内电极层和所述第二内电极层在所述多层主体的长度方向上部分正对、宽度方向上完全正对；其中，所述第一矩形缺口与所述多层主体的第一短侧面之间的距离等于所述第四矩形缺口与所述多层主体的第二短侧面之间的距离；
[0010]所述第二矩形缺口与所述第三矩形缺口之间的间隔与所述第五矩形缺口的宽度相等；所述第六矩形缺口与所述第三矩形缺口之间的间隔与所述第七矩形缺口的宽度相等；所述第八矩形缺口与所述第六矩形缺口之间的间隔与所述第九矩形缺口的宽度相等；所述第五矩形缺口在所述第一内电极层上投影落在所述第二矩形缺口与所述第三矩形缺口之间；所述第七矩形缺口在所述第一内电极层上投影落在所述第三矩形缺口与所述第六矩形缺口之间；所述第九矩形缺口在所述第一内电极层上投影落在所述第六矩形缺口与所述第八矩形缺口之间；
[0011]所述第一内电极层沿长度方向延伸的短边投影在所述第二内电极层时、与所述第四矩形缺口宽度方向上的中线重合；
[0012]所述第二内电极层沿长度方向延伸的短边投影在所述第一内电极层时、与所述第一矩形缺口宽度方向上的中线重合。
[0013]在其中一个实施例中，所述第一内电极层的长宽与所述第二内电极层的长宽对应相等。
[0014]在其中一个实施例中，所述第二矩形缺口、所述第三矩形缺口、第六矩形缺口、第八矩形缺口与所述第五矩形缺口、第七矩形缺口、第九矩形缺口的长宽对应相等。
[0015]在其中一个实施例中，所述第一矩形缺口处于所述第一内电极层的宽度方向上的中间位置，所述第一矩形缺口的长度为所述第一内电极层宽度的一半。
[0016]在其中一个实施例中，两个所述第四矩形缺口的长度之和为所述第二内电极层的宽度的一半；所述第四矩形缺口的宽度与所述第一矩形缺口的宽度相等，其中，所述第四矩形缺口设于所述第二内电极层的宽度方向上的中间位置及边缘位置。
[0017]在其中一个实施例中，所述第二矩形缺口与所述第一内电极层远离所述第三矩形缺口的长边边缘之间的距离大于或等于所述第一矩形缺口的宽度的一半；
[0018]所述第八矩形缺口与所述第一内电极层远离所述第六矩形缺口的长边边缘之间的距离大于或等于所述第一矩形缺口的宽度的一半；
[0019]所述第三矩形缺口及所述第六矩形缺口设于所述第二矩形缺口及所述第八矩形缺口之间，且所述第二矩形缺口、第三矩形缺口、第六矩形缺口、第八矩形缺口之间的间隔相等。
[0020]在其中一个实施例中，所述第二矩形缺口、第三矩形缺口、第六矩形缺口、第八矩形缺口及第五矩形缺口、第七矩形缺口、第九矩形缺口的长度由所述第三矩形缺口、所述第六矩形缺口、所述第八矩形缺口和所述第二矩形缺口的总个数M决定。
[0021 ] 在其中一个实施例中，所述第三矩形缺口、所述第六矩形缺口、所述第八矩形缺口和所述第二矩形缺口的总个数M为4-6。
[0022]在其中一个实施例中，所述第三矩形缺口、所述第六矩形缺口、所述第八矩形缺口和所述第二矩形缺口的总个数M为4。
[0023]在其中一个实施例中，所述第一矩形缺口及所述第四矩形缺口的宽度为0.lmm-0.4mm ;所述第一内电极层及所述第二内电极层的宽度大于或等于(2M-1)个第一矩形缺口的宽度。
[0024]上述多层陶瓷电容器在第一内电极层和第二内电极层设置矩形缺口，使得当第一内电极层和第二内电极层在多层主体的长度方向上发生相对位置偏移时，由于有第一矩形缺口和第四矩形缺口的存在，因而第一内电极层和第二内电极层的正对面积变化量微小甚至维持不变。而在多层主体的宽度方向上发生相对位置偏移时，由于有第二矩形缺口、第三矩形缺口、第六矩形缺口、第八矩形缺口及第五矩形缺口、第七矩形缺口、第九矩形缺口的存在，因而，正对面积变化量微小甚至维持不变。或者长度方向和宽度方向同时发生偏移，同样原理使得正对面积变化量微小。故能够提高多层陶瓷电容器的容量集中度，提高成品合格率。
【附图说明】
[0025]图1为多层陶瓷电容器的外部示意图；
[0026]图2为一个实施例中第一内电极层的结构示意图；
[0027]图3为对应图2实施例中第二内电极层的结构示意图；
[0028]图4为上述实施例中多层陶瓷电容器的A-A剖面图；
[0029]图5为上述实施例中多层陶瓷电容器的B-B剖面图；
[0030]图6为又一个实施例中第一内电极层的结构示意图；
[0031]图7为对应图6实施例中第二内电极层的结构示意图。
【具体实施方式】
[0032]如图1所示，为多层陶瓷电容器的外部示意图。
[0033]多层陶瓷电容器的多层主体10为长方体，具有六个表面，在相对的短侧面上分别设置有第一外电极20和第二外电极30。第一外电极20与多个第一内电极层101连接，第二外电极30与多个第二内电极层201连接。
[0034]图2和图3分别为一个实施例中的第一内电极层和第二内电极层的结构示意图。
[0035]请结合图1、图2和图3。一种多层陶瓷电容器，包括多层主体10，所述多层主体10具有交替层叠的多个介电层40和多个内电极层。
[0036]所述内电极层包括第一内电极层101和面对第一内电极层101的第二内电极层201，在所述第一内电极层101和所述第二内电极层201之间设置有介电层40。
[0037]所述第一内电极层101 —端引至所述多层主体10的第一短侧面后、沿长边方向向所述多层主体10的第二短侧面延伸；所述第二内电极层201 —端引至所述多层主体10的第二短侧面后、沿长度方向向所述多层主体10的第一短侧面延伸。
[0038]所述第一内电极层101靠近所述多层主体10的第一短侧面的一端且沿短边方向设有第一矩形缺口 103 ;以所述第一矩形缺口 103为起点、沿长边方向的区域平行设有M个第二矩形缺口 104、第三矩形缺口 105、第六矩形缺口 107和第八矩形缺口 108 ;其中，M为所述第三矩形缺口 105、第六矩形缺口 107、第八矩形缺口 108和所述第二矩形缺口 104的总个数。
[0039]所述第二内电极层201靠近所述多层主体10的第二短侧面的一端、以长边边缘为起点且沿短边方向分别设有两个第四矩形缺口 203 ;以所述第四矩形缺口 203为起点、沿长边方向的区域平行设有第五矩形缺口 204、第九矩形缺口 207和第七矩形缺口 206 ;所述第五矩形缺口的204、第九矩形缺口 207和第七矩形缺口 206的个数为M-1。
[0040]所述第一内电极层101和所述第二内电极层201在所述多层主体10的长度方向上部分正对、宽度方向上完全正对；其中，所述第一矩形缺口 103与所述多层主体10的第一短侧面之间的距离等于所述第四矩形缺口 203与所述多层主体10的第二短侧面之间的距离。