发光二极管结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明是有关于一种半导体结构，且特别是有关于一种发光二极管结构。
【背景技术】
[0002]—般来说,发光二极管结构被驱动而发光时，由于光线被平板块状的基板所反射的角度与程度有限，意即平板块状的基板会导致发光二极管结构的出光角度较小(约为80度)，因而会造成发光二极管结构的光取出效率无法获得提升。为了解决上述的问题，现有是通过对基板的侧壁进行粗化处理。然而，基板与发光单元较接近，故在粗化处理的过程中，较易伤害到发光单元，反而更容易使发光二极管结构的亮度下降。因此，如何在不增加成本与改变材料的情况下，而可通过结构上的设计，进而可有效地提升发光二极管结构的光取出效率，实为一项重要的课题。
【发明内容】
[0003]本发明提供一种发光二极管结构，其具有较大的出光角度及较佳的出光效率。
[0004]本发明的发光二极管结构，其包括基板以及发光单元。基板具有突出部以及导光部，其中基板的导光部具有与上表面彼此相对的下表面以及连接上表面与下表面的侧表面，突出部与导光部之间为无接缝连接，且突出部的水平投影面积小于导光部的水平投影面积。发光单元配置于基板的突出部上，且包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层。第一型半导体层配置于基板的突出部上，而发光层覆盖部分第一型半导体层，且第二型半导体层配置于发光层上。发光单兀适于发出光束，且光束的一部分由突出部进入导光部，并自导光部未被突出部所遮蔽的上表面射出。
[0005]在本发明的一实施例中，上述的发光二极管结构还包括:第一电极以及第二电极。第一电极配置于未被发光层所覆盖的第一型半导体层上。第二电极配置于第二型半导体层上，其中第一电极与第二电极位于基板的同一侧。
[0006]在本发明的一实施例中，上述的基板的突出部的厚度小于导光部的厚度。
[0007]在本发明的一实施例中，上述的基板的导光部的厚度为突出部的厚度的100倍至200 倍。
[0008]在本发明的一实施例中，上述的基板的导光部的水平投影面积为突出部的水平投影面积的1.1倍至10倍。
[0009]在本发明的一实施例中，上述的导光部的上表面为粗糙表面。
[0010]在本发明的一实施例中，上述的导光部的侧表面为粗糙表面。
[0011]在本发明的一实施例中，上述的导光部的上表面与侧表面皆为粗糙表面。
[0012]在本发明的一实施例中，上述的侧表面与下表面的法线方向之间具有夹角，且夹角介于10度至80度之间。
[0013]在本发明的一实施例中，上述的侧表面包括倒角面以及垂直面。倒角面连接上表面与垂直面，而垂直面连接倒角面与下表面。
[0014]基于上述，由于本发明的基板的突出部与导光部之间为无接缝连接，且突出部的水平投影面积小于导光部的水平投影面积，意即本发明基板可视为凸型基板。因此，发光单元所发出的光束的一部分可通过导光部的导光效果，而增大发光单元的出光角度范围。如此一来，本发明的发光二极管结构可具有较大的出光角度与较佳的出光效率。
[0015]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
【附图说明】
[0016]图1为本发明的一实施例的一种发光二极管结构的剖面不意图；
[0017]图2为本发明的另一实施例的一种发光二极管结构的剖面示意图；
[0018]图3为本发明的另一实施例的一种发光二极管结构的剖面示意图；
[0019]图4为本发明的另一实施例的一种发光二极管结构的剖面示意图。
[0020]附图标记说明:
[0021]100a、100b、100c、10d:发光二极管结构；
[0022]110a、110b、110c、110d:基板；
[0023]llla、lllb、lllc、llld:上表面;
[0024]112a、112b、112c、112d:突出部;
[0025]113b、113c、113d:下表面;
[0026]114a、114b、114c、114d:导光部;
[0027]115b、115c、115d:侧表面;
[0028]117d:倒角面；
[0029]119d:垂直面；
[0030]120:发光单元；
[0031]122:第一型半导体层；
[0032]124:发光层；
[0033]126:第二型半导体层；
[0034]132:第一电极；
[0035]134:第二电极；
[0036]L:光束；
[0037]L’:光束的一部分；
[0038]T1、T2:厚度；
[0039]α:夹角。
【具体实施方式】
[0040]图1为本发明的一实施例的一种发光二极管结构的剖面示意图。请参考图1，在本实施例中，发光二极管结构10a包括基板IlOa以及发光单元120。基板IlOa具有突出部112a以及导光部114a，其中突出部112a与导光部114a之间为无接缝连接，且突出部112a的水平投影面积小于导光部114a的水平投影面积。发光单元120配置于基板IlOa的突出部112a上，其中发光单元120适于发出光束L，且光束的一部分L’由突出部112a进入导光部114a，并自导光部114a未被突出部112a所遮蔽的上表面Illa射出。
[0041]更具体来说，本实施例的基板IlOa的突出部112a的厚度Tl小于导光部114a的厚度T2，其中基板IlOa的导光部114a的厚度T2为突出部112a的厚度Tl的I倍以上，较佳地，基板IlOa的导光部114a的厚度T2为突出部112a的厚度Tl的最佳比率为100倍至200倍。较佳地，基板的导光部114a的水平投影面积为突出部112a的水平投影面积的1.1倍至10倍，其中基板IlOa的导光部114a的水平投影面积为突出部112a的水平投影面积的最佳比率为1.5倍至5倍。需说明的是，若水平投影面积的比值小于1.1倍，则导光部114a的光导的效果不佳，无法有效扩大发光单元120的出光角度；或者是，水平投影面积的比值大于10倍，则发光二极管结构10a中导光部114a的面积过大，不易进行后续的打线固晶处理。此处，基板IlOa的材质例如是蓝宝石、氮化铝或是玻璃。
[0042]再者，本实施例的发光单元120包括第一型半导体层122、发光层124以及第二型半导体层126。第一型半导体层122配置于基板IlOa的突出部112a上,而发光层124覆盖部分第一型半导体层122，且第二型半导体层126配置于发光层124上。此外，本实施例的发光二极管结构10a还包括第一电极132以及第二电极134。第一电极132配置于未被发光层124所覆盖的第一型半导体层122上。第二电极134配置于第二型半导体层126上，其中第一电极132与第二电极134位于基板IlOa的同一侧。
[0043]由于本实施例的基板I 1a的突出部112a与导光部114a之间为无接缝连接，即一体成形，且突出部112a的水平投影面积小于导光部114a的水平投影面积。意即，本实施例的基板IlOa可视为凸型基板。因此,发光单兀120所发出的光束的一部分L’可通过导光部114a的导光效果，而增大发光