硅片位于底部的方式放置。
[0039]参见图4所示结构，去除位于样品底部的部分衬底7，值得注意的是，去除衬底7时不能将掩埋位线层6的与衬底接触的表面裸露出，以防损坏掩埋的位线。
[0040]参见图5所示结构，去除剩余的衬底层和与衬底层相邻的掩埋位线层6，使掩埋位线层中的掩埋位线与地一金属层中的位线分离，本实施例选用胆碱溶液去除剩余的衬底层7和掩埋位线层6，以将各个连接线分离，将连接线的与掩埋位线层连接的一端暴露。
[0041]参见图6所示结构，将连接线一端暴露的样品放入聚焦离子束中，放置的方式是连接线暴露的一端向上，即第一金属层4位于连接线的下方，借助上述步骤中做好的标记9使用聚焦离子束找到双位线的失效地址。
[0042]参见图7所示结构，利用聚焦离子束将双位线中的一根位线与载体硅片连接形成结构11，以实现接地功能。
[0043]将本实施例样品放入聚焦离子束，由于位线中的一根与载体硅片连接实现该一根位线接地，由于双位线中的另外一根位线与接地的位线通过桥接连接，则此时累积在双位线上的正电荷被中和，电势为零，更多的二次电子到达检测器，得到更亮的图像；而其他位线上累积的正电荷无法得到中和，电势大于零，累积的正电荷会束缚二次电子到达检测器，即得到更暗的图像。
[0044]参见图8所述结构，继续对所述第一金属层进行双位线桥接失效分析工艺，对双位线逐段进行切割，由于接地的一段位于样品的左侧，则需从右边开始逐段切割，由于双位线桥13的存在，两根位线连通，且一根位线接地，则从12位置处切割第一段和从13位置处切割第二段时，双位线被切割下的连接有结构11的一段均得到明亮的图像；而当逐段切割到14位置处时，双位线的桥接与双位线连接有结构11的一段处于断开状态，累积的在连接有结构11的双位线上的正电荷无法得到中和，电势大于零，由于累积的正电荷束缚二次电子到达检测器，则会得到较暗淡的图像，此时判断位线桥13位于最后被切割掉的一段位线上，即位置13与位置14中的位线上。
[0045]综上所述，本发明通过去除掩埋位线层使掩埋位线层中的掩埋的位线与第一金属层中的位线相互分离以方便后续的位线明暗对比的观察，并增加载体硅片，利用聚焦离子束显微镜技术将位线中的一根与载体硅片连接实现位线接地，通过逐段切割位线，连接有双位线桥的位线由于正电荷被中和，更多的二次电子到达检测器得到较明亮的图像，而当双位线桥接与双位线连接有结构11的一段被切割分离后，双位线桥接区段的双位线上的正电荷无法被中和而束缚二次电子到达检测器，得到较暗淡的图像。通过本技术方案根据是否包含双位线桥的位线的图像的明亮暗淡程度快速高效确定双位线桥的位置。
[0046]本领域技术人员应该理解，本领域技术人员在结合现有技术以及上述实施例可以实现所述变化例，在此不做赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容，在此不予赘述。
[0047]以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围。
【主权项】
1.一种定位双位线桥接的方法，其特征在于，所述方法包括: 提供一失效样品和载体硅片，且该失效样品包括具有正面表面及相对于该正面的背面表面的衬底，于所述衬底的正面表面上按照从下至上顺序依次叠置有掩埋位线层、介质层、第一金属层、第一层间介质层和第二层间介质层，所述掩埋位线层通过贯穿于所述介质层的若干连接线与所述第一金属层连接，且在所述第一层间介质层中临近所述第二层间介质层的区域内嵌入设置有与所述第二层间介质层接触的由若干金属组成的第二金属层； 依次去除所述第二层间介质层、所述第二金属层和部分所述第一层间介质层后，将所述失效样品倒置于所述载体硅片上(剩余的第一层间介质层暴露的表面与所述载体硅片接触)； 对所述衬底的背面表面进行减薄工艺后，去除剩余的衬底及所述掩埋位线层，以将所述连接线予以暴露； 继续对所述第一金属层进行双位线桥接失效分析工艺。
2.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述继续对所述第一金属层进行双位线桥接失效分析工艺具体包括: 将所述样品以载体硅片放入聚焦离子束显微镜； 对双位线进行逐段切割，根据得到图像的明亮程度确定双位线桥接的位置。
3.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述方法还包括: 在将所述失效样品倒置于所述载体硅片前对所述样品进行电性失效分析，并利用聚焦离子束显微镜技术在双位线失效地址附近做标记。
4.如权利要求3所述方法，其特征在于，对所述样品进行双位线桥接失效分析进行的操作还包括: 借助所述标记找到双位线失效地址； 将第一金属层中双位线中的一根位线与所述载体硅片连接。
5.如权利要求4所述方法，其特征在于，利用聚焦离子束显微镜技术将所述一根位线与所述载体硅片连接。
6.如权利要求4所述方法，其特征在于，采用聚焦离子束显微镜技术借助所述标记找到所述双位线失效地址。
7.如权利要求1所述方法，其特征在于，将所述样品放置于胆碱溶液中以去除剩余的衬底及所述掩埋位线层。
8.如权利要求1所述方法，其特征在于，使用机械研磨的方法去除所述第二层间介质层、所述第二金属层和部分所述第一层间介质层。
【专利摘要】本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种定位双位线桥接的方法，通过增加一载体硅片，将双位线中的一根位线与载体硅片连接，然后对双位线进行逐段切割，根据位线的图像的明亮暗淡程度判断双位线桥接的位置，通过采用本发明的技术方案，快速高效实现了双位线桥接的定位，有效克服了传统双位线桥失效位置定位的耗时问题和容易损坏微弱的桥的问题。
【IPC分类】H01L21-66
【公开号】CN104733342
【申请号】CN201510131880
【发明人】李桂花, 仝金雨, 刘君芳, 郭伟, 李品欢
【申请人】武汉新芯集成电路制造有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2015年3月24日