封装件的交错式通孔再分布层(rdl)的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及封装件。
【背景技术】
[0002]再分布层，或简称为RDL，用于保持现存的晶圆级封装件设计，同时容纳由半导体制造商所制造的较小的管芯，以过渡至先进的技术节点。
[0003]例如，可以通过可选地图案化聚合物层以形成聚合物通孔，然后镀聚合物通孔来形成封装件中的再分布层。该工艺通常可以以这种方式继续，直到在封装件内制造合适数量的再分布层。
[0004]不幸的是，上述工艺中的每个相继的聚合物通孔都比前一个聚合物通孔具有更小的宽度和更大的深度。因此，聚合物通孔布局图案需要封装件内的拓扑结构(topography)的相对较大部分以容纳所形成的最大的第一聚合物通孔的尺寸。此外，由于每个相继的聚合物通孔的深度相对于之前所形成的一个的深度增大，所以聚合物通孔的关键尺寸(例如，它们底部的聚合物通孔的宽度)的均匀性更难控制。
[0005]聚合物通孔布局图案也要经受聚合物显影不足，可能会引起封装件中的高应力，且可能导致封装件的可靠性差。
【发明内容】
[0006]为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种封装件的交错式通孔再分布层(RDL)，包括:第一聚合物层，设置在金属通孔的上方，所述第一聚合物层具有第一聚合物通孔；第一再分布层，设置在所述第一聚合物层上以及所述第一聚合物通孔内，所述第一再分布层电连接至所述金属通孔；第二聚合物层，设置在所述第一再分布层上，所述第二聚合物层具有与所述第一聚合物通孔横向偏移的第二聚合物通孔；以及第二再分布层，设置在所述第二聚合物层上以及所述第二聚合物通孔内，所述第二再分布层电连接至所述第一再分布层。
[0007]在该交错式通孔RDL中，所述第一再分布层沿着所述第一聚合物通孔的侧壁延伸且所述第二再分布层沿着所述第二聚合物通孔的侧壁延伸。
[0008]在该交错式通孔RDL中，所述第二聚合物层的一部分设置在所述第一聚合物通孔中。
[0009]在该交错式通孔RDL中，第三聚合物层设置在所述第二再分布层上，所述第三聚合物层具有与所述第二聚合物通孔横向偏移的第三聚合物通孔。
[0010]在该交错式通孔RDL中，所述第二聚合物通孔的上边缘与所述第一聚合物通孔和所述第三聚合物通孔中至少一个的上边缘之间的第一横向距离大于约特定值。
[0011]在该交错式通孔RDL中，设置在所述第一聚合物层的顶面上的所述第一再分布层的一部分电连接至沿着所述第二聚合物层的侧壁设置的所述第二再分布层的一部分。
[0012]在该交错式通孔RDL中，所述第一通孔内的所述第一再分布层的厚度大于设置在所述第一聚合物层上方的所述第一再分布层的厚度。
[0013]在该交错式通孔RDL中，所述第一再分布层完全占据所述第一聚合物通孔。
[0014]在该交错式通孔RDL中，所述金属通孔嵌入第四聚合物层中且所述金属通孔的顶面与所述第四聚合物层的顶面共面。
[0015]在该交错式通孔RDL中，所述第四聚合物层嵌入模塑料中且所述第四聚合物层的顶面与所述模塑料的顶面共面。
[0016]根据本发明的另一方面，提供了一种封装件的交错式通孔再分布层(RDL)，包括:第一聚合物层，设置在金属通孔的上方，所述第一聚合物层具有第一聚合物通孔和第二聚合物通孔；第一再分布层，设置在所述第一聚合物层上以及所述第一聚合物通孔和所述第二聚合物通孔内，所述第一再分布层电连接至所述金属通孔；第二聚合物层，设置在所述第一再分布层上，所述第二聚合物层具有第三聚合物通孔和第四聚合物通孔，所述第三聚合物通孔设置在所述第一聚合物层的上方以及所述第一聚合物通孔和所述第二聚合物通孔之间；第二再分布层，设置在所述第二聚合物层上以及所述第三聚合物通孔和所述第四聚合物通孔内，所述第二再分布层电连接至所述第一再分布层；第三聚合物层，设置在所述第二再分布层上，所述第三聚合物层具有第五聚合物通孔和第六聚合物通孔，所述第五聚合物通孔和所述第六聚合物通孔与所述第三聚合物通孔横向偏移；以及第三再分布层，设置在所述第三聚合物层上以及所述第三聚合物通孔和所述第四聚合物通孔内，所述第三再分布层电连接至所述第二再分布层。
[0017]在该交错式通孔RDL中，从所述第一聚合物层中的所述第一聚合物通孔的上边缘至所述第二聚合物通孔的上边缘的第一距离大于约特定值。
[0018]在该交错式通孔RDL中，从所述第二聚合物层中的所述第三聚合物通孔的上边缘至所述第四聚合物通孔的上边缘的第二距离大于约4 μπι。
[0019]在该交错式通孔RDL中，从所述第三聚合物层中的所述第五聚合物通孔的上边缘至所述第六聚合物通孔的上边缘的第三距离大于约6 μπι。
[0020]根据本发明的又一方面，提供了一种形成封装件的交错式通孔再分布层(RDL)的方法，包括:在金属通孔上方形成第一聚合物层，所述第一聚合物层具有第一聚合物通孔；在所述第一聚合物层上和所述第一聚合物通孔内形成第一再分布层，所述第一再分布层电连接至所述金属通孔；在所述第一再分布层上形成第二聚合物层，所述第二聚合物层具有与所述第一聚合物通孔横向偏移的第二聚合物通孔；在所述第二聚合物层上以及所述第二聚合物通孔内形成第二再分布层，所述第二再分布层电连接至所述第一再分布层；在所述第二再分布层上形成第三聚合物层，所述第三聚合物层具有与所述第二聚合物通孔横向偏移的第三聚合物通孔；以及在所述第三聚合物层上和所述第三聚合物通孔内形成第三再分布层，所述第三再分布层电连接至所述第二再分布层。
[0021]该方法进一步包括使所述第三聚合物通孔与所述第一聚合物通孔垂直对准。
[0022]该方法进一步包括使所述第三聚合物通孔的中心线相对于所述第一聚合物通孔的中心线偏移约I μπι。
[0023]该方法进一步包括将所述第二聚合物层的一部分设置在所述第一聚合物通孔中，以及将所述第三聚合物层的一部分设置在所述第二聚合物通孔中。
[0024]该方法进一步包括为所述第一聚合物通孔、所述第二聚合物通孔和所述第三聚合物通孔中的每个都提供圆形外围。
[0025]该方法进一步包括为所述第一聚合物外围、所述第二聚合物通孔和所述第三聚合物通孔中的每个都提供正方形外围和八边形外围中的一种。
【附图说明】
[0026]为了更全面地理解本发明及其优势，现将结合附图所进行的以下描述作为参考，其中:
[0027]图1示出了具有交错式通孔再分布层(RDL)的封装件10的实施例的代表性部分；
[0028]图2示出了在另一个实施例中具有交错式通孔再分布层(RDL)的封装件10的实施例的代表性部分；
[0029]图3示出了在另一个实施例中的具有交错式通孔再分布层(RDL)的封装件10的实施例的代表性部分；
[0030]图4示出了聚合物通孔布局图案的实施例的俯视图；
[0031]图5不出了聚合物通孔布局图案的另一个实施例的俯视图；
[0032]图6示出了具有添加的尺寸线的图5的聚合物通孔布局图案的实施例；
[0033]图7示出了具有添加的尺寸线的聚合物通孔布局图案的另一个实施例；
[0034]图8至图10示出了包括不同形状的聚合物通孔的聚合物布局图案的实施例；
[0035]图11示出了图1至图3所示的再分布层的所适用的封装件的实施例；以及
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