可以使用保护下面的波长转换层64的任何适当的材料，包括例如硅树脂和环氧树脂。保护层68可以通过任何适当的技术形成，包括但不限于喷涂、制版、成型、层压和旋铸。在一个实例中，在波长转换层64上方层压预形成的硅树脂保护膜68。保护膜68的厚度在一些实施例中可以为至少0.5Mm,在一些实施例中为至少2Mm，在一些实施例中不超过50Mm，并且在一些实施例中不超过180Mm。
[0030]在形成保护膜68之后，波长转换层64和保护膜68覆盖LED 60的侧面并且设置在相邻LED 60之间的区域70中。在一些实施例中，形成防止光从LED 60的侧面逃逸的结构。因此，在图6中，从相邻LED 60之间的区域70中移除波长转换层64和保护膜68。在一些实施例中，区域70中的材料可以经由通过波长转换层64和保护膜68锯切、停止于底座62上而移除。尽管图6图示出通过在LED 60之间的区域中锯切而移除波长转换层64的整个厚度，但是在一些实施例中，波长转换层64的部分和保护膜68通过锯切而移除，使得波长转换层64的部分在锯切之后保留在区域70中。锯切之后保留在LED 60之间的波长转换层64的部分可以在后面的处理步骤中移除，或者可以保留为最终结构的部分。区域70的宽度在一些实施例中可以为至少lOOMm，并且在一些实施例中不超过500Mm。在一些实施例中，使用产生125Mm与225Mm之间宽度的切口的锯。区域70中的材料可以利用单次锯切或者利用多次切割而移除。在一些实施例中，从图2中所示的接合垫72移除波长转换层64和保护膜68，使得诸如丝焊之类的到外部结构的电连接可以在接合垫72上形成。在锯切(以及在一些实施例中移除锯切之后留下的波长转换材料的进一步处理)之后，波长转换层64和保护膜68仅仅保留在LED 60顶部上方。波长转换层64和保护膜68从LED 60的侧面以及从LED 60之间的区域70中被移除。
[0031]在图7中，在LED 60和底座62上方形成反射材料74。反射材料74填充相邻LED60之间的区域70。反射材料74可以是例如诸如1102或者氧化铝颗粒之类的设置在诸如硅树脂之类的透明或反射支撑基质中的反射颗粒。反射材料层74可以通过将反射颗粒和支撑基质的混合物挤压到区域70中而形成。如图7中所示，反射材料74可以设置在LED 60顶部上方的区域76中。
[0032]在图8中，使反射材料74变薄以便暴露LED 60上方的保护膜68的顶部78。保护膜68在反射材料74被移除的同时保护波长转换层64免于损坏。过量的反射材料74可以通过任何适当的技术移除，该技术包括例如蚀刻或者诸如微珠喷射和磨削之类的机械技术。在一些实施例中，过量的反射材料74通过微珠喷射而移除，并且保护膜68足够厚以便适应微珠喷射的移除变化而不损坏波长转换层64。
[0033]在一些实施例中，在移除过量的反射材料74之后，图8中所示的结构的顶面基本上是平坦的。该平坦顶面包括LED 60所在区域中的保护膜的顶面78以及LED 60之间的区域中的反射材料74的顶面。LED 60之间的区域70中的反射材料74防止光从LED 60的侧面、波长转换层64的侧面以及保护膜68的侧面逃逸，使得大部分光通过LED 60、波长转换层64和保护膜68的顶部被提取。在一些实施例中，反射材料74直接接触LED 60、波长转换层64和保护膜68的侧面，如图8中所示。
[0034]在一些实施例中，粗糙化、纹理化或者图案化保护膜68的顶面78以便改进光提取。该表面上的粗糙化、纹理化或者图案化可以通过移除过量的反射材料74的相同工艺形成，或者在一个或多个单独的处理步骤中形成。
[0035]图9、图10、图11和图12图示出对图4、图5、图6、图7和图8中所示的工艺的可能的修改。
[0036]在图9中，模具90置于所述结构上方，接着如上面参照图4所描述的在LED 60上方形成波长转换层64。模具90可以防止波长转换层64在接合垫72上方形成，或者可以降低在接合垫72上方形成的波长转换材料的厚度。模具90的部分94可以防止波长转换层64在邻近LED 60之间形成，或者可以降低在这些区域中形成的波长转换材料的厚度。模具90中的开口 92置于LED 60上方。
[0037]在图10中，模具96置于所述结构上方，接着保护膜68如上面参照图5所描述的在该结构上方形成。模具96可以防止保护膜68在接合垫72上方形成，或者可以降低在接合垫72上方形成的保护材料的厚度。模具96中的开口 98置于LED 60上方。
[0038]在各个不同的实施例中，图9和图10中所示的任一模具可以防止材料在接合垫72上方、在LED 60之间的区域上方形成或者这二者。不同的模具可以在不同的处理步骤期间使用，如图9和图10中所示，或者可以使用相同的模具。
[0039]在图11中，例如如上面参照图6所描述的通过锯切移除波长转换层64和保护膜68的部分。与图6形成对照的是，在图11中，只有结构边缘处的保护膜和波长转换层(即覆盖接合垫72的保护膜和波长转换层)被移除。LED 60之间的保护膜和波长转换层未被移除。锯切可以终止于接合垫72上，如图11中所示，使得一些波长转换材料100留在接合垫72与LED 60之间。在一些实施例中，锯切终止于波长转换层64的中途，使得一些波长转换材料保留在接合垫72上方。锯切之后保留在接合垫72上方的任何波长转换材料可以在后面的处理步骤中，例如在上面参照图8所描述的移除过量反射材料74的微珠喷射期间移除。
[0040]在图12中，在图11中所示的锯切之后，如上面参照图7所描述的，反射材料74在所述结构上方形成。反射材料74可以使用模具沉积，该模具可以防止反射材料在接合垫72上方形成，或者可以降低在接合垫72上方形成的反射材料的厚度。然后，如上面参照图8所描述的，移除覆盖LED 60上方的保护膜68顶部的过量反射材料，在一些实施例中形成平坦表面。通常，从接合垫72移除接合垫72上方的任何反射材料以便形成到接合垫72的电接触。可以在移除覆盖LED 60上方的保护膜68顶部的反射材料的同时，移除覆盖接合垫72的任何反射材料。
[0041]详细地描述了本发明之后，本领域技术人员应当理解，给定本公开，可以在不脱离本文所描述的发明构思的精神的情况下对本发明做出修改。因此，并不预期本发明的范围限于所图示和描述的特定实施例。
【主权项】
1.一种结构，包括: 附接到底座的多个LED ； 设置在LED上方的波长转换层； 设置在波长转换层上方的透明层；以及 设置在相邻LED之间的反射材料。
2.权利要求1的结构，其中该结构的顶面是基本上平坦的。
3.权利要求2的结构，其中所述顶面包括所述顶面在LED上方的部分中的透明层的表面以及所述顶面在LED之间的区域中的部分中的反射材料的表面。
4.权利要求1的结构，其中透明层的顶面被粗糙化、纹理化或者图案化。
5.权利要求1的结构，其中反射材料直接接触LED的侧面。
6.权利要求1的结构，其中在相邻LED之间的区域中，反射材料直接接触底座。
7.权利要求1的结构，其中在相邻LED之间的区域中，反射材料直接接触设置在底座上的波长转换层的部分。
8.一种方法，包括: 提供附接到底座的多个LED ； 在LED和底座上方形成波长转换层； 在波长转换层上方形成保护层； 移除波长转换层和保护层的部分；以及 在所述移除波长转换层和保护层之后，在其中移除了波长转换层和保护层的部分的区域中形成反射层。
9.权利要求8的方法，其中移除波长转换层和保护层的部分包括从LED之间的区域中移除波长转换层和保护层的部分。
10.权利要求8的方法，其中底座包括邻近LED设置的底座上的金属垫，并且移除波长转换层和保护层的部分包括从金属垫上方的区域中移除波长转换层和保护层的部分。
11.权利要求8的方法，其中形成波长转换层包括在所述多个LED和底座上方层压设置在透明材料中的波长转换材料膜。
12.权利要求8的方法，其中在波长转换层上方形成保护层包括在波长转换层上方层压硅树脂层。
13.权利要求8的方法，其中移除波长转换层和保护层包括锯切波长转换层和保护层。
14.权利要求13的方法，其中锯切终止于底座上。
15.权利要求13的方法，其中锯切终止于设置在底座上的金属垫上。
16.权利要求13的方法，其中锯切终止于波长转换层内。
17.权利要求8的方法，其中形成反射层包括在LED上方形成的保护层上方形成反射层，该方法进一步包括使反射层变薄以便暴露保护层的顶面。
18.权利要求8的方法，进一步包括平坦化顶面，该顶面包括LED所在的区域中的保护层的顶面以及LED之间的区域中的反射层的顶面。
19.一种方法，包括 提供附接到底座的多个半导体发光设备； 在半导体发光设备和底座上方形成波长转换层，该波长转换层包括设置在透明材料中的波长转换材料； 在波长转换层上方形成透明层； 锯切掉波长转换层和透明层的部分； 在透明层上方以及在其中锯切掉波长转换层和透明层的部分的区域中形成反射层；以及 移除反射层的部分以便形成平坦表面。
【专利摘要】依照本发明实施例的结构包括附接到底座的多个LED。波长转换层设置在LED上方。透明层设置在波长转换层上方。反射材料设置在相邻LED之间。
【IPC分类】H01L25-075
【公开号】CN104781931
【申请号】CN201380058247
【发明人】A.D.施里克, K.K.麦, G.巴辛
【申请人】皇家飞利浦有限公司
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2013年10月25日
【公告号】EP2917938A1, US20150280083, WO2014072865A1