用于tab封装的载带及其制造方法
【专利说明】用于TAB封装的载带及其制造方法
[0001]本申请是申请日为2010年2月23日、申请号为201010121334.6、发明名称为“用于TAB封装的载带及其制造方法”的中国专利申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求2009年11月2日提交的韩国专利申请第10-2009-0105177号的优先权，该专利申请通过引用全文并入本文。
技术领域
[0004]本发明涉及用于TAB封装的载带及其制造方法。
【背景技术】
[0005]通常，半导体芯片可以通过多种方法电连接至衬底。例如，将半导体芯片电连接至衬底的方法可包括导线接合法、焊接法和带式自动接合(TAB)法。
[0006]带式自动接合(TAB)技术可采用内引线接合(ILB)进行内部连接。TAB技术还可利用卷绕型带式布线板提供卷至卷封装组合件。通过TAB制造的封装被称为TAB封装。
[0007]带式封装是利用带式衬底的半导体封装。带式封装可分为带载封装(TCP)或膜上芯片(COF)封装。
[0008]TCP可具有如下结构:半导体芯片通过内引线接合(ILB)工艺接合至通过带式衬底的窗口(器件孔)暴露出的内引线。TCP使得半导体芯片可以内引线接合至TAB带。内引线接合部可使用液体模塑料通过底部填充工艺(under-fill process)进行密封。
[0009]COF封装可具有如下结构:半导体芯片安装在无窗口的带式衬底上，并且通过倒装芯片接合工艺安装。例如，COF封装的半导体芯片可以安装在基膜上。在该情况下，在半导体芯片的外围区域形成凸点并且通过倒装芯片接合工艺将半导体芯片经所述凸点安装在所述基膜上。
[0010]换言之，常规的COF封装与TCP封装在多个方面存在差异。例如，TCP经常在带中形成有裁切的窗口以使背侧可见并为安装的半导体芯片提供通路，而COF封装通常没有窗
□ O
【发明内容】
[0011]因此，本发明可在半导体封装制造过程中提供可靠性，其原因是在驱动集成电路(IC)和芯片/驱动集成电路(IC)之间进行组装过程时由驱动辊产生摩擦的齿孔行处不存在铜或金属图案层，由此避免了诸如铜颗粒的缺陷。
[0012]在本发明的一个通用方面中，包括在基膜上形成的布线图案和金属镀覆层的TAB带包括传送区，所述传送区包括沿所述基膜的边缘以预定间隔排列的齿孔行，其中所述传送区包括从中暴露出所述基膜的暴露区。
[0013]在一些示例性实施方案中，所述传送区可包括在所述齿孔行的外周形成的金属镀覆层图案。
[0014]在一些示例性实施方案中，所述金属镀覆层图案可形成在与所述齿孔行相邻的图案区或者在与所述齿孔行分离的图案区。特别地，与所述齿孔行分离的图案区可形成有包括与所述齿孔行分离的至少一个或更多个镀覆线的结构。
[0015]在TAB带中形成金属镀覆层的金属可包括Cu、N1、Pd、Au、Sn、Ag和Co中的任一种金属或所述金属的二元合金或三元合金。
[0016]在本发明的另一通用方面中，一种制造用于TAB封装的载带的方法包括:在基膜上形成包括齿孔行和输入/输出端子图案的电路图案，其中在所述基膜边缘形成的传送区处形成暴露区。
[0017]在一些示例性实施方案中，形成电路图案的步骤包括:在绝缘膜的表面活化处理工艺之后通过光刻工艺形成电路图案，其中通过选择性蚀刻工艺形成在所述传送区处形成的暴露区。
[0018]在一些示例性实施方案中，所述表面活化处理工艺可使用Cu、N1、Pd、Au、Sn、Ag和Co中的任一种金属或所述金属的二元合金或三元合金形成单层或多层的镀覆处理层。
[0019]在一些示例性实施方案中，形成暴露区的步骤可包括:(al)涂覆光刻胶层；和(a2)通过光刻工艺，利用配有选择性移除区域图案的光掩模在所述传送区上形成光刻胶层O
【附图说明】
[0020]附图用以提供对本发明的进一步理解，并且所述附图并入本申请中并构成本申请的一部分，附图与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
[0021]图1是示出TAB带式封装的概念图；
[0022]图2a和2b分别是TAB带的结构图和包括根据本发明的TAB带的传送区的放大视图；
[0023]图2c是制造根据本发明的TAB带的流程图；
[0024]图3是示出图1的TAB带的传送区中的缺陷产生程度和在根据本发明的TAB带的传送区中的缺陷产生程度的图像照片。
【具体实施方式】
[0025]下文中，将参照附图详细描述本发明的实施。为了简明和清楚起见，省略了公知的功能、配置或结构的详细说明，以免使本发明因不必要的细节而不清楚。
[0026]本文所用的术语仅用于描述具体实施的目的，而无意于限制本发明。本文中的无数量词限定的要素意图包括单数和复数的形式，除非在上下文中有明确相反的指示。
[0027]此外，相同的附图标记将指示【附图说明】中相同的要素，并且将省略相互重复的说明。
[0028]参照图la，TAB封装(I)可具有如下结构:半导体芯片(10)通过内引线接合工艺接合至TAB带(20)的布线图案(23)。内引线接合部可使用液体模塑料通过底部填充工艺进行密封或保护。
[0029]半导体芯片(10)的有效表面可形成有输入/输出(I/O)垫(14、16)，I/O垫(14、16)具有微细间距以解决I/O垫(14、16)数目增多的问题，并且I/O垫(14、16)可以实现为在有效表面(12)外周处形成的边缘垫型半导体芯片。
[0030]TAB带(20)可具有在基膜(21)上形成布线图案(23)的结构。半导体从基膜(21)的中心处内引线接合至布线图案(23)，并且沿基膜(21)的边缘以预定间隔设置齿孔(29)行。
[0031]布线图案(23)可包括相对于半导体芯片(10)延伸至基膜(21) —侧的输入端子图案(25)和相对于半导体芯片(10)延伸至基膜(21)另一侧的输出端子图案(27)。
[0032]输入端子图案(25)和输出端子图案(27)的末端可平行于齿孔(29)的排列延伸。
[0033]每个输入端子图案(25a)的一端可内引线接合至输入垫(14a)以供电或接地，而其它端可分别组合用于供电或接地。
[0034]然而，包括上述构造的TAB封装的TAB带的缺点在于:形成在基膜一侧上的导电金属层(例如铜层或Cu+Sn层)在显示装置的驱动期间不可避免地在Cu表面或Sn表面上产生擦痕，从而导致产生失效和缺陷。另一缺点在于Cu附聚物在组装期间渗漏到面板和驱动IC之间，从而降低生产率并因缺陷增加而使可靠性变差。
[0035]本发明提供一种用于TAB封装的载带及其制造方法，其通过选择性蚀刻移除TAB带传送区的金属层并形成暴露出基膜的暴露区而基本不产生金属颗粒，由此能够提高产品的可靠性。
[0036]图2a是示出根据本发明的TAB带的示意图。
[0037]更具体而言，图2a是图1a的TAB带的一般构造，尤其是包括齿孔(150)行的传送区(X)。本发明的TAB带可用于前述TCP或COF的任意结构，尤其可用于COF封装。
[0038]本发明的示例性实施方案将着重于COF封装。
[0039]根据本发明具有TAB封装的TAB带可主要包括输出和输入电路图案(130、140)、作为内引线区的安装芯片的区域(120)和形成有齿孔(150)行以通过辊传送的传送区(X)。
[0040]根据本发明的传送区(X)在结构层方面可与常规传送区不同。也就是说，常规传送区形成有如下结构:整个TAP带形成有Cu或Sn金属层，其中所述金属层形成在整个传送区上，而该过程是一个导致产生大量瑕疵或缺陷的过程。
[0041]而本发明具有如下结构:在传送区内暴露出基膜，即存在根据本发明的不形成金属图案层如Cu或Sn层的区域，从而大幅减少缺陷的产生。
[0042]现在将参照图2b描述传送区的形成结构。
[0043]参照图2b(a)，传送区⑴包括暴露出基膜的暴露区(160)以及齿孔行，每个齿孔均以预定间隔形成。可以以距离齿孔预定的间隔形成至少一个或更多个镀覆线(170)。也就是说，可以在齿孔的外周处形成金属镀覆层图案。在本发明的示例性实施方案中，在镀覆线(170)的结构中形成“金属镀覆层图案”。
[0044]图2b (b)示出其中齿孔被“金属镀覆层图案”包裹的结构(171)。虽然附图显示齿孔的整个外周均被金属镀覆层图案均匀包裹的结构，但是本发明的示例性实施方案不限于该结构。相反，