融化状况。
[0029]如图11所示，所述柔性托架103包括安装在工作箱体100底部安装孔108中的支撑杆109，支撑杆109的上部设置托架110，托架110与工作箱体100之间设置弹簧111，托架110的上表面用于支撑晶圆1，通过弹簧111的弹性支撑，可以有效的防止晶圆碎片的危险，提高了良率。另外，在所述工作箱体100底部安装孔108的边缘设置凸起的围挡部112，在托架110的边缘朝下方设置限位围边113，限位围边113围绕在围挡部112的外圈，可以起到一定的限位作用。
[0030]实施例:一种微凸点的制备工艺，包括以下工艺步骤:
(1)如图1所示，在晶圆I上表面电镀Ti/Cu种子层2，Ti/Cu种子层2的厚度为100?300nm ；
(2)如图2所示，在Ti/Cu种子层2上涂覆光刻胶3;所述光刻胶3的厚度依据所制备的铜柱凸点的高度而定，一般为30?100 μπι ;
(3)如图3所示，在光刻胶3表面制备阻焊层4，阻焊层4可采用丝网印刷、喷涂或涂覆等方式制备，阻焊层4的厚度为5?20 μ m ;
(4)如图4所示，在光刻胶3上制作开口5，开口 5由阻焊层4延伸至Ti/Cu种子层2的上表面；
(5)如图5所示，在光刻胶3的开口5中电镀铜，得到铜柱6 ;铜柱6的高度根据需要设定，一般为10?80 μ m ;
(6)如图6所示，在铜柱6的上方填充钎料合金得到钎料合金层7，钎料合金层7的上表面与阻焊层4平齐；填充钎料合金时，采用如图10所示提高微凸点制备良率的装置进行操作，加热后融化状况的钎料合金由填充头的进料口进入，再通过填充头的喷嘴向开口 5处进行填充，通过控制喷嘴宽度、融化状况钎料合金黏度及压力差精确控制钎料合金注入的速度；同时用红外灯对晶圆进行加热，保持钎料合金处于融化状态；
(7)填充钎料合金后，采用氮气将晶圆表面多余的钎料合金喷除；
(8)如图7所示，将步骤(7)处理后的晶圆上表面的光刻胶3剥离，使光刻胶3下方的Ti/Cu种子层2暴露于表面；
(9)如图8所示，回流操作使钎料合金形成凸点8;
(10)如图9所示，采用化学刻蚀法刻蚀掉步骤(8)处理后暴露于表面的Ti/Cu种子层 2。
[0031]本发明针对IBM气体加热的方法，应用红外加热灯对晶圆进行加热，提供快速的加热方法，保持焊料融化状态。控制焊料喷嘴和腔体之间的压力差来控制焊料注入；同时，通过控制喷嘴狭缝宽度、焊料黏度及压力差可以精确控制焊料注入的速度。在光刻胶或干膜工艺结束后，在其表面制备一层阻焊层，然后填充钎料后应用气体将晶圆表面多余的钎料驱散。本发明可实现多余钎料的彻底清除，提高微凸点质量；另外，在晶圆的支撑台上制备柔性托架，有效的防止晶圆碎片的危险，提高了良率。
【主权项】
1.一种提高微凸点制备良率的装置，其特征是:包括工作箱体(100)，工作箱体(100)内部为微凸点制备腔体，工作箱体(100) —侧设置可闭合的上盖(102)，在上盖(102)的内侧设有多个红外加热灯管(107)，上盖(102)闭合后将微凸点制备腔体形成封闭空间；在所述工作箱体(100)内设置多个用于放置晶圆(I)的柔性托架(103)，在晶圆(I)的一侧安装钎料填充头(105 )，钎料填充头(105 )上设有喷嘴，钎料填充头(105 )与工作箱体(100 )外侧的进料嘴(106)连接。2.如权利要求1所述的提高微凸点制备良率的装置，其特征是:所述柔性托架(103)包括安装在工作箱体(100)底部安装孔(108)中的支撑杆(109)，支撑杆(109)的上部设置托架(110 )，托架(110 )与工作箱体(100 )之间设置弹簧(111)，托架(110 )的上表面为晶圆(O的支撑面。3.如权利要求2所述的提高微凸点制备良率的装置，其特征是:在所述工作箱体(100)底部安装孔(108)的边缘设置凸起的围挡部(112)，在托架(110)的边缘朝下方设置限位围边(113)，限位围边(113)围绕在围挡部(112)的外圈。4.一种微凸点的制备工艺，其特征是，包括以下工艺步骤: (1)在晶圆(I)上表面电镀Ti/Cu种子层(2); (2)在Ti/Cu种子层(2)上涂覆光刻胶(3); (3 )在光刻胶(3 )表面制备阻焊层(4 ); (4)在光刻胶(3)上制作开口(5)，开口(5)由阻焊层(4)延伸至Ti/Cu种子层(2)的上表面； (5)在光刻胶(3)的开口(5)中电镀铜，得到铜柱(6)，铜柱(6)的高度小于开口(5)的深度； (6)在铜柱(6)的上方填充钎料合金得到钎料合金层(7)，钎料合金层(7)的上表面与阻焊层(4)平齐；填充钎料合金时，将加热后融化状况的钎料合金由填充头的进料口进入，再通过填充头的喷嘴向开口(5)处进行填充；同时用红外灯对晶圆进行加热，保持钎料合金处于融化状态； (7)填充钎料合金后，采用氮气将晶圆表面多余的钎料合金喷除； (8)将步骤(7)处理后的晶圆上表面的光刻胶(3)剥离，使光刻胶(3)下方的Ti/Cu种子层(2)暴露于表面； (9)回流操作使钎料合金形成凸点(8); (10)刻蚀掉步骤(8)处理后暴露于表面的Ti/Cu种子层(2)。5.如权利要求4所述的微凸点的制备工艺，其特征是:所述Ti/Cu种子层(2)的厚度为100 ?300nmo6.如权利要求4所述的微凸点的制备工艺，其特征是:所述阻焊层(4)的厚度为5?20 μ mD
【专利摘要】本发明涉及一种提高微凸点制备良率的装置及微凸点的制备工艺，其特征是：包括工作箱体，工作箱体一侧设置上盖，在上盖的内侧设有多个红外加热灯管；在所述工作箱体内设置多个用于放置晶圆的柔性托架，在晶圆的一侧安装钎料填充头，钎料填充头上设有喷嘴。所述制备工艺，包括以下步骤：在晶圆上电镀Ti/Cu种子层，在Ti/Cu种子层上涂光刻胶，在光刻胶表面制备阻焊层，在光刻胶上制作开口；在开口中电镀铜；钎料合金由喷嘴向开口处进行填充；采用氮气将晶圆表面多余的钎料合金喷除；将光刻胶剥离，暴露光刻胶下方的Ti/Cu种子层；回流形成凸点；刻蚀掉暴露于表面的Ti/Cu种子层。本发明能够保持焊料融化状况，精确控制焊料注入；并有效防止晶圆碎片，提高良率。
【IPC分类】H01L21/67, H01L21/48, H01L21/687
【公开号】CN105006436
【申请号】CN201510306527
【发明人】何洪文, 曹立强, 于大全
【申请人】华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
【公开日】2015年10月28日
【申请日】2015年6月5日