鳍式场效应管基体制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种鳍式场效应管基体制备方法。
【背景技术】
[0002]随着集成电路的发展，器件尺寸越来越小，集成度越来越高。而且，随着半导体器件特征尺寸由于器件尺寸越来越小而不断减小，传统的平面半导体制造技术已经无法使用，目前鳍式场效应管在小尺寸领域被广发使用。
[0003]而在模拟电路中，例如在读出放大器和SRAM单等中，对晶体管的沟道宽度非常敏感，不同的电路性能需要调整沟道宽度来实现，而在鳍式场效应管结构中，鳍片的高度决定了沟道面积的大小。但是，传统的鳍式场效应管制造工艺只能制造相同高度的鳍片结构。
[0004]因此，需要一种多高度的鳍式场效应管的制造方法，以制造出具有不同鳍片高度的鳍式场效应管结构。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够制造出具有不同鳍片高度的鳍式场效应管结构的鳍式场效应管基体制备方法。
[0006]为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种鳍式场效应管基体制备方法，包括:第一步骤，其中提供半导体基体，并且在所述半导体基体上覆盖图案化的氮化物层；第二步骤，其中在所述图案化的氮化物层及暴露的半导体基体表面上覆盖氧化物层，并使得所述氧化物层平坦化；第三步骤，其中在所述氧化物层上覆盖图案化掩膜层，并利用图案化掩膜层蚀刻氧化物层，由此在所述图案化的氮化物层所对应的区域中形成第一凹陷，在未覆盖所述图案化的氮化物层的区域中形成第二凹陷；第四步骤，其中在所述第二凹陷中部分地填充半导体材料以形成第一鳍部；第五步骤，其中刻蚀所述第一凹陷以暴露所述半导体基体；第六步骤，其中在暴露所述半导体基体的所述第一凹陷中填充半导体材料以形成第二鳍部，并且同时在所述第二凹陷中进一步填充半导体材料以使得第一鳍部的高度增大；第七步骤，其中去除所述图案化掩膜层，并且部分去除所述氧化物层，使得暴露的第一鳍部和第二鳍部形成具有不同高度的鳍形半导体结构。
[0007]优选地，所述鳍式场效应管基体制备方法还包括第八步骤，在垂直于鳍形沟道的方向上，依次沉积高介电材料层和金属材料层。
[0008]优选地，所述鳍式场效应管基体制备方法还包括第八步骤，在垂直于鳍形沟道的方向上，依次沉积栅极氧化层和栅极多晶硅层。
[0009]优选地，在第四步骤中通过外延生长在所述第二凹陷中部分地填充半导体材料以形成第一鳍部。
[0010]优选地，在第六步骤中，通过外延生长，在暴露所述半导体基体的所述第一凹陷中填充半导体材料以形成第二鳍部，并且同时在所述第二凹陷中进一步填充半导体材料以使得第一鳍部的高度增大。
[0011]优选地，优选地，所述半导体材料层的材料为单晶硅、锗硅或碳硅。
[0012]优选地，所述图案化掩膜层由氮化硅和/或氧化硅构成。
[0013]优选地，所述半导体衬底是硅衬底。
[0014]优选地，所述半导体材料为硅。
【附图说明】
[0015]结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:
[0016]图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的鳍式场效应管基体制备方法的第一步骤。
[0017]图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的鳍式场效应管基体制备方法的第二步骤。
[0018]图3示意性地示出了根据本发明优选实施例的鳍式场效应管基体制备方法的第三步骤。
[0019]图4示意性地示出了根据本发明优选实施例的鳍式场效应管基体制备方法的第四步骤。
[0020]图5示意性地示出了根据本发明优选实施例的鳍式场效应管基体制备方法的第五步骤。
[0021]图6示意性地示出了根据本发明优选实施例的鳍式场效应管基体制备方法的第六步骤。
[0022]图7示意性地示出了根据本发明优选实施例的鳍式场效应管基体制备方法的第七步骤。
[0023]图8示意性地示出了根据本发明优选实施例的鳍式场效应管基体制备方法的第八步骤。
[0024]需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
【具体实施方式】
[0025]为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
[0026]图1至图8示意性地示出了根据本发明优选实施例的鳍式场效应管基体制备方法的各个步骤。
[0027]如图1至图8所示，根据本发明优选实施例的鳍式场效应管基体制备方法包括:
[0028]第一步骤，其中提供半导体基体10，并且在所述半导体基体10上覆盖图案化的氮化物层20 ;
[0029]第二步骤，其中在所述图案化的氮化物层20及暴露的半导体基体10表面上覆盖氧化物层30，并使得所述氧化物层30平坦化；
[0030]第三步骤，其中在所述氧化物层30上覆盖图案化掩膜层40，并利用图案化掩膜层40蚀刻氧化物层，由此在所述图案化的氮化物层20所对应的区域中形成第一凹陷50，在未覆盖所述图案化的氮化物层20的区域中形成第二凹陷60 ;
[0031]第四步骤，其中在所述第二凹陷60中部分地填充半导体材料以形成第一鳍部70 ;优选地，在第四步骤中通过外延生长在所述第二凹陷60中部分地填充半导体材料以形成第一鳍部70。
[0032]第五步骤，其中刻蚀所述第一凹陷50以暴露所述半导体基体10 ;
[0033]第六步骤，其中在暴露所述半导体基体10的所述第一凹陷50中填充半导体材料以形成第二