一种屏蔽二次电子轰击的x射线管的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及高能物理技术领域，具体是一种屏蔽二次电子轰击的X射线管的方法。
【背景技术】
[0002]X射线管工作时，阳极钨靶在承受高速电子的轰击产生X光的同时，不可避免的同时会产生二次电子。二次电子的发射类型可分为反射型、投射型和绝缘体的电子轰击导电型。X射线管在工作时，管壳部分的金属和绝缘体要承受高电压作用下散射电子的轰击，同时会有从阳极弹出的二次电子的轰击。这些电子的如果轰击到陶瓷与金属的封接面，会引起做为焊接陶瓷与金属材料载体的焊料的温升，温升严重时会产生漏气。电子在陶瓷材料上的附着会降低陶瓷的绝缘强度，激发管内闪烁，严重影响射线管的稳定工作。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于提供一种减少漏气率、提高绝缘强度的屏蔽二次电子轰击的X射线管的方法，以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案:
一种屏蔽二次电子轰击的X射线管的方法，具体步骤如下:
1)将陶瓷结构进行台阶式的缩口设计，把封接面隐藏在陶瓷结构和金属零件之间的狭缝中，避免二次电子的轰击；
2)在封接方式上，采取完全屏蔽式的外套封结构，将封接面完全隐藏起来；
3)在陶瓷结构的端面上，增加一个无氧铜屏蔽环。
[0005]作为本发明再进一步的方案:所述无氧铜屏蔽换位于陶瓷结构和金属零件之间。
[0006]与现有技术相比，本发明的有益效果是:
本发明通过对X射线管的封接结构进行合理设计，同时对陶瓷结构进行遮挡和均压设计，对二次电子和散射电子进行有效屏蔽，减少工作时电子对封接面和陶瓷结构的轰击与附着，减少射线管的漏气率，提高绝缘强度，保证射线管可靠稳定地工作。
【附图说明】
[0007]图1为采用本发明改造后的X射线管的结构示意图。
[0008]图2为图1中A处的结构示意图。
[0009]图3为图1中B处的结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]下面结合【具体实施方式】对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
[0011]请参阅图1-3，一种屏蔽二次电子轰击的X射线管的方法，具体步骤如下:
I)将陶瓷结构I进行台阶式的缩口设计，把封接面2隐藏在陶瓷结构I和金属零件3之间的狭缝中，避免二次电子的轰击；
2)在封接方式上，采取完全屏蔽式的外套封结构，将封接面2完全隐藏起来；
3)在陶瓷结构I的端面上，增加一个无氧铜屏蔽环4，无氧铜屏蔽换4位于陶瓷结构I和金属零件3之间，一方面避免散射电子和二次电子直接轰击和附着在陶瓷绝缘件表面，另一方面均衡了管内的电场，避免了电场的畸变。
[0012]本发明通过采用屏蔽二次电子轰击的结构设计，射线管的整管漏气率由12%下降为0.5%，通过对新结构的电子管子做电磁场分析，新管子的电场分布的均勾性有所提高，局部场强减弱，这非常有利于射线管在高电压下减少击穿，稳定的工作。
[0013]本发明通过对X射线管的封接结构进行合理设计，同时对陶瓷结构I进行遮挡和均压设计，对二次电子和散射电子进行有效屏蔽，减少工作时电子对封接面2和陶瓷结构I的轰击与附着，减少射线管的漏气率，提高绝缘强度，保证射线管可靠稳定地工作。
[0014]上面对本专利的较佳实施方式作了详细说明，但是本专利并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利宗旨的前提下作出各种变化。
【主权项】
1.一种屏蔽二次电子轰击的X射线管的方法，其特征在于，具体步骤如下: 1)将陶瓷结构(I)进行台阶式的缩口设计，把封接面(2)隐藏在陶瓷结构(I)和金属零件(3)之间的狭缝中，避免二次电子的轰击； 2)在封接方式上，采取完全屏蔽式的外套封结构，将封接面(2)完全隐藏起来； 3)在陶瓷结构(I)的端面上，增加一个无氧铜屏蔽环(4)。2.根据权利要求1所述的屏蔽二次电子轰击的X射线管的方法，其特征在于，所述无氧铜屏蔽换(4)位于陶瓷结构(I)和金属零件(3)之间。
【专利摘要】本发明公开了一种屏蔽二次电子轰击的X射线管的方法，具体步骤如下：将陶瓷结构进行台阶式的缩口设计，把封接面隐藏在陶瓷结构和金属零件之间的狭缝中，避免二次电子的轰击；在封接方式上，采取完全屏蔽式的外套封结构，将封接面完全隐藏起来；在陶瓷结构的端面上，增加一个无氧铜屏蔽环。本发明通过对X射线管的封接结构进行合理设计，同时对陶瓷结构进行遮挡和均压设计，对二次电子和散射电子进行有效屏蔽，减少工作时电子对封接面和陶瓷结构的轰击与附着，减少射线管的漏气率，提高绝缘强度，保证射线管可靠稳定地工作。
【IPC分类】H01J35/16, H01J9/26
【公开号】CN105118761
【申请号】CN201510585352
【发明人】刘斌, 张晓梅, 黎花, 王学斌, 曾春晖, 陈华北
【申请人】成都凯赛尔电子有限公司
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年9月16日