备蒸发金属蒸发料，在步骤（8)得到的环形窗口和 直径为70 ym的圆形窗口上沉积Ni/Au电极，沉积厚度为Ni :50nm，Au :20nm ;
[0121] (10)用丙酮和去离子水清洗步骤（9)中得到的样品，并用干燥的N2吹干，得到 p-Si/n_ZnSnN2 异质结。
[0122] (11)对P-SiAi-ZnSnN2异质结进行热处理，所述热处理的条件为：氮气气氛下， 200°C 下保温 180min。
[0123] 实施例3
[0124] (1)将P〈0. 0015 Ω cm的p型单抛硅片切为1. 5*1. 5cm2的样品硅片，并清洗烘干；
[0125] (2)在p型Si上沉积ZnSnN2。室温下溅射，设定本底真空度为6 X 10 4Pa。在真空 条件下采用磁控溅射方法，溅射功率为120W，工作气压为2. OPa，用N离子轰击阴极锌锡合 金靶材，使得靶材原子溅射并与N离子反应生成ZnSnN2, ZnSnN2厚度为120nm。
[0126] (3)在样品ZnSnN2表面旋涂一层光刻胶，形成第一掩膜；
[0127] (4)利用紫外光刻第一掩膜；
[0128] (5)利用腐蚀液腐蚀未被光刻胶保护的ZnSnN2，得到的ZnSnN2横截面圆的直径为 100 μ m〇
[0129] (6)利用丙酮和去离子水清洗步骤（5)残留的光刻胶；
[0130] (7)在Si-ZnSnN2复合体表面旋涂一层光刻胶，形成第二掩膜；
[0131] (8)利用紫外光刻第二掩膜，在p型Si表面形成环形窗口，同时在ZnSnN2半导体 层上形成圆形窗口，环形窗口将2]13111'1 2半导体层围设在其内圆环中；
[0132] (9)室温下利用电子束蒸发设备蒸发金属蒸发料，在步骤（8)得到的环形窗口和 直径为70 ym的圆形窗口上沉积Ni/Au电极，沉积厚度为Ni :50nm，Au :20nm ;
[0133] (10)用丙酮和去离子水清洗步骤（9)中得到的样品，并用干燥的N2吹干，得到 p-Si/n_ZnSnN2 异质结。
[0134] (11)对P-SiAi-ZnSnN2异质结进行热处理，所述热处理的条件为：氮气气氛下， 300°C 下保温 180min。
[0135] 实施例4
[0136] (1)将P〈0. 0015 Ω cm的p型单抛硅片切为1. 5*1. 5cm2的样品硅片，并清洗烘干；
[0137] (2)在p型Si上沉积ZnSnN2。室温下溅射，设定本底真空度为6 X 10 4Pa。在真空 条件下采用磁控溅射方法，溅射功率为120W，工作气压为2. OPa，用N离子轰击阴极锌锡合 金靶材，使得靶材原子溅射并与N离子反应生成ZnSnN2, ZnSnN2厚度为120nm。
[0138] (3)在样品ZnSnN2表面旋涂一层光刻胶，形成第一掩膜；
[0139] (4)利用紫外光刻第一掩膜；
[0140] (5)利用腐蚀液腐蚀未被光刻胶保护的ZnSnN2，得到的ZnSnN2横截面圆的直径为 100 μ m〇
[0141] (6)利用丙酮和去离子水清洗步骤（5)残留的光刻胶；
[0142] (7)在Si-ZnSnN2复合体表面旋涂一层光刻胶，形成第二掩膜；
[0143] (8)利用紫外光刻第二掩膜，在p型Si表面形成环形窗口，同时在ZnSnN2半导体 层上形成圆形窗口，环形窗口将2]13111'12半导体层围设在其内圆环中；
[0144] (9)室温下利用电子束蒸发设备蒸发金属蒸发料，在步骤（8)得到的环形窗口和 直径为70 ym的圆形窗口上沉积Ni/Au电极，沉积厚度为Ni :50nm，Au :20nm ;
[0145] (10)用丙酮和去离子水清洗步骤（9)中得到的样品，并用干燥的N2吹干，得到 p-Si/n_ZnSnN2 异质结。
[0146] (11)对P-SiAi-ZnSnN2异质结进行热处理，所述热处理的条件为：氮气气氛下， 350°C 下保温 180min。
[0147] 实施例5
[0148] (1)将P〈0. 0015 Ω cm的p型单抛硅片切为1. 5*1. 5cm2的样品硅片，并清洗烘干；
[0149] (2)在p型Si上沉积ZnSnN2。室温下溅射，设定本底真空度为6 X 10 4Pa。在真 空条件下采用磁控溅射方法，溅射功率为120W，工作气压为2. OPa，用N离子轰击阴极锌锡 合金祀材，使得祀材原子派射并与N离子反应生成ZnSnN2, ZnSnN2厚度为60nm。
[0150] (3)在样品ZnSnN2表面旋涂一层光刻胶，形成第一掩膜；
[0151] (4)利用紫外光刻第一掩膜；
[0152] (5)利用腐蚀液腐蚀未被光刻胶保护的ZnSnN2，得到的ZnSnN2横截面圆的直径为 100 μ m〇
[0153] (6)利用丙酮和去离子水清洗步骤（5)残留的光刻胶；
[0154] (7)在Si-ZnSnN2复合体表面旋涂一层光刻胶，形成第二掩膜；
[0155] (8)利用紫外光刻第二掩膜，在p型Si表面形成环形窗口，同时在ZnSnN2半导体 层上形成圆形窗口，环形窗口将2]13111'1 2半导体层围设在其内圆环中；
[0156] (9)室温下利用电子束蒸发设备蒸发金属蒸发料，在步骤（8)得到的环形窗口和 直径为70 μ m的圆形窗口上沉积Ag电极，沉积厚度为70nm ;
[0157] (10)用丙酮和去离子水清洗步骤（9)中得到的样品，并用干燥的N2吹干，得到 p-Si/n_ZnSnN2 异质结。
[0158] (11)对P-SiAi-ZnSnN2异质结进行热处理，所述热处理的条件为：氮气气氛下， 350°C 下保温 180min。
[0159] 实施例6
[0160] (1)将P〈0· 0015 Ω cm的p型单抛硅片切为L 5*1. 5cm2的样品硅片，并清洗烘干；
[0161] (2)在p型Si上沉积ZnSnN2。室温下溅射，设定本底真空度为6 X 10 4Pa。在真空 条件下采用磁控溅射方法，溅射功率为120W，工作气压为2. OPa，用N离子轰击阴极锌锡合 金靶材，使得靶材原子溅射并与N离子反应生成ZnSnN2, ZnSnN2厚度为120nm。
[0162] (3)在样品ZnSnN2表面旋涂一层光刻胶，形成第一掩膜；
[0163] (4)利用紫外光刻第一掩膜；
[0164] (5)利用腐蚀液腐蚀未被光刻胶保护的ZnSnN2，得到的ZnSnN2横截面圆的直径为 100 μ m〇
[0165] (6)利用丙酮和去离子水清洗步骤（5)残留的光刻胶；
[0166] (7)在Si-ZnSnN2复合体表面旋涂一层光刻胶，形成第二掩膜；
[0167] (8)利用紫外光刻第二掩膜，在p型Si表面形成环形窗口，同时在ZnSnN2半导体 层上形成圆形窗口，环形窗口将2]13111'1 2半导体层围设在其内圆环中；
[0168] (9)室温下利用电子束蒸发设备蒸发金属蒸发料，在步骤（8)得到的环形窗口和 直径为70 μ m的圆形窗口上沉积Ag电极，沉积厚度为70nm ;
[0169] (10)用丙酮和去离子水清洗步骤（9)中得到的样品，并用干燥的N2吹干，得到 p-Si/n_ZnSnN2 异质结。
[0170] (11)对P-SiAi-ZnSnN2异质结进行热处理，所述热处理的条件为：氮气气氛下， 350°C 下保温 180min。
[0171] 实施例7
[0172] (1)将P〈0. 0015 Ω cm的p型单抛硅片切为1. 5*1. 5cm2的样品硅片，并清洗烘干；
[0173] (2)在p型Si上沉积ZnSnN2。室温下溅射，设定本底真空度为6 X 10 4Pa。在真空 条件下采用磁控溅射方法，溅射功率为120W，工作气压为2. OPa，用N离子轰击阴极锌锡合 金靶材，使得靶材原子溅射并与N离子反应生成ZnSnN2, ZnSnN2厚度为200nm。
[0174] (3)在样品ZnSnN2表面旋涂一层光刻胶，形成第一掩膜；
[0175] (4)利用紫外光刻第一掩膜；
[0176] (5)利用腐蚀液腐蚀未被光刻胶保护的ZnSnN2，得到的ZnSnN2横截面圆的直径为 100 μ m〇
[0177] (6)利用丙酮和去离子水清洗步骤（5)残留的光刻胶；
[0178] (7)在Si-ZnSnN2复合体表面旋涂一层光刻胶，形成第二掩膜；
[0179] (8)利用紫外光刻第二掩膜，在p型Si表面形成环形窗口，同时在ZnSnN2半导体 层上形成圆形窗口，环形窗口将2]13111'1 2半导体层围设在其内圆环中；
[0180] (9)室温下利用电子束蒸发设备蒸发金属蒸发料，在步骤（8)得到的环形窗口和 直径为70 μ m的圆形窗口上沉积Ag电极，沉积厚度为70nm ;
[0181] (10)用丙酮和去离子水清洗步骤（9)中得到的样品，并用干燥的N2吹干，得到 p-Si/n_ZnSnN2 异质结。
[0182] (11)对P-SiAi-ZnSnN2异质结进行热处理，所述热处理的条件为：氮气气氛下， 350°C 下保温 180min。
[0183] 实施例8
[0184] (1)将P〈0. 0015 Ω cm的p型单抛硅片切为1. 5*1. 5cm2的样品硅片，并清洗烘干；
[0185] (2)在p型Si上沉积ZnSnN2。室温下溅射，设定本底真空度为6 X 10 4Pa。在真空 条件下采用磁控溅射方法，溅射功率为120W，工作气压为2. OPa，用N离子轰击阴极锌锡合 金靶材，使得靶材原子溅射并与N离子反应生成ZnSnN2, ZnSnN2厚度为120nm。
[0186] (3)在样品ZnSnN2表面旋涂一层光刻胶，形成第一掩膜；
[0187] (4)利用紫外光刻第一掩膜；
[0188] (5)利用腐蚀液腐蚀未被光刻胶保护的ZnSnN2，得到的ZnSnN2横截面圆的直径为 200 μ m〇
[0189] (6)利用丙酮和去离子水清洗步骤（5)残留的光刻胶；
[0190] (7)在Si-ZnSnN2复合体表面旋涂一层光刻胶，形成第二掩膜；
[0191] (8)利用紫外光刻第二掩膜，在p型Si表面形成环形窗口，同时在ZnSnN2半导体 层上形成圆形窗口，环形窗口将2]13111'1 2半导体层围设在其内圆环中；
[0192] (9)室温下利用电子束蒸发设备蒸发金属蒸发料，在步骤（8)得到的环形窗口和 直径为70 ym的圆形窗口上沉积Ni/Au电极，沉积厚度为Ni :50n