光电二极管214的感度；四角形标记的图线图表示遮光膜216-2’没有遮光壁301的位相差检测用像素的光电二极管214的感度。
[0181]图14的曲线图也表明，受光角度分布的低侧输出增大，而高侧输出保持。
[0182]由于位相差检测用像素的特性类似于成像用像素之处在于，受光角度分布的低侧输出增大，而高侧输出保持，所以位相差检测用像素可以用作成像用像素。尽管未示出，成像用像素的受光角度分布在O度的角度具有最大值，并且最大值和最小值之间的感度的差很小。
[0183]因为最大值和最小值之间的感度的差通过保持受光角度分布的高侧输出和增大低侧输出而减小，从而提供类似于成像元件的特性，所以位相差检测用像素可以用作成像用像素。此外，在位相差检测用像素的遮光膜上形成遮光壁不改变成像用像素的结构，因此不影响成像用像素的特性，使得可以实现位相差检测用像素的特性的上述调整。
[0184]按此方式，受光角度分布的高侧输出的入射光可以通过遮光壁301来控制，并且低侧输出的入射光可以通过遮光膜216来控制。这样允许个别地控制感度的高侧输出和低侧输出。
[0185]遮光壁301具有图12所示的矩形形状，并且如上所述设置在遮光膜216-2的表面的端部。遮光壁301的形状和位置不限于图12所示的形状和位置。
[0186]图15示出遮光壁301的另一个例子。图15A所示的例子表示其中遮光壁301的截面具有三角形形状的遮光壁301A。一部分具有预定高度的那些形状，如遮光壁301A，可以用作遮光壁。
[0187]在图15B所示的例子中，遮光壁301未设置在遮光膜216-2的端部，相反遮光壁301B设置在距离遮光膜216的上表面的端部很小距离。如遮光壁301B那样，遮光壁301B可以设置在遮光膜216上的任何位置，并且感度可以通过遮光壁301B的位置和高度来调整。
[0188]遮光壁301的形状和位置相应地涉及到感度的调整，并且可以是提供所需感度的任何形状和位置。在第二至第八实施方案中，尽管省略了说明，但是遮光壁的形状和位置可以是像第一实施方案中那样提供所需感度的任何形状和位置。
[0189]<根据第二实施方案的焦点检测装置的构成>
[0190]图16是根据第二实施方案的焦点检测装置的位相差检测用像素的侧视截面图。在图16所示的焦点检测装置的位相差检测用像素中，与图12所示的焦点检测装置的位相差检测用像素相同的部分被给予相同的附图标记，并且对于相同部分的说明被适当地省略。
[0191]在图16所示的位相差检测用像素中，遮光壁302设置在遮光膜216-2’上。遮光壁302-1设置在遮光膜216-2’的靠近微透镜220-2的上表面上，遮光壁302-2设置在遮光膜216-2的靠近微透镜220-3的上表面上。
[0192]遮光壁302-1和302-2位于遮光膜216-2’的两端并且相对于遮光膜216-2’具有预定的垂直高度。遮光壁302设置在开口部230旁边。
[0193]这里持续说明的是，遮光壁302设置在遮光膜216-2’上，但是遮光壁302也可以设置在遮光膜216-1和/或遮光膜216-3上。
[0194]图16所示的位相差检测用像素具有与图12所示的位相差检测用像素相同的构成，除了遮光膜216-2具有不同的长度。图16所示的位相差检测用像素的遮光膜216-2’比图12所示的遮光膜216-2长。换句话说，图16所示的位相差检测用像素的遮光膜216-2’具有与图7的遮光膜216-2相同的长度。
[0195]在图16所示的位相差检测用像素中，遮光膜216-2的大覆盖面积导致小的开口部230，从而获得由小的开口部230获得的效果，例如提高分辨率的效果。
[0196]从具有这种构成的位相差检测用像素获得的受光角度分布示于图17。图17所示的曲线图的横轴表示光的入射角，纵轴表示根据入射光的像素的输出值(感度)。
[0197]图17的实线曲线图表示设置有遮光壁302的位相差检测用像素的光电二极管214的感度。图17的虚线曲线图表示没有遮光壁302的位相差检测用像素的光电二极管214的感度。
[0198]图17表明，可以在不显著改变感度的最大值的情况下通过设置遮光壁302减小感度的最大值。换句话说，在不改变遮光膜216的长度的情况下，设置位相差检测用像素的遮光壁302可以仅减小受光角度分布的高侧输出，而保持低侧输出。
[0199]按此方式，受光角度分布的高侧输出的入射光可以通过遮光壁302来控制，并且低侧输出的入射光可以通过遮光膜216来控制。这样允许个别地控制感度的高侧输出和低侧输出。此外，在位相差检测用像素的遮光膜上形成遮光壁不改变成像用像素的结构，因此不影响成像用像素的特性，使得可以实现位相差检测用像素的特性的上述调整。
[0200]<根据第三实施方案的焦点检测装置的构成>
[0201]图18是根据第三实施方案的焦点检测装置的位相差检测用像素的侧视截面图。在图18所示的焦点检测装置的位相差检测用像素中，与图12所示的焦点检测装置的位相差检测用像素相同的部分被给予相同的附图标记，并且对于相同部分的说明被适当地省略。
[0202]图18所示的位相差检测用像素具有与图12所示的位相差检测用像素相同的构成，除了遮光壁303具有不同的高度。S卩，图18所示的位相差检测用像素与图12所示的位相差检测用像素相同，除了遮光壁303设置在遮光膜216-2上。遮光壁303-1设置在遮光膜216-2的靠近微透镜220-2的上表面上，遮光壁303-2设置在遮光膜216-2的靠近微透镜220-3的上表面上。
[0203]遮光壁303-1和303-2位于遮光膜216-2的两端并且相对于遮光膜216-2具有预定的垂直高度。遮光壁303-1和303-2高于图12所示的遮光壁301。遮光壁303设置在开口部230旁边。
[0204]这里持续说明的是，遮光壁303设置在遮光膜216-2上，但是遮光壁303也可以设置在遮光膜216-1和/或遮光膜216-3上。
[0205]按此方式，在图18所示的位相差检测用像素中，遮光膜216-2比本领域中公知的遮光膜216-2’短，并且具有预定高度的遮光壁303设置在遮光膜216-2的面对微透镜220的表面端部。
[0206]在图18所示的位相差检测用像素中，遮光膜216-2的小覆盖面积导到大的开口部230，从而获得由大的开口部230所得到的效果。在遮光膜216-2的上表面上设置遮光壁303并且增大遮光壁303的高度可以获得与覆盖面积像遮光膜216-2’同样大的相同的优点。
[0207]这作为图19的曲线图示出。图19所示的曲线图的横轴表示光的入射角，纵轴表示根据入射光的像素的输出值(感度)。
[0208]在图19中，实线曲线图是表示在由图18的实线所示的遮光膜216-2设置有遮光壁303的位相差检测用像素中光电二极管214的感度的曲线图。在图19中，虚线曲线图是表示在由图18的虚线所示的遮光膜216-2’没有遮光壁303的位相差检测用像素中光电二极管214的感度的曲线图。
[0209]图19表明，设置遮光壁303可以减小感度的最大值并且增大感度的最小值。换句话说，设置位相差检测用像素的遮光壁303可以减小受光角度分布的高侧输出并且增大低侧输出。
[0210]如上所述，受光角度分布的高侧输出和低侧输出可以通过调整遮光膜216的长度(遮光膜216在光电二极管214上的覆盖面积)、在遮光膜216的面对微透镜220的表面上设置遮光壁301?303并调整遮光壁301?303的高度来控制，以获得所需的输出。此外，在位相差检测用像素的遮光膜上形成遮光壁不改变成像用像素的结构，因此不影响成像用像素的特性，使得可以实现位相差检测用像素的特性的上述调整。
[0211]<根据第四实施方案的焦点检测装置的构成>
[0212]图20是根据第四实施方案的焦点检测装置的位相差检测用像素的侧视截面图。在图20所示的焦点检测装置的位相差检测用像素中，与图12所示的焦点检测装置的位相差检测用像素相同的部分被给予相同的附图标记，并且对于相同部分的说明被适当地省略。
[0213]图20所示的位相差检测用像素具有与图12所示的位相差检测用像素相同的构成，除了设置在图12所示的位相差检测用像素的遮光膜216-2的上表面上的遮光壁301设置在下表面上。S卩，遮光壁304-1设置在遮光膜214-2的靠近光电二极管214-2的下表面上，遮光壁304-2设置在遮光膜216-2的靠近光电二极管214-3的下表面上。
[0214]遮光壁304-1和304-2位于遮光膜216-2的两端并且相对于遮光膜216-2具有预定的垂直高度。遮光壁304设置在开口部230旁边。
[0215]这里持续说明的是，遮光壁304设置在遮光膜216-2的下表面上，但是遮光壁304也可以设置在遮光膜216-1和/或遮光膜216-3上。
[0216]在图20所示的位相差检测用像素中，遮光膜216-2由实线和虚线表示。实线表示设置有遮光壁304的遮光膜216-2。虚线表示没有遮光壁304的遮光膜216-2’，其中遮光膜216-2’具有与图7所示的遮光膜216-2等相同的长度。遮光膜216-2’仅是用于比较图示的，而没有设置图20所示的位相差检测用像素中必要的部件。
[0217]在图20所示的位相差检测用像素中，遮光膜216-2比本领域中公知的遮光膜216-2’短，并且具有预定高度的遮光壁304设置在遮光膜216-2的面对光电二极管214的表面端部。
[0218]在图20所示的位相差检测用像素中，遮光膜216-2的小覆盖面积导到大的开口部230，从而获得由大的开口部230所得到的效果。
[0219]这作为图21的曲线图示出。图21所示的曲线图的横轴表示光的入射角，纵轴表示根据入射光的像素的输出值(感度)。
[0220]在图21中，实线曲线图是表示在由图20的实线所示的遮光膜216-2设置有遮光壁304的位相差检测用像素中光电二极管214的感度的曲线图。在图21中，虚线曲线图是表示在由图20的虚线所示的遮光膜216-2’没有遮光壁304的位相差检测用像素中光电二极管214的感度的曲线图。
[0221]图21表明，可以在不显著改变感度的最大值的情况下通过设置遮光壁304增大感度的最大值。换句话说，设置位相差检测用像素的遮光壁304可以仅增加受光角度分布的高侧输出，而保持低侧输出。
[0222]受光角度分布的低侧输出保持和高侧输出增大的位相差检测用像素用作具有高分辨率的位相差检测用像素。此外，在位相差检测用像素的遮光膜上形成遮光壁不改变成像用像素的结构，因此不影响成像用像素的特性，使得可以实现位相差检测用像素的特性的上述调整。
[0223]遮光壁304的形状和位置相应地涉及到感度的调整，并且可以是提供所需感度的任何形状和位置。
[0224]<根据第五实施方案的焦点检测装置的构成>
[0225]图22是根据第五实施方案的焦点检测装置的位相差检测用像素的侧视截面图。在图22所示的焦点检测装置的位相差检测用像素中，与图20所示的焦点检测装置的位相差检测用像素相同的部分被给予相同的附图标记，并且对于相同部分的说明被适当地省略。
[0226]在图22所示的位相差检测用像素中，遮光壁305设置在遮光膜216_2’的下表面上。遮光壁305-1设置在遮光膜216-2’的靠近光电二极管214-2的下表面上，遮光壁305-2设置在遮光膜216-2的靠近光电二极管214-3的下表面上。
[0227]遮光壁305-1和305-2位于遮光膜216-2’的两端并且相对于遮光膜216_2’具有预定的垂直高度。遮光壁305设置在开口部230旁边。
[0228]这里持续说明的是，遮光壁305设置在遮光膜216-2’的下表面上，但是遮光壁305也可以设置在遮光膜216-1和/或遮光膜216-3上。
[0229]图22所示的位相差检测用像素具有与图20所示的位相差检测用像素相同的构成，除了遮光膜216-2具有不同的长度。图22所示的位相差检测用像素的遮光膜216-2’比图20所示的遮光膜216-2长。换句话说，图22所示的位相差检测用像素的遮光膜216-2’具有与图7的遮光膜216-2相同的长度。
[0230]在图22所示的位相差检测用像素中，遮光膜216-2的大覆盖面积导致小的开口部230，从而获得由小的开口部230获得的效果，例如提高分辨率的效果。
[0231]从具有这种构成的位相差检测用像素获得的受光角度分布示于图23