多对电极对的实例中，能以周期性方式施加钳制电压于电极对的两个电极之间，使得在任何既定时间有至少一对电极对施加钳制电压于其间。如同图6所进一步示出，电压供应器606用以供应如同波形608的电压，其在不同的实施例中可根据电极系统例如电极系统604的电极对数目来设计。例如，对于三电极对系统来说，可产生方波三相波形以确保在既定时间至少有四个电极是有效的。
[0032]图7示出静电卡盘系统700的另一实施例，其中静电卡盘702包括配置在静电卡盘的侧面及背面上的额外低放射率涂层704。在这实施例中，低放射率涂层704包括金属材料，其对于约250°C至1000°C的操作温度范围可降低静电卡盘702的侧面及背面的放射率至例如0.3或更低的低数值。这进一步减少从静电卡盘辐射作为电磁辐射的总功率。因为静电卡盘702的侧面及背面不必支撑钳制场，所以用于低放射率涂层704的材料可以是任何方便的金属材料。
[0033]在另外的实施例中，静电卡盘系统可用以支撑可互换的静电卡盘，其中不同的静电卡盘被设计在不同的温度范围内操作。因此，例如静电卡盘202的第一静电卡盘可涂布涂层212，其中层214到218被设计成最适合降低500°C时的放射率。如所指出的，这是藉由选择层214、216、218的折射率及层厚度而达成，其可予以修改以便在与500°C时的黑体辐射的峰值相对应的波长范围内产生峰值反射率。在既定温度范围例如450°C至550°C内要发生基板处理时可安装静电卡盘202。第二静电卡盘可设计成具有不同的低放射率涂层以用于不同温度范围内的操作。在一实例中，可调整层214、216、218的折射率及厚度，以便对介于约2.5微米与5.0微米之间的电磁辐射波长产生大于20%的反射率，其可在当基板处理要发生于既定温度范围例如450°C至550°C内时适合于降低放射率。
[0034]参照图8，图中示出具有低放射率的静电卡盘800的一部分。静电卡盘800包括涂层802，其中层804、806、808被设计成最适合降低700°C时的放射率。这是藉由选择层804、806,808的折射率及层厚度使得峰值反射率发生于与700°C时的黑体辐射的峰值相对应的波长范围内而达成。在既定温度范围例如650°C至750°C内要发生基板处理时可安装静电卡盘800。在一实例中，可调整层804、806、808的折射率及厚度，以便对介于约1.5微米与5.0微米之间的电磁辐射波长产生大于20%的反射率，其可在当基板处理要发生于既定温度范围例如650°C至750°C内时适合于降低放射率。
[0035]再度参照图2，在另外的实施例中，涂层212可构成在想要的波长范围内具有高反射率的宽频高反射涂层。此种宽频介电涂层可涉及用以建构改良的四分之一波长堆叠的两个或多个已知元件，堆叠中的各层并非都是相同的光学厚度。反之，它们在想要的宽频效能区域的两末端之一对于两波长在四分之一波厚度之间渐变。个别层的光学厚度通常选择遵循一个简单的算术或几何级数。藉由使用这种设计，由多层宽频堆迭所构成的涂层212可在数百纳米内展现超过百分之99的反射比。例如，涂层212可由一个被设计成在1微米与6微米之间具有大于90%的反射率之多层宽频堆叠所构成。这使得涂层212可用以在大的波长范围内减少热ESC的放射，因而使单一 ESC在一个大的温度范围内容易操作。
[0036]本发明的范围并未局限于在此所述的特定实施例。事实上，除了在此所述的实施例之外，任何在本发明所属技术领域中具有公知常识的技术人员显然可从上述说明及附图理解到本发明的其他各种实施例及修改。因此，此种其他的实施例及修改都将属于本发明的范围。此外，虽然本发明在此已经基于为了特殊目的在特殊环境下以特殊方式实施而予以说明，但是任何在本发明所属技术领域中具有公知常识的技术人员将明瞭其用途并未局限于此，并将明瞭本发明可为了任何数量的目的在任何数量的环境下予以有益地实施。
【主权项】
1.一种静电卡盘，包括: 加热器； 电极，配置在所述加热器上； 绝缘体层，配置在所述电极上；以及 涂层，配置在所述绝缘体上，用以支撑所述电极所产生的静电场以便吸住基板。2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中所述涂层包括多层介电层，所述多层介电层用以降低所述静电卡盘的放射率。3.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中所述绝缘体是玻璃层。4.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中所述涂层具有第一厚度tε，所述绝缘体具有第二厚度ts，其中tc/ts是大约0.005至0.05。5.根据权利要求2所述的静电卡盘，其中所述多层介电层用以对介于大约2.5微米与5.0微米之间的电磁辐射波长产生大于20%的平均反射率。6.根据权利要求2所述的静电卡盘，其中所述多层介电层用以对介于大约1.5微米与5.0微米之间的电磁辐射波长产生大于20%的平均反射率。7.根据权利要求2所述的静电卡盘，其中所述多层介电层包括折射率在相邻介电层之间变化的两层或更多层介电层。8.根据权利要求2所述的静电卡盘，其中所述多层介电层具有大约0.5微米至大约5微米的总厚度。9.根据权利要求1所述的静电卡盘，包括气体源，所述气体源用以在所述涂层的外表面与所述基板之间供应气体。10.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中所述静电卡盘被加热到500°C，并且相比于存在所述涂层时所述加热器的功率损耗，在从所述静电卡盘移除所述涂层时所述加热器的功率损耗多出至少25%。11.根据权利要求1所述的静电卡盘，还包括一个或多个配置在所述加热器上的额外的电极。12.—种尚子植入系统，包括: 离子源，用以产生离子以便植入基板；以及 基板固持器系统，包括用以在暴露于离子期间固持所述基板的静电卡盘，所述静电卡盘包括: 气体流量系统，用以在电极与所述基板之间供应气体； 加热器，用以在所述电极与所述基板之间加热所述气体； 电极，配置在所述加热器上；以及 涂层，配置在所述加热器上且用以支撑所述电极系统所产生的静电场以便吸住基板。13.根据权利要求12所述的离子植入系统，所述涂层包括用以降低所述静电卡盘的放射率的多层介电层，其中所述多层介电层包括折射率在相邻介电层之间变化的两层或更多层介电层。14.根据权利要求12所述的离子植入系统，还包括配置在所述电极系统与所述涂层之间的玻璃层，其中所述涂层具有厚度te，所述玻璃层具有第二厚度&，其中k/k是大约0.005 至 0.05。15.根据权利要求12所述的离子植入系统，其中所述涂层包括在1微米与6微米之间具有大于90%的反射率的宽频高反射涂层。
【专利摘要】一种静电卡盘，包括加热器及配置在加热器上的电极。此静电卡盘也包括绝缘体层及配置在绝缘体上的涂层，其中所述涂层用以支撑电极系统所产生的静电场以便吸住基板。
【IPC分类】H01L21/324, H01L21/687
【公开号】CN105308735
【申请号】CN201480035023
【发明人】朱利安·G·布雷克, 岱尔·K·史东, 留德米拉·史东, 麦可·斯库拉么尔
【申请人】瓦里安半导体设备公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2014年4月16日
【公告号】US20140318455, WO2014176093A1