半导体晶圆的冷却方法以及半导体晶圆的冷却装置的制造方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及对处于加热状态的被由树脂组合物构成的密封层所形成的密封片或者粘合带覆盖的半导体晶圆进行冷却的半导体晶圆的冷却方法以及半导体晶圆的冷却装置。
【背景技术】
[0002]在切割处理后仅挑选合格的裸芯片，对利用树脂覆盖多个该裸芯片而再次形成的半导体晶圆(以下，适当地称为“晶圆”)进行了期望的加工。例如，对利用双面粘合带粘合承载用的支承板后的该半导体晶圆进行背面磨削以使该半导体晶圆变薄。之后通过对该半导体晶圆进行加热使双面粘合带的粘合力降低或者消除，从而使支承板从晶圆分离。
[0003]对将支承板分离后的处于加热状态的晶圆进行冷却。S卩，为了提高冷却处理的能力，在直到输送到冷却台为止的输送过程中，一边以使处于加热状态的晶圆非接触地浮起的方式向冷却台输送该晶圆一边吹送空气来进行预备冷却(参照日本特开2012-119439号公报)。
【发明内容】
_4] 发明要解决的问题
[0005]然而，在上述以往方法中产生了如下问题。
[0006]S卩，随着晶圆的大型化，以使晶圆非接触地浮起的方式输送该晶圆变得困难。即，在去除了支承板之后刚性降低，并且树脂由于加热而软化，因此由于晶圆的自重而易于使晶圆发生翘曲、挠曲。该翘曲等的发生产生了以下问题:导致晶圆的操作错误，进而由于操作错误而使晶圆破损。
[0007]另外，用于将大型的晶圆输送到冷却台的预备冷却用的输送装置还产生了设置面积变大之类的问题。
[0008]本发明是鉴于这种情况而完成的，其主要目的在于提供一种能够以简单的结构来高精度地冷却半导体晶圆的半导体晶圆的冷却方法以及半导体晶圆的冷却装置。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]本发明为了实现这种目的而采用如下结构。
[0011]S卩，一种半导体晶圆的冷却方法，对被树脂片或者粘合带覆盖的半导体晶圆进行冷却，上述方法包括以下过程:
[0012]载置过程，将处于加热状态的上述半导体晶圆载置于被加热了的保持台；
[0013]远离过程，使半导体晶圆远离上述保持台；以及
[0014]冷却过程，在使半导体晶圆远离上述保持台的状态下一边调整温度和时间一边冷却半导体晶圆。
[0015]根据上述方法，通过使处于加热状态的晶圆远离被加热了的保持台，能够利用从保持台辐射的热使晶圆慢慢冷却。此时，通过利用从保持台到晶圆的距离和辐射热来对温度进行调整，能够抑制在被急剧冷却时产生的晶圆的翘曲。
[0016]此外，在上述方法中，例如对从保持台到半导体晶圆的距离和保持台的加热温度中的至少一方进行变更来进行温度的调整。
[0017]另外，在上述方法中，除了对距离和加热温度进行变更以外，还可以向半导体晶圆吹送冷却用的气体来进行温度的调整。或者，也可以使从保持台到半导体晶圆的距离固定并调整气体的风量、风速。
[0018]另外，在上述各方法中，也可以用检测器对半导体晶圆的表面的温度进行检测，根据该检测的结果来调整温度。
[0019]根据该方法，能够根据检测器的检测结果来高精度地控制晶圆的温度降低。
[0020]并且，在上述方法中，还具备利用检测器检测半导体晶圆的翘曲的检测过程，
[0021]在远离过程中，用多个支承构件对半导体晶圆的外周的多个位置进行支承，并且用吸附构件对半导体晶圆的中央进行吸附保持，
[0022]在冷却过程中，在冷却时根据由检测器检测出的半导体晶圆的翘曲量，一边使支承构件与吸附构件相对地进行远离移动或者接近移动一边使半导体晶圆变得平坦。
[0023]根据该方法，在冷却过程中晶圆发生了翘曲的情况下，通过使支承构件与吸附构件远离或者接近，能够将由翘曲产生的晶圆中央与外缘的差距矫正得较小。即，能够对晶圆在平坦的状态下进行冷却。
[0024]本发明为了实现这种目的而采用如下结构。
[0025]S卩，一种半导体晶圆的冷却装置，对被树脂片或者粘合带覆盖的半导体晶圆进行冷却，上述装置具备以下结构:
[0026]保持台，其对处于加热状态的上述半导体晶圆一边进行加热一边进行保持；
[0027]远离机构，其使半导体晶圆远离上述保持台；以及
[0028]控制部，其在使半导体晶圆远离上述保持台的状态下一边调整温度和时间一边使半导体晶圆冷却。
[0029]根据该结构，能够在利用远离机构使载置于保持台的晶圆远离该保持台的状态下保持该晶圆。因而，通过对从保持台到半导体晶圆的距离和远离的时间进行调整，能够利用从保持台辐射的热使晶圆慢慢冷却。即，能够恰当地实施上述方法。
[0030]此外，在该结构中，控制部例如对从保持台到半导体晶圆的距离和保持台的加热温度中的至少一方进行调整来控制温度。
[0031]另外，也可以是还具备气体供给部的结构，该气体供给部朝向半导体晶圆吹送冷却用的气体。
[0032]根据该结构，能够积极地冷却晶圆。例如，在晶圆上的温度分布的偏差大的情况下，能够向温度高的部位局部地吹送冷却用的气体。
[0033]另外，在上述结构中，也可以还具备检测器，该检测器对半导体晶圆的表面的温度进行检测，控制部根据检测器的检测结果来调整温度。
[0034]根据该结构，逐次地检测晶圆的温度变化，因此能够高精度地调整使晶圆的温度降低的速度。
[0035]并且，在上述结构中，还具备检测器，该检测器对上述半导体晶圆的翘曲进行检测，
[0036]远离机构具备:
[0037]多个支承构件，多个支承构件在多个位置处对半导体晶圆的外周进行支承；
[0038]吸附构件，其对半导体晶圆的中央部分进行吸附保持；以及
[0039]驱动机构，其使支承构件与吸附构件相对地进行远离移动和接近移动，
[0040]控制部根据半导体晶圆的翘曲量一边使支承构件与吸附构件相对地进行接近移动或者远离移动一边使半导体晶圆变得平坦。
[0041]根据该结构，在晶圆发生了翘曲的情况下，通过根据其翘曲量的变化使支承构件与吸附构件远离或者接近，能够矫正该翘曲而在平坦的状态下冷却晶圆。
[0042]发明的效果
[0043]根据本发明的半导体晶圆的冷却方法和半导体晶圆的冷却装置，能够使处于加热状态的用密封片或者粘合带覆盖的半导体晶圆不发生翘曲地高精度地进行冷却。
【附图说明】
[0044]图1是将支承板与半导体晶圆粘合而形成的工件的侧视图。
[0045]图2是半导体晶圆的局部截面图。
[0046]图3是冷却装置的主视图。
[0047]图4是说明冷却装置的动作的俯视图。
[0048]图5是冷却装置的主视图。
[0049]图6是变形例的冷却装置的俯视图。
[0050]图7是说明变形例的冷却装置的动作的主视图。
[0051]图8是说明变形例的冷却装置的动作的主视图。
【具体实施方式】
[0052]下面，参照附图来说明本发明的保护带剥离装置的实施例。
[0053]关于本实施例中使用的半导体晶圆(以下，适当地称为“晶圆”)，检查在向晶圆表面形成电路之后进行切割处理而得到的裸芯片，仅挑选合格的裸芯片。如图2所示，使这些裸芯片la的电极面向下，如图1所示那样在粘贴于承载用的支承板2的双面粘合带3上二维阵列状地排列并固定。并且，从裸芯片la上方覆盖树脂lb来再生为晶圆1的形状。
[0054]另外，在本实施例中，是处理晶圆1的装置，该晶圆1是在对同心状地经由双面粘合带3与包括不锈钢、玻璃基板或者硅基板的支承板2粘合后的晶圆1进行背面磨削处理之后，通过加热处理来去除支承体而得到的。
[0055]S卩，双面粘合带3构成为具备:通过加热使带基材3a的两面发泡膨胀而失去粘合力的加热剥离性的粘合层3b、以及通过紫外线的照射发生固化而降低粘合力的紫外线固化型或者非紫外线固化型的压敏性的粘合层3c。也就是说，支承板2粘贴于该双面粘合带3的粘合层3b，并且晶圆1粘贴于粘合层3c。
[0056]图3是本发明所涉及的冷却装置的主视图，图4是冷却装置的俯视图。
[0057]该冷却装置由保持台5和晶圆支承机构等构成。
[0058]保持台5由保持台主体和吸盘板5a构成。在保持台主体中埋设有隔着吸盘板5