，但本发明不限 于此，在其他实施例中，导电层120也可W使用其他导电材料（例如：合金、金属材料的氮化 物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆叠层）。
[0029]请参照图IB及图2B，接着，形成绝缘材料层130, W覆盖导电层120。详言之，在 本实施例中，绝缘材料层130可全面性形成在基板110上，而覆盖栅极G、扫描线化、电容电 极122、连接线124 W及汇流线126,但本发明不W此为限。绝缘材料层130的材质可为无 机材料（例如：氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、或上述至少二种材料的堆叠层）、有机材料或上 述组合。接着，可在绝缘材料层130上形成半导体层。半导体层包括彼此分离的多个半导 体图案ch。半导体图案ch与对应的一个栅极G重叠。在本实施例中，半导体图案ch可为 单层或多层结构，其包含非晶娃、多晶娃、微晶娃、单晶娃、有机半导体材料、氧化物半导体 材料（例如：铜锋氧化物、铜错锋氧化物、或是其它合适的材料、或上述的组合）、或其它合 适的材料、或含有渗杂物（dopant)于上述材料中、或上述组合。
[0030] 请参照图IC及图2C，接着，于基板110上形成导电层140。在本实施例中，导电层 140配置于绝缘材料层130上。导电层140包括多条数据线化（绘示于图2C)、多个源极S、 多个漏极D W及多个第一电极142。数据线化跨越扫描线化。源极S与对应的一条数据 线化连接，且每一源极S与对应的一个漏极D分别位于同一半导体图案Ch的二侧。半导 体图案Ch与对应的源极S、漏极D和栅极G可构成薄膜晶体管T。如图IC所示，在本实施 例中，栅极G可位于半导体图案Ch下方。换言之，薄膜晶体管T可为底部栅极型薄膜晶体 管化Ottom gate TFT)。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，薄膜晶体管T也可为顶部 栅极型薄膜晶体管（top gate TFT)或其他型式的薄膜晶体管。
[0031]请参照图2C，多个第一电极142彼此分离。第一电极142与对应的一个漏极D连 接。如图IC所示，第一电极142、与第一电极142重叠的一个电容电极122 W及夹设在第 一电极142与电容电极122之间的部分绝缘材料层130可形成储存电容Cst。在本实施例 中，导电层140例如为金属材料，但本发明不限于此，在其他实施例中，导电层140也可使用 其他导电材料（例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、 或是金属材料与其它导电材料的堆叠层）。
[0032]请参照图ID及图2D，接着，形成绝缘材料层150, W覆盖导电层140。详言之，在 本实施例中，绝缘材料层150覆盖位于工作区1 IOa的多条数据线化、多个源极S、多个漏极 D W及多个第一电极142。此外，绝缘材料层150更可覆盖位于周边区11化的汇流线126。 绝缘材料层150的材质可为无机材料（例如：氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、或上述至少二种材 料的堆叠层）、有机材料或上述的组合。
[0033] 请参照图IE及图沈，接着，W光罩Ml为罩幕，图案化绝缘材料层150 (绘于图ID 及图2D)，W形成绝缘层150'。绝缘层150'具有多个开口 152。每一开口 152暴露对应的 一个第一电极142。在本实施例中，图案化出位于工作区IlOa的多个开口 152时，位于周边 区11化的开口 154也同时被图案化出。由于开口 154正下方未设有导电层140,因此在形 成开口 154时，开口 154正下方的绝缘材料层130 (绘于图ID及图2D)也被图案化，进而形 成具有开口 132的绝缘层130'。开口 132、154分别贯穿绝缘层130'、150'且相通。开口 132、154可视为一个贯穿口。所述贯穿口暴露出汇流线126。开口 154在基板110上的正 投影与开口 132在基板110上的正投影实质上可重合（matched)，但本发明不W此为限。
[0034] 请参照图IF~图IG及图2F~图2G，接着，形成感光结构PD (标示于图IG及图 2G)与第二电极182(标示于图IG及图2G)。详言之，如图IF及图2F所示，在本实施例中， 可先在绝缘层150'上形成包括第一感光材料层160与第二感光材料层170的感光层W及 覆盖所述感光层的透光导电层180。如图IF所示，在本实施例中，可选择性地依序形成第一 感光材料层160、第二感光材料层170与透光导电层180。然而，本发明不限于此，在其他实 施例中，也可依序形成第二感光材料层170、第一感光材料层160与透光导电层180。
[003引第一感光材料层160的材质为SixGe壯，其中，X、y、Z均不为零。第二感光材料层 170的材质为Si瓜其中，v、w均不为零。在本实施例中，
举例而言，
。借由适当地设定X、y、Z的相对大小，也就是适当地设定 第一感光材料层160的错（Ge)浓度，感光结构PD可兼顾红外线的吸收能力与晶格缺陷 (lattice defect)的控制。在本实施例中，透光导电层180的材质可选用金属氧化物，例 如：铜锡氧化物、铜锋氧化物、侣锡氧化物、侣锋氧化物、铜错锋氧化物、其它合适的氧化物、 或者上述至少二者的堆叠层，但本发明不W此为限。
[0036] 然后，如图IG及图2G所示，W光罩M2为罩幕，同时图案化第一感光材料层160、第 二感光材料层170与透光导电层180, W形成彼此分离的多个第一感光层162、彼此分离的 多个第二感光层172 W及彼此分离的多个第二电极182。堆叠在同一个第一电极142正上 方的一个第一感光层162与一个第二感光层172可构成一个感光结构PD。在本实施例中， 由于多个第一感光层162、多个第二感光层172与多个第二电极182是用同一光罩M2图案 化出来的，因此每一感光结构PD的一个第一感光层162、一个第二感光层172与一个第二电 极182在基板110上的正投影实质上可重合（matched)，但本发明不W此为限。
[0037] 请参照图IG及图2G，每一感光结构PD位于对应的一个第一电极142上且填入开 口 152中，W和对应的第一电极142电性连接。更进一步地说，在本实施例中，感光结构PD 可填满对应的一个开口 152,且感光结构PD的边缘（即侧壁162曰、172a)可覆盖在部分绝缘 层150'上。另外，第二电极182覆盖对应的一个感光结构PD, W和感光结构PD电性连接。 第一电极142位于感光结构PD与电容电极122之间。电容电极122遮蔽对应的一个感光 结构PD, W使来自光源300 (绘于图3)的光束不易误入感光结构PD而影响感光面板的性 能。
[0038] 请再参照图1F，在本实施例中，可选择性地先形成第一感光材料层160,然后，再 形成第二感光材料层170。因此，如图IG所示，在感光结构PD中，利用第二感光材料层170 形成的第二感光层172在上方，而利用第一感光材料层160形成的第一感光层162在下方。 换言之，在本实施例中，第一感光层162可夹设在第一电极142与第二感光层172之间。然 而，本发明不限于此，在其他实施例中，也可先形成第二感光材料层170,然后，再形成第一 感光材料层160 ;也就是说，在其他实施例中，第二感光层172也可夹设于第一电极142与 第一感光层162之间。
[003引请参照图IH及图2H，接着，形成绝缘材料层190, W覆盖多个第二电极182。详言 之，在本实施例中，绝缘材料层190更覆盖第二电极182的侧壁182a、第一感光层162的侧 壁162a、第二感光层172的侧壁172a W及部分绝缘层150'。此外，绝缘材料层190更填入 开口 154、132,而覆盖部分汇流线126。绝缘材料层190的材质可为无机材料（例如：氧化 娃、氮化娃、氮氧化娃、或上述至少二种材料的堆叠层）、有机材料或上述组合。
[0040] 请参照图II及图21，接着，W前述光罩Ml为罩幕，图案化绝缘材料层190, W于第 二电极182上形成绝缘层190'。绝缘层190'具有分别暴露出多个第二电极182的多个开 口 192。在图案化出开口 192的过程中，第二电极182可保护其下方的感光结构PD,而使感 光结构PD不易受损。此外，绝缘层190'还具有暴露汇流线126的开口 194。在本实施例 中，由于绝缘层190'、150'、130'是用同一块光罩Ml图案化出来的，因此绝缘层190'、150'、 130的开口 194、154、132实质上可切齐且相通，W构成一个贯穿口；同理，绝缘层190'的开 口 192在基板110上的正投影与绝缘层150'的开口 154在基板110上的正投影实质上可重 合，但本发明不W此为限。值得一提的是，由于绝缘层190'、150'、130'是用同一块光罩Ml 制作的，因此设置用W改善漏电现象的绝缘层190'并不会过度增加感光面板的制造成本。
[0041] 请参照图IJ及图2J，接着，于多个第二电极182上形成具有多个第=电极202(标 示于图1J)的导电层200。第=电极202填入对应的一个开口 192, W与对应的一个第二电 极182电性连接。每一第S电极202更与电容电极122电性连接。举例而言，如图2J所示， 在本实施例中，导电层200可选择性地为整面性的图案，而全面性覆盖基板110的工作区 IlOa与周边区110b。换言之，如图IJ所示，位于感光结构PD正上方的第S电极202可视为 导电层200的一部分。位于周边区11化的部分导电层200填入开口 194、154、132而与汇 流线126电性连接，进而使每一第；电极202与对应的电容电极122电性连接。然而，本发 明不限于此，在其他实施例中，基于提高透光度或其他的考量，包括多个第=电极202的导 电层也可不完全地覆盖工作区IlOa与周边区11化；在其他实施例中，多个第S电极202也 彼此分离而暴露出基板110的部