一可调节阻抗元件 和第二可调节阻抗元件W向定向禪合器提供至少20化的方向性。定向禪合器可W包括具 有禪合在输入端口与传输端口之间的第一绕组和禪合在隔离端口与传输端口之间的第二 绕组的变压器，其中第一绕组磁禪合到第二绕组。
[0061] 在一个实施例中，定向禪合器包括：禪合在输入端口与传输端口之间的第一绕组 和禪合在禪合端口与参考节之间的第二绕组的第一变压器和具有在输入端口与参考节点 之间禪合的第=绕组W及在隔离端口和禪合端口之间禪合的第四绕组的第二变压器，其中 第一绕组磁禪合到第二绕组W及其中第S绕组磁禪合到第四绕组。RF系统还可包括禪合到 开关信号输出端口的功率检测器，并且还可包括禪合到定向禪合器的传输端口，并且具有 禪合到定向禪合器的输入端口的输出端口的天线开关。
[0062] 实施例的优点包括在定向禪合器中实现具有低插入损耗的高方向性的能力。实施 例定向禪合器的进一步的优点是在单片集成定向禪合器中实现高方向性的能力。
[0063] 虽然本发明参照示例性的实施例已被描述，运种描述并不旨在W限制性的意义来 解释。示例性实施例的各种修改和组合W及本发明的其它实施例对本领域的技术人员通过 参考描述将是显而易见的。
【主权项】
1. 一种电路，包括： 定向耦合器，具有多个端口，所述多个端口包括输入端口、传输端口、隔离端口和耦合 端口；以及 可调节端子，耦合到多个端口中的至少一个端口。2. 根据权利要求1所述的电路，其中所述可调节端子被耦合到所述隔离端口。3. 根据权利要求1所述的电路，其中所述可调节端子包括可调节电阻器。4. 根据权利要求1所述的电路，其中所述可调节端子包括可调节电容器。5. 根据权利要求1所述的电路，还包括方向选择开关电路，所述方向选择开关电路包 括第一开关和第二开关，其中： 所述第一开关被配置为使所述隔离端口耦合到所述可调节端子的第一端子端口，以及 所述第二开关被配置为在第一开关设置中使所述耦合端口耦合到开关输出端口；以及 所述第一开关被配置为使所述隔离端口耦合到所述开关输出端口以及第二开关被配 置为在第二开关设置中使所述耦合端口耦合到所述可调节端子的第二端子端口。6. 根据权利要求5所述的电路，其中所述可调节端子包括： 第一可调节端子电路，被耦合到所述第一端子端口；以及 第二可调节端子电路，被耦合到所述第二端子端口。7. 根据权利要求6所述的电路，其中： 所述第一可调节端子电路包括第一可调节电阻器；以及 所述第二可调节端子电路包括第二可调节电阻器。8. 根据权利要求7所述的电路，其中： 所述第一可调节电路还包括第一可调节电容器；以及 所述第二可调节电路还包括第二可调节电容器。9. 根据权利要求1所述的电路，其中所述定向耦合器包括变压器，所述变压器具有耦 合在所述输入端口与所述传输端口之间的第一绕组和耦合在所述隔离端口与所述传输端 口之间的第二绕组，其中所述第一绕组被磁耦合到所述第二绕组。10. 根据权利要求1所述的电路，其中所述定向耦合器包括： 第一变压器，具有耦合在所述输入端口和所述传输端口之间的第一绕组和耦合在所述 耦合端口与所述参考节点之间的第二绕组，其中所述第一绕组被磁耦合到所述第二绕组； 以及 第二变压器，具有耦合在所述输入端口与所述参考节点之间的第三绕组和耦合在所述 隔离端口与所述耦合端口之间的第四绕组，其中所述第三绕组被磁耦合到所述第四绕组。11. 根据权利要求1所述的电路，包括： 第一调谐电容器，被耦合到所述输入端口； 第二调谐电容器，被耦合到所述传输端口； 第三调谐电容器，被耦合到所述隔离端口；以及 第四调谐电容器，被耦合到所述耦合端口。12. 根据权利要求1所述的电路，其中所述定向耦合器和所述可调节端子被布置在同 一基片上。13. 根据权利要求1所述的电路，其中所述定向耦合器和所述可调节端子被布置在同 一集成电路上。14. 根据权利要求1所述的定向耦合器，其中所述定向耦合器还包括： 单极双投开关（sroT)，具有耦合到所述隔离端口、所述耦合端口和开关输出端口的端 子； 第一单极单投开关（STST)，被耦合在所述隔离端口和所述可调节端子的第一端口之 间； 第二STST开关，被耦合在所述耦合端口和所述可调节端子的第二端口之间，其中： 在第一开关设置中，所述SPDT开关使所述隔离端口耦合到所述开关输出端口，所述第 一STST开关打开而第二STST开关闭合；以及 在二开关设置中，所述SPDT开关使所述耦合端口耦合到所述开关输出端口，所述第一STST开关闭合而所述第二STST开关打开；15. 根据权利要求1所述的电路，其中： 所述定向耦合器还包括具有被耦合到所述隔离端口、所述耦合端口和开关输出端口的 端子的单极双投开关（sroT);以及 所述可调节端子包括耦合在所述耦合端口和所述参考节点之间的第一多个晶体管，和 耦合在所述隔离端口和所述参考节点之间的第二多个晶体管，其中 在第一开关设置中，所述SPDT开关使所述隔离端口耦合到所述开关输出端口，所述第 一多个晶体管在所述耦合端点和所述参考节点之间形成高阻抗，并且所述第二多个晶体管 在所述耦合端口和所述参考节点之间形成选择阻抗，其中所述选择阻抗小于所述高阻抗， 以及 在第二开关设置中，所述SPDT开关使所述耦合端口耦合到所述开关输出端口，所述第 一多个晶体管在所述耦合端口和所述参考节点之间形成所述选择阻抗，并且所述第二多个 晶体管在所述耦合端口和所述参考节点之间形成所述高阻抗，其中所述选择阻抗小于所述 尚阻抗。16. 根据权利要求15所述的电路，其中所述第一多个晶体管和所述第二多个晶体管中 的每一个晶体管均为NMOS晶体管，并且所述选择阻抗由所述第一多个晶体管和所述第二 多个晶体管的晶体管的导通电阻形成。17. -种操作电路的方法，所述电路包括具有多个端口的定向耦合器，所述多个端口包 括输入端口、传输端口、隔离端口和耦合端口，以及耦合到所述多个端口中的至少一个端口 的可调节端子，所述方法包括： 从所述输入端口和所述传输端口中的至少一个端口接收第一信号； 从所述隔离端口和所述耦合端口中的至少一个端口监控第二信号； 以及基于所述监控调节所述可调节端子以增加所述定向耦合器的方向性。18. 根据权利要求17所述的方法，其中所述可调节端子包括可调节电阻，并且调节所 述可调节端子包括调节所述可调节电阻。19. 根据权利要求17所述的方法，其中所述可调节端子包括可调节电容，并且调节所 述可调节端子包括调节所述可调节电容。20. 根据权利要求17所述的方法，还包括从所述隔离端口的信号和所述耦合端口的信 号中选择所述第二信号。21. 根据权利要求20所述的方法，其中选择所述第二信号包括选择被耦合到所述耦合 端口和所述隔离端口的具有输出端子和具有输入端子的方向选择开关的位置。22. -种射频（RF)系统，包括： 定向耦合器，具有多个端口，所述多个端口包括输入端口、传输端口、隔离端口和耦合 端口； 方向选择开关，具有被耦合到所述隔离端口的第一输入，被耦合到所述耦合端口的第 二输入、开关信号输出端口、第一端子输出端口，以及第二端子输出端口，其中，在第一状 态，所述方向选择开关被配置为使所述隔离端口耦合到所述开关信号输出端口并且使所述 耦合端口耦合到所述第一端子输出端口，以及在第二状态，所述方向选择开关被配置为使 所述耦合端口耦合到所述开关信号输出端口并且使所述隔离端口耦合到所述第二端子输 出端口； 第一可调节阻抗元件，被耦合到所述第一端子输出端口；以及 第二可调节阻抗元件，被耦合到所述第二端子输出端口。23. 根据权利要求22所述的RF系统，其中所述第一可调节阻抗元件和所述第二可调节 阻抗元件被调节为提供至少20dB的、用于所述定向耦合器的方向性。24. 根据权利要求22所述的RF系统，其中所述定向耦合器包括变压器，所述变压器具 有耦合在所述输入端口和所述传输端口之间的第一绕组，以及耦合在所述隔离端口和所述 传输端口之间的第二绕组，其中所述第一绕组被磁耦合到所述第二绕组。25. 根据权利要求22所述的RF系统，其中所述定向耦合器包括： 第一变压器，具有耦合在所述输入端口和所述传输端口之间的第一绕组和耦合在所述 耦合端口和所述参考节点之间的第二绕组，其中所述第一绕组被磁耦合到所述第二绕组； 和 第二变压器，具有耦合在所述输入端口和所述参考节点之间的第三绕组和耦合在所述 隔离端口和所述耦合端口之间的第四绕组，其中所述第三绕组被磁耦合到第四绕组。26. 根据权利要求22所述的RF系统，还包括功率检测器，被耦合到所述开关信号输出 端口。27. 根据权利要求26所述的RF系统，还包括被耦合到所述定向耦合器的传输端口的天 线，以及具有被耦合到所述定向耦合器的输入端口的输出端口的天线开关。
【专利摘要】本发明涉及用于定向耦合器的系统和方法。根据一个实施例，电路包括定向耦合器，该定向耦合器具有多个端口，该多个端口包括输入端口、传输端口、隔离端口和耦合端口以及耦合到多个端口中的至少一个端口的可调节端子。
【IPC分类】H01P5/18
【公开号】CN105428773
【申请号】CN201510584064
【发明人】V·索罗姆克, B·N·坦科
【申请人】英飞凌科技股份有限公司
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2015年9月14日
【公告号】DE102015115566A1, US20160079650