一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及微电子的QFN/DFN封装领域，具体是一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚及其制造方法。
【背景技术】
[0002 ]现有QFN/DFN封装的切割工序会进行两次切割，先用较宽的刀片切刀框架厚度的一半，再用窄的刀片完全切割分离，可将引脚切割为台阶式引脚，SMT时引脚侧面锡量饱满，容易爬锡。
[0003]存在的问题:
1、第一次的半切割方式会导致裂纹及连筋异常；
2、由于刀片只在框架表面划过，铜延展非常严重甚至连筋；
3、产品经过两次机械切割，容易造成产品引脚根部毛刺、分层异常；
4、切割加工误差较大，对位不准造成产品切割后尺寸、形状不符。
【发明内容】
[0004]针对上述现有技术存在的问题，本发明提供了一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚及其制造方法，该方法采用化学蚀刻的方法替代第一次切割分离，避免了物理切割弓丨脚受力的问题，降低引脚根部分层风险，也解决了切割后引起的毛刺，导致短路的问题，具有蚀刻精度高、定位准的优点。
[0005]—种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚，所述框架引脚在框架背面，其上有凹槽，所述凹槽处有锡膏。
[0006]—种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚的制造方法，按照如下步骤进行:
第一步，按照传统工艺完成上芯、压焊、塑封工序，芯片通过焊线与框架连接，并被塑封体包围；
第二步，在框架背面的框架引脚处进行化学蚀刻，形成凹槽；
第三步，在框架背面的框架载体和框架引脚处上锡膏，包括在框架引脚处形成的凹槽内上锡膏；
第四步，从框架正面塑封体开始，沿着凹槽中心线用刀具切割，直至完成分离。
【附图说明】
[0007]图1为按照传统工艺完成上芯、压焊、塑封工序后的封装件图；
图2为塑封完成后进行框架背面蚀刻，蚀刻后图；
图3为蚀刻完成后再进行上锡、切割图。
[0008]图中，1为芯片、2为塑封体、3为框架载体、4为框架引脚、5为凹槽、6为锡膏、7为凹槽中心线。
【具体实施方式】
[0009]如图3所示，一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚，所述框架引脚4在框架背面，其上有凹槽5，所述凹槽5处有锡膏6。
[0010]—种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚的制造方法，按照如下步骤进行:
第一步，按照传统工艺完成上芯、压焊、塑封工序，芯片1通过焊线与框架连接，并被塑封体2包围，如图1所示；
第二步，在框架背面的框架引脚4处进行化学蚀刻，形成凹槽5，如图2所示；
第三步，在框架背面的框架载体3和框架引脚4处上锡膏6，包括在框架引脚4处形成的凹槽5内上锡膏6，如图3所示；
第四步，从框架正面塑封体2开始，沿着凹槽中心线7用刀具切割，直至封装件完成分离，如图3所示。
【主权项】
1.一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚，其特征在于，所述框架引脚(4)在框架背面，其上有凹槽(5)，所述凹槽(5)处有锡膏(6)。2.—种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚的制造方法，其特征在于，按照如下步骤进行: 第一步，按照传统工艺完成上芯、压焊、塑封工序，芯片(1)通过焊线与框架连接，并被塑封体(2)包围； 第二步，在框架背面的框架引脚(4)处进行化学蚀刻，形成凹槽(5); 第三步，在框架背面的框架载体(3)和框架引脚(4)处上锡膏(6)，包括在框架引脚(4)处形成的凹槽(5)内上锡膏(6); 第四步，从框架正面塑封体(2)开始，沿着凹槽中心线(7)用刀具切割，直至完成分离。
【专利摘要】本发明公开了一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚及其制造方法，所述框架引脚在框架背面，其上有凹槽，所述凹槽处有锡膏，该方法采用化学蚀刻的方法替代第一次切割分离，避免了物理切割引脚受力的问题，降低引脚根部分层风险，也解决了切割后引起的毛刺，导致短路的问题，具有蚀刻精度高、定位准的优点。
【IPC分类】H01L23/495, H01L21/48
【公开号】CN105470231
【申请号】CN201510990730
【发明人】李万霞, 郭玲芝, 吕海兰, 冯后清
【申请人】华天科技（西安）有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年12月25日