一种具有预埋电极的磁敏器件及制造工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种具有预埋电极的磁敏器件及制造工艺。
【背景技术】
[0002]现有技术中的磁敏器件，包括由下而上依次设置的衬底层、锑化铟薄膜、电极，导线通过打线工艺连接在电极上。而由于锑化铟材料软脆，在对电极进行打线时，会使位于电极之下的锑化铟薄膜损坏。
【发明内容】
[0003]为克服上述缺点，本发明的目的在于提供一种具有预埋电极的磁敏器件及制造工
Ο
[0004]为了达到以上目的，本发明采用的技术方案是:一种具有预埋电极的磁敏器件，它包括由下至上依次设置的基底、InSb薄膜，具有预埋电极的磁敏器件还包括位于基底上表面的至少两个电极，InSb薄膜的一部分位于基底上表面，InSb薄膜的其他部分位于各电极的上表面，并分别部分覆盖各电极。
[0005]进一步地，电极的裸露部分通过打线工艺与导线连接，裸露部分被定义为电极的未被InSb薄膜覆盖的部分。
[0006]进一步地，基底材料为陶瓷、硅、铁氧体或云母。
[0007]进一步地，基底包括由下至上依次设置的衬底层、过渡层、绝缘层，过渡层材料为化合物，该化合物含有包括In在内的与In同族的至少一种金属元素，所述的化合物中至少含有Sb，化合物中除Sb外仅含有In所在族的金属元素。
[0008]更进一步地，绝缘层材料为Ιη2θ3或Si〇2。
[0009]更进一步地，若在具有预埋电极的磁敏器件制作过程中，对InSb进行退火处理时的退火温度低于InSb的熔点，则过渡层材料为InSb，若在具有预埋电极的磁敏器件制作过程中，对InSb进行退火处理时的退火温度高于InSb的熔点，则过渡层材料为除InSb外的其他化合物。
[0010 ]更进一步地，衬底层材料为陶瓷、娃、铁氧体或云母。
[0011]本发明还提供另一种技术方案:上述的一种具有预埋电极的磁敏器件的制造工艺，包括以下步骤:
A.在基底上表面通过半导体光刻工艺和电极制作工艺形成所需形状的电极；
B.再在带有电极的基底上蒸发生长InSb薄膜层，该InSb薄膜层至少部分覆盖电极。
[0012]进一步地，步骤B中，蒸发形成InSb薄膜层后，通过半导体光刻工艺对InSb薄膜层进行光刻，使电极的所需裸露的部分进一步露出。
[0013]进一步地，步骤B中，在蒸发InSb薄膜层前，对电极的所需裸露的部分进行屏蔽，蒸发后去除屏蔽，从而使InSb薄膜层形成为InSb薄膜。优选地，屏蔽的方法可以是掩膜蒸发InSb薄膜。
[0014]进一步地，通过打线工艺将导线连接至电极的裸露部分，该裸露部分被定义为电极的未被InSb薄膜覆盖的部分。
[0015]由于采用了上述技术方案，本发明一种具有预埋电极的磁敏器件及制造工艺，通过在基底与InSb薄膜之间预埋电极，并使电极部分被InSb薄膜覆盖，部分露出，打线时则在电极的裸露部分上进行打线，从而避免了在InSb薄膜上方打线而损坏InSb薄膜，保证了磁敏器件的质量。
【附图说明】
[0016]附图1为本发明【背景技术】中现有的磁敏器件的结构示意图；
附图2为本发明实施例一中一种具有预埋电极的磁敏器件的结构示意图；
附图3为本发明实施例二中一种具有预埋电极的磁敏器件的结构示意图。
[0017]图中标号为:
1、基底;11、衬底层;12、过渡层;13、绝缘层；
2、InSb薄膜；
3、电极；
4、导线。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解。
[0019]实施例一
参照附图2，本实施例中的一种具有预埋电极的磁敏器件，它包括由下至上依次设置的基底1、InSb薄膜2，具有预埋电极的磁敏器件还包括位于基底上表面的1至少两个电极3，InSb薄膜2的一部分位于基底1上表面，InSb薄膜2的其他部分位于各电极3的上表面，并分别部分覆盖各电极3。
[0020]电极3的裸露部分通过打线工艺与导线4连接，该裸露部分被定义为电极3的未被InSb薄膜2覆盖的部分。
[0021]电极3材料为金或铝。
[0022]本实施例中，基底1材料为陶瓷、硅、铁氧体或云母。
[0023]本实施例还提供了一种上述的具有预埋电极的磁敏器件的制造工艺，包括以下步骤:
A.在基底1上表面通过半导体光刻工艺和电极制作工艺形成所需形状的电极3;
B.再在带有电极3的基底1上蒸发生长InSb薄膜层，该InSb薄膜层至少部分覆盖电极3。
[0024]本实施例步骤A中的电极制作工艺可以采用电子束蒸发法。
[0025]在一种更为优选的实施方案中，步骤B中，蒸发形成InSb薄膜层后，通过半导体光刻工艺对InSb薄膜层进行光刻，使电极3的所需裸露的部分进一步露出。在光刻时应注意，保证电极3的裸露部分上表面没有InSb材料。
[0026]如果形成InSb薄膜层后，电极裸露部分上的InSb太厚而无法分辨处电极图形的标志点，则在蒸发InSb薄膜层前，对电极3的所需裸露的部分进行屏蔽，蒸发后去除屏蔽，从而使InSb薄膜层形成为InSb薄膜2。屏蔽的方法可以为掩膜蒸发InSb薄膜。
[0027]通过打线工艺将导线4连接至电极3的裸露部分。
[0028]本实施例中的一种具有预埋电极的磁敏器件及制造工艺，通过在基底与InSb薄膜之间预埋电极，并使电极部分被InSb薄膜覆盖，部分露出，打线时则在电极的裸露部分上进行打线，从而避免了在InSb薄膜上方打线而损坏InSb薄膜，保证了磁敏器件的质量。
[0029]实施例二
参照附图3，本实施例中的一种具有预埋电极的磁敏器件与实施例一的区别仅在于:本实施例中的基底1包括由下至上依次设置的衬底层11、过渡层12、绝缘层13。衬底层11厚度为ΙΟΟμπι?ΙΟΟΟμηι，材料为陶瓷、娃、铁氧体或云母。绝缘层13厚度为Ο.ΟΙμη