覆晶式发光二极管封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种半导体发光元件，特别涉及一种覆晶式发光二极管封装结构。
【背景技术】
[0002] 发光二极管因具有生产成本低、结构简单、低能耗低污染、体积小及容易安装等优 势被大量用于照明光源及显示技术中。
[0003] 传统的覆晶式发光二极管包括依次堆叠设置的N型半导体层、发光层、P型半导体 层及形成在覆晶式发光二极管形同一侧并与N型半导体层及P型半导体层电连接的N电极 及P电极。在覆晶式发光二极管封装时，所述覆晶式发光二极管通过导电胶固定在基板上， 并将覆晶式发光二极管电极与基板上对应电极连接。然而在通常情况下，因为导电胶会沿 着导热率大的N电极及P电极流动而使N电极与P电极之间虚焊而导致爬锡现象产生，进而 导致N电极与P电极之间容易发生短路，使得覆晶式发光二极管结构不能正常工作，而且因 爬锡而露出至覆晶式发光二极管外部的导电胶会吸收覆晶式发光二极管边缘发出的光线， 导致覆晶式发光二极管出光效率降低。
【发明内容】
[0004] 有鉴于此，有必要提供一种性能稳定出光效率高的覆晶式发光二极管封装结构。
[0005] -种覆晶式发光二极管封装结构，包括基板及位于基板上LED芯片，所述LED芯片 包括P电极和N电极，所述基板中部形成有凸起，所述凸起包括相互绝缘的第一连接部及第 二连接部，所述LED芯片的P电极及N电极分别贴设于所述第一连接部及第二连接部的顶 面上且P电极及N电极的底面边缘超出所述第一连接部及第二连接部的顶面边缘。
[0006] 本发明所述覆晶式发光二极管的封装结构可以避免所述LED芯片封装过程中导 电胶爬锡而造成LED芯片短路，提升覆晶式发光二极管的稳定性及出光效率。
【附图说明】
[0007] 图1为本发明第一实施例中覆晶式发光二极管封装结构剖视图。
[0008] 图2为图1所示覆晶式发光二极管封装基板的剖视图。
[0009] 图3为本发明第二实施例中覆晶式发光二极管的封装结构的剖视图。
[0010] 图4为本发明第三实施例中覆晶式发光二极管的封装结构的剖视图。
[0011] 主要元件符号说明
如下【具体实施方式】将结合上述附图进一步说明本发明。
【具体实施方式】
[0012] 如图1所示，本发明第一实施例中的覆晶式发光二极管封装结构包括一基板10、 位于基板10上的一反射杯20及设置在反射杯20底部的LED芯片30。
[0013] 所述基板10由导热性能及导电性能良好的金属材料制成，呈平板状。所述基板10 中部形成有一凸起40。所述凸起40及基板10的纵截面均呈矩形。
[0014] 请同时参考图2,所述反射杯20为中部内凹杯体，其具有高反射率的材料制成。所 述反射杯20包括内壁21和底壁22。所述底壁22中部向上凸伸形成有围绕所述凸起40的 凸环221，所述凸环221的顶面与所述凸起40的顶面平齐，所述凸起40的顶面外露。所述 反射杯20的外周缘与所述基板10的外侧共面。
[0015] 所述LED芯片30固定于所述凸起40顶面。在本实施例中所述的LED芯片30为 覆晶式发光二极管结构。所述LED芯片30包括由金属材质形成的一 P电极31和一 N电极 32。所述LED芯片30通过导电胶60固定在于所述凸起40之上。
[0016] 所述凸起40的顶部表面积小于所述LED芯片30的P电极31和N电极32的底面 积之和。
[0017] 进一步的，一绝缘部50穿射在所述基板10中。所述绝缘部50由绝缘性能良好且 具有反射作用的材料制成。绝缘部50自所述基板10底部延伸至所述凸起40顶面。所述绝 缘部50具体包括一主体部51及自主体部51顶端延伸至所述凸起40顶面的一延伸部52。 所述主体部51的宽度大于所述延伸部52的宽度，所述延伸部52的顶面与所述凸起40顶 面平齐且外露。所述绝缘部50将所述基板10分隔为相互绝缘的一第一基板11和一第二 基板12。所述绝缘部50将所述凸起40分隔为相互绝的一第一连接部41和一第二连接部 42。所述第一连接部41与第一基板11连接并共同组成第一电极。所述第二连接部42与 第二基板12连接并共同组成第二电极。所述第一连接部41和第二连接部42外露出凸起 40的上表面部分以连接LED芯片30的P电极31及N电极32。
[0018] 在固晶过程中，先将LED芯片30固定于凸起40之上。所述LED芯片30的P电极 31及N电极32通过导电胶60与第一连接部41或第二连接部42相连。因凸起40顶部表 面积小于所述P电极31及N电极32底面积之和，因此所述P电极31及N电极32底部边 缘将超出所述凸起40的顶面边缘。在本实施例中，由于所述凸环221为厚度很薄的一层反 射材料，所述凸环221的顶部边缘不超出P电极31及N电极32超出凸起40顶面边缘的部 分，也即所述P电极31及N电极32的底面边缘也超出所述凸环221顶面边缘。
[0019] 本实施例中，因基板10的中部设置有凸起40且LED芯片30与第一连接部41及 第二连接部42接触的P电极31及N电极32的边界超出第一连接部41及第二连接部42 的顶面边界，所以通过导电胶60固定所述LED芯片30于凸起40时候，凸起40的边缘可引 导导电胶60在重力作用下沿其周缘往下流动从而使导电胶60填满涂设于第一连接部41 和第二连接部42与LED芯片30之间之外，溢出的导电胶60收容于凸起40外围的凸环221 处并与P电极31、N电极32接触将其进一步固定。如此，避免了大量导电胶60因爬锡而造 成LED芯片30的P电极31与N电极32发生短路。并且导电胶60流向凸环221处避免导 电胶60包裹LED芯片30的外围，从而提升出光效率。
[0020] 如图3所示，为本发明第二实施例所述覆晶式发光二极管的封装结构，其与第一 实施例中所述覆晶式发光二极管的封装结构相似，其不同之处在于：所述反射杯20的内壁 21上形成多个突起23,所述突起23的直径相同且均匀的排列，可以理解的所述突起23直 径不同且交错排列于所述内壁21。这些突起23用于提升反射杯20的反射效率。
[0021] 如图4所示，为本发明第三实施例所述覆晶式发光二极管的封装结构，其与第一 实施例中所述覆晶式发光二极管的封装结构大体相同。其不同之处在于：所述反射杯20内 填充有封装胶体70,所述的封装胶体70中包括有荧光粉。所述封装胶体70覆盖所述LED 芯片30,用于保护所述LED芯片30免受如水汽、灰尘的侵害。
【主权项】
1. 一种覆晶式发光二极管封装结构，包括基板及位于基板上LED芯片，所述LED芯片包 括P电极和N电极，其特征在于：所述基板中部形成有凸起，所述凸起包括相互绝缘的第一 连接部及第二连接部，所述LED芯片的P电极及N电极分别贴设于所述第一连接部及第二 连接部的顶面上且P电极及N电极的底面边缘超出所述第一连接部及第二连接部的顶面边 缘。2. 如权利要求1所述覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：进一步包括绝缘体， 所述绝缘体穿射于所述基板中，从而将所述凸起分割成相互绝缘的第一连接部及第二连接 部。3. 如权利要求2所述覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：所述绝缘部将所述基 板分割为相互绝缘的第一基板及第二基板。4. 如权利要求2所述覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：所述绝缘部包括一主 体部及位于主体部之上延伸至所述凸起的延伸部，所述主体部的宽度大于所述延伸部的宽 度。5. 如权利要求3所述覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一基板与所述 第一连接部共同组成第一电极，所述第二基板与第二连接部共同组成第二电极。6. 如权利要求1所述覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板上还形成有 反射杯，所述反射杯由高反射率材料制成，其包括底壁和侧壁。7. 如权利要求6所述覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：所述底壁中部向上凸 伸形成有围绕所述凸起的凸环，所述凸环的顶面与所述凸起的顶面平齐，且不超出P电极 及N电极的底面。8. 如权利要求6所述覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：所述侧壁上形成多个 凸起。9. 如权利要求6所述覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：所述反射杯内填充有 封装胶体，所述封装胶体中包含有荧光粉。
【专利摘要】一种覆晶式发光二极管封装结构，包括基板及位于基板上LED芯片，所述LED芯片包括P电极和N电极，所述基板中部形成有凸起，所述凸起包括相互绝缘的第一连接部及第二连接部，所述LED芯片的P电极及N电极分别贴设于所述第一连接部及第二连接部的顶面上且P电极及N电极的底面边缘超出所述第一连接部及第二连接部的顶面边缘。本发明所述覆晶式发光二极管封装结构性能稳定，出光效率高。
【IPC分类】H01L33/52
【公开号】CN105470373
【申请号】CN201410445113
【发明人】林厚德, 张超雄, 陈滨全, 陈隆欣
【申请人】展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2014年9月3日
【公告号】US20160064604