有机发光二极管器件及其封装方法与流程

本发明涉及微电子及半导体领域，具体而言，涉及一种有机发光二极管器件及其封装方法。

背景技术：

目前，现有OLED薄膜封装方式将整个器件中的各个发光区都是统一封装，导致不管是在封装时，还是使用时只要某一处或者是某一发光区封装失效，会导致整个器件都会失效。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明实施例的目的在于提供一种有机发光二极管器件及其封装方法。

本发明实施例提供的一种有机发光二极管器件，该有机发光二极管器件包括：

基板，所述基板上设置多个发光区；

设置在所述基板上与每个发光区对应的第一导线及第二导线；

沉积在所述基板上的第一无机层；

在所述第一无机层上制作的多个阳极，每个阳极与其中一个发光区对应设置，每个所述阳极穿过所述第一无机层与一个对应发光区设置的第一导线连接；

覆盖在所述阳极上的OLED有机层；

覆盖在所述OLED有机层上并延伸至所述第一无基层的多个阴极，每个阴极穿过所述第一无机层与对应的发光区设置的第二导线连接；

设置在每个发光区外周的隔离柱，该隔离柱将相邻两个发光区隔离。

优选地，所述隔离柱由负性光刻胶形成。

优选地，还包括：在每个发光区制作的位于所述阴极远离所述OLED有机层一侧的封装层，相邻发光区内设置的封装层通过所述隔离柱分离。

优选地，还包括：设置于所述封装层与所述阴极之间的第二无机层，所述第二无机层覆盖所述阴极以及所述隔离柱，所述第二无机层将所述隔离柱与所述封装层隔开。

优选地，所述隔离柱的高度大于所述封装层的高度。

优选地，还包括：制作于所述封装层远离所述第二无机层一侧的第三无机层，所述封装层被该第二无机层以及第三无机层包裹。

优选地，，所述第一无机层上与所述第一导线和第二导线对应的位置分别设有通孔，所述阳极穿过对应的通孔与对应设置的第一导线连接，所述阴极穿过对应的通孔与对应设置的第二导线连接。

本发明实施例还提供一种有机发光二极管器件封装方法，该方法包括：

在一基板上的多个区域分别布置第一导线及第二导线，每个区域形成一个发光区；

在所述基板上制成第一无机层，所述第一无机层覆盖所述多个区域以及所述第一导线和第二导线；

在所述第一无机层上多个发光区的对应位置分别制作多个阳极，所述阳极穿过所述第一无机层与所述第一无机层下的第一导线连接，每个阳极与一个发光区对应设置；

在每个发光区的外周形成包围该发光区的隔离柱；

在所述阳极上方形成OLED有机层；

在所述OLED有机层上形成阴极，所述阴极覆盖所述OLED有机层并延伸至所述第一无机层，然后穿过所述第一无机层与所述第一无机层下的第二导线连接；

在所述阴极上形成第二无机层，所述第二无机层覆盖所述阴极及所述隔离柱；

在每个发光区的所述第二无机层上分别形成封装层，使相邻的发光区的封装层被所述隔离柱隔开；

在所述封装层以及第二无机层上方形成第三无机层，使所述封装层被该第二无机层和第三无机层包裹。

优选地，在所述第一无机层上多个发光区的对应位置分别制作多个阳极的步骤之前，该方法还包括：

在所述第一无机层对应的位置开设通孔，使得形成的阳极可通过该通孔与所述第一导线连接；

在所述OLED有机层上形成阴极的步骤之前，该方法还包括：

在所述第一无机层对应的位置开设通孔，使得所述阴极可通过该通孔与所述第二导线连接。

优选地，所述在每个发光区的所述第二无机层上分别形成封装层，每个发光区的封装层被所述隔离柱隔开的步骤包括：

在每个发光区的所述第二无机层上分别通过喷墨打印的方式形成封装层，每个发光区的封装层被所述隔离柱隔开。

与现有技术相比，本发明的提供的有机发光二极管器件及其封装方法。通过在每个发光区的外周设置隔离柱，将相邻的两个发光区隔离，使每个发光区相对独立以使封装时每个发光区也能够被独立封装。每个发光区相互独立可以在有机发光二极管器件一处失效时，有机发光二极管器件的其它位置还能够正常使用。在提高有机发光二极管器件的封装效率的同时还能提高有机发光二极管器件的利用率。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明较佳实施例提供的一种有机发光二极管器件的平面结构示意图。

图2为图1所示的有机发光二极管器件沿II-II线的单个发光区的截面示意图。

图3为本发明较佳实施例提供的一种有机发光二极管器件的相邻两个发光区的截面示意图。

图4为本发明另一较佳实施例提供的一种有机发光二极管器件封装方法的工艺流程示意图。

图5-图12为本发明实施例提供的有机发光二极管器件封装方法各工艺流程步骤中分别制造所述有机发光二极管器件各组成部分的结构示意图。

图标：1-有机发光二极管器件；10-发光区；100-基板；200-导线；210-第一导线；220-第二导线；300-第一无机层；400-阳极；500-隔离柱；600-OLED有机层；700-阴极；800-第二无机层；900-封装层；1000-第三无机层。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常拜访的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能解释为本发明的限制。

本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以是通过中间媒介间接连接，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

本发明实施例提供一种有机发光二极管器件1(organic light-emitting diode，OLED)。如图1所示，图1为本发明较佳实施例提供的一种有机发光二极管器件1的平面结构示意图。本实施例中的有机发光二极管器件1包括多个发光区10及设置在每个发光区10外周的隔离柱500。

所述隔离柱500设置在所述每个发光区10的外周，以将相邻的发光区10进行隔离。本实施例中，所述隔离柱500可采用负性光刻胶。在一个实例中，可通过狭缝涂布的方式将所述负性光刻胶在所述每个发光区10的外周形成所述隔离柱500。所述隔离柱500包围所述发光区10以使相邻的两个发光区10相互独立。

本实施例中，所述多个发光区10沿着两个方向并列排列，形成矩阵式排列结构。当然，本领域的技术人员可以根据需求任意设置所述发光区10的个数及分布方式，而并不受所述矩阵式排列结构的限制。

如图2所示，图2为图1所示的有机发光二极管器件1沿II-II线的单个发光区10的截面示意图。本实施例中，多个发光区10布置在一基板100上，该基板100可以是玻璃基板、金属基板及聚合物基板等。

所述基板100上布置多条导线200，所述导线200包括第一导线210及第二导线220，使每个发光区10对应的位置均布置有所述第一导线210及第二导线220。所述导线200的材质可以是铝、银等导电材质。优选的实施例中，所述导线200的厚度可为150-250nm，所述导线200的宽度可为30-70um。优选地，所述导线200的厚度可为200nm，所述导线200的宽度可为50um。

在一个实例中，请再次参阅图1，所述第一导线210及第二导线220可相对平行布置在所述一列发光区10所在的区域。在一个实例中，每列发光区10可布置一条第一导线210及两条第二导线220。所述两条第二导线220布置在所述第一导线210的两侧。一较佳实施例中，所述第一导线210为阳极导线，两条所述第二导线220为阴极导线。

所述基板100上沉积有第一无机层300。本实施例中，所述第一无机层300的材料可以是氧化硅或氮化硅等材料。

本实施例中，所述第一无机层300可通过气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)或等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称PECVD)的方式在所述基板100上形成。在一实施方式中，可将所述CVD所需的两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后使它们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到所述基板100表面。具体地，所述第一无机层300的材料为氮化硅时，所述第一无机层300由硅烷和氮导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到所述基板100上。所述PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，从而在所述基板100上沉积出所述第一无机层300。

本实施例中，所述第一无机层300的厚度可以是400-600nm，在一个具体实例中，所述第一无机层300的厚度优选为500nm。

具体地，所述发光区10包括沉积在所述第一无机层300上的阳极400。所述阳极400穿过所述第一无机层300与对应于每个发光区10设置的第一导线210(如阳极导线)连接。在一个优选的实例中，所述阳极400的材料可以是氧化铟锡(Indium tin oxide，简称ITO)。在其它实施例中，所述阳极400也可以采用氧化锌、氧化铟锌等氧化物半导体材料制成，而不限于所述ITO。

本实施例中，所述第一无机层300上与所述第一导线210对应的位置开设有通孔。在所述第一无机层300上形成所述阳极400时，每个发光区10的所述阳极400可穿过其对应的通孔与对应设置的所述第一导线210连接。在优选的实例中，所述通孔可通过黄光工艺在所述第一无机层300上形成。

具体地，所述阳极400上覆盖有OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)有机层600。本实施例中，位于每个发光区10的所述OLED有机层600完全覆盖该发光区10设置的阳极400。在一个优选的实例中，所述OLED有机层600完全覆盖所述阳极400，但不延伸至设置在所述第一导线210两侧的第二导线220处以防止所述OLED有机层600与所述第二导线220连接。

本实施例中，所述OLED有机层600可采用蒸镀的方式形成。本实施例中，可将OLED有机材料在真空环境中加热并镀到所述阳极400上方以形成所述OLED有机层600。

本实施例中，所述OLED有机层600还可以通过喷墨打印或精密金属掩模板沉积方式形成。所述喷墨打印方法是喷头从微孔板上吸取OLED有机材料后移至处理过的基板100上，通过热敏或声控等形式喷射器的动力把OLED有机材料喷射到基板100表面。通过喷墨打印的方式形成OLED有机层600可以对每个发光区10形成独立的OLED有机层600，可以有效避免不同发光区10的OLED有机层600相互干扰。例如，一个发光区10的OLED有机层600损坏，不会影响到其它位置的OLED有机层600的使用，从而提高有机发光二极管器件1的使用寿命。

本实施例中，如图2或3所示，所述OLED有机层600上覆盖有阴极700，阴极700穿过所述第一无机层300与所述发光区10设置的第二导线220(如阴极导线)连接。

本实施例中，所述阴极700可以是通过蒸镀的方式形成。所述阴极700的材料可以是铝或银等材料。所述阴极700的厚度可以是80-130nm，例如100nm。

本实施例中，所述第一无机层300上与第二导线220对应的位置也可设置通孔，位于每个发光区10的所述阳极400可以穿过其对应的通孔与对应设置的第一导线210连接，所述阴极700穿过对应的通孔与对应设置的第二导线220连接。在优选的实例中，所述通孔可通过黄光工艺在所述第一无机层300上形成。

本实施例中每个发光区10外周设置有隔离柱500，该隔离柱500将相邻发光区10隔离。本实施例中，上述的阳极400、OLED有机层600及阴极700设置所述隔离柱500围成的发光区10内。

所述发光区10设置有独立的封装层900。如图2或3所示，所述封装层900在所述隔离柱500形成的区域内，并完全覆盖所述阴极700。相邻两个发光区10内设置的封装层900通过所述隔离柱500分隔开。所述封装层900的材料可以是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、二苯酮、水杨酸乙基己酯、对氨基苯甲酸、肉桂酸等。本实施例中，所述封装层900可通过喷墨打印工艺在每个发光区10分别形成。也就是说每个发光区10的封装层900与相邻的其它发光区10的封装层900不接触。具体地，所述封装层900的厚度可以为1-3um，例如，2um。本实施例中使用喷墨打印的方式形成封装层900，使每个发光区10的封装层900均相互独立。如此，在其中一个发光区10的封装层900失效时，也不会影响其它发光区10的封装效果。

本实施例中，所述封装层900与所述阴极700之间设置有第二无机层800。所述第二无机层800覆盖所述阴极700并延伸至所述隔离柱500并覆盖所述隔离柱500，所述第二无机层800将所述隔离柱500与所述封装层900隔开。具体地，所述封装层900远离第二无机层800的一侧设置有第三无机层1000，所述第三无机层1000覆盖于所述封装层900上。具体地，如图2或3所示，所述封装层900被所述第二无机层800及第三无机层1000包裹。

具体地，所述第二无机层800及第三无机层1000可通过原子层沉积(Atomic layer deposition，简称ALD)方法，将无机物以单原子膜形式的多层结构镀在目标物的表面。

作为优选的实施例，所述隔离柱500的高度比所述封装层900成型后的高度高，以在形成所述封装层900时防止相邻发光区10的封装层900相互连接，从而提高独立封装的效果。

具体使用时，所述有机发光二极管器件1可用于制成照明灯，也可以用于制成显示器等。

根据上述实施例提供的有机发光二极管器件1，每个发光区10通过所述隔离柱500包围，使相邻的两个发光区10相互独立，从而使每个发光区10相对独立以使封装时每个发光区10也能够被独立封装。每个发光区10相互独立可以在有机发光二极管器件1一处失效时，有机发光二极管器件1的其它位置还能够正常使用。在提高有机发光二极管器件1的封装效率的同时还能提高有机发光二极管器件1的利用率。

本发明实施例提供一种有机发光二极管器件1的封装方法，如图4所示，本实施例中的方法包括以下步骤。

步骤S101，在一基板100上的多个区域分别布置第一导线210及第二导线220，如图5所示。本实施例中，所述基板100上的每个区域可形成一个独立的发光区10(如图1所示)。

步骤S102，在所述基板100上制成第一无机层300，所述第一无机层300覆盖所述多个区域以及所述第一导线210和第二导线220，如图6所示。所述第一无机层300可通过气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)或等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称PECVD)的方式在所述基板100上形成。

步骤S103，在所述第一无机层300上所述多个发光区10的对应位置分别制作多个阳极400，所述阳极400穿过所述第一无机层300与所述第一无机层300下的第一导线210连接，如图7所示。本实施例中，每个阳极400与一个发光区10对应设置。详细地，在形成该阳极400之前，可首先在所述第一无机层300对应的位置开设通孔，使得形成的阳极400可通过该通孔与所述第一导线210连接。

步骤S104，在每个发光区10的外周形成包围该发光区10的隔离柱500，如图8所示。本实施例中，所述隔离柱500将相邻的发光区10隔离，以使相邻的发光区10隔离。在一个实例中，可通过狭缝涂布的方式将所述负性光刻胶在所述每个发光区10的外周形成所述隔离柱500。

步骤S105，在所述阳极400上方形成OLED有机层600，如图9所示。

所述OLED有机层600可通过喷墨打印方式在所述阳极400上形成，并覆盖所述阳极400。

步骤S106，在所述OLED有机层600上形成阴极700，所述阴极700覆盖所述OLED有机层600并延伸至所述第一无机层300，然后穿过所述第一无机层300与所述第一无机层300下的第二导线220连接，如图10所示。详细地，在形成该阴极700之前，可首先在所述第一无机层300对应的位置开设通孔，使得形成的阴极700可通过该通孔与所述第二导线220连接。

步骤S107，在所述阴极700上形成第二无机层800，所述第二无机层800覆盖所述阴极700及所述隔离柱500，如图11所示。

步骤S108，在每个发光区10的所述第二无机层800上分别形成封装层900，使得相邻发光区10的封装层900被所述隔离柱500隔开，如图12所示。本实施例中，在每个发光区10的所述第二无机层800上分别通过喷墨打印方式形成封装层900，每个发光区10的封装层900被所述隔离柱500隔开。

步骤S109，在所述封装层900以及第二无机层800上方形成第三无机层1000，如图2所示。该第三无机层1000覆盖该封装层900和第二无机层800，使所述封装层900被第三无机层1000和第二无机层800包裹。

本实施例中的方法用于制作上述实施例提供的有机发光二极管器件1，关于本实施例的其它细节可以参考上述实施例中的描述，在此不再赘述。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。