覆晶式发光二极管元件封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种发光二极管，特别涉及一种发光二极管的封装结构。
【背景技术】
[0002]请参阅图1所示，其为美国公告第US07554126号专利，其为一覆晶式发光二极管，其主要是包含一 N型半导体层I与一 P型半导体层2所构成的P-N接面，该N型半导体层I与该P型半导体层2分别通过一 N极电极3与一 P极电极4各连接一焊垫5 (solder),且该N极电极3与该P极电极4分别通过一绝缘层6 (insulat1n)的隔离而分开。该焊垫5为供与电路板7的固定电极8电性连接，以提供该覆晶式发光二极管所需的电压。
[0003]如上所述的结构，其让N极电极3与P极电极4设置于覆晶式发光二极管的同一面，因而可以解决金属遮蔽所造成的光耗损，有效提高光取出率，而增加发光效能。
[0004]又，为了提高发光二极管的发光亮度，并降低能源耗损，现有已有提高驱动电压以降低电流量的作法，而为了提高驱动电压，现有有让多个已封装的发光二极管，以正负极连接的方式，串连在一起，其可形成一可承受高压的电路结构，因此其可以高压驱动而降低电流量，然而此种方式，其相当耗用空间而体积庞大，且易受外部静电场的干扰，而有发光不稳定的问题。
[0005]而另一方式，为于制做发光二极管半导体堆叠层时，让不同的发光二极管于晶圆(圆片)结构上直接串连在一起，之后再予以切割与封装，此种方式，其优点在于整合性高，可有效缩小体积，然而其半导体工序相当复杂，因而良率不好提升而垫高制作成本。
【发明内容】
[0006]本发明的主要目的在于，揭露一种覆晶式发光二极管元件封装结构，其通过封装结构让多个发光二极管串连在一起，而满足承受高压的需求。
[0007]基于上述目地，本发明为一种覆晶式发光二极管元件封装结构，其包含一电路基板、一电性传导层与多个覆晶发光元件，其中该电路基板具有一承载面，该电性传导层形成于该承载面，且该电性传导层具有彼此独立的多个电连接区域，而该多个覆晶发光元件分别具有一 P型电极与一 N型电极，该多个覆晶发光元件藉由该多个电连接区域，电性连接该多个覆晶发光元件的P型电极与N型电极，并让该多个覆晶发光元件电性串连在一起。
[0008]据此，本发明为让该多个覆晶发光元件于封装时，藉由串连在一起的结构而形成一可承受高压的电路，故可以使用高压驱动而降低电流，故而可以增加发光亮度，并节省能耗，同时，其可有效利用空间，且不需改变半导体的前段工艺，因而兼具体积小、制造成本低廉的优点。
[0009]以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
【附图说明】
[0010]图1，为现有覆晶式发光二极管结构图；
[0011]图2，为本发明结构图；
[0012]图3，为本发明电极层俯视图。
【具体实施方式】
[0013]兹有关本发明的详细内容及技术说明，现以实施例来作进一步说明，但应了解的是，该些实施例仅为例示说明之用，而不应被解释为本发明实施的限制。
[0014]请再参阅图2与图3所示，本发明为一种覆晶式发光二极管元件封装结构，其包含一电路基板10、一电性传导层20与多个覆晶发光兀件30,其中该电路基板10具有一承载面11，该电性传导层20形成于该承载面11，且该电性传导层20具有彼此独立的多个电连接区域21。更详细的说，该多个电连接区域21彼此间为电性独立，为供电性连接该多个覆晶发光元件30使用。
[0015]该多个覆晶发光元件30为分别具有一 P型电极31与一 N型电极32，该多个覆晶发光元件30可以藉由该多个电连接区域21，电性连接该多个覆晶发光元件30的P型电极31与N型电极32，以让该多个覆晶发光元件30电性串连在一起。又该覆晶发光元件30的P型电极31与N型电极32，可以分设于该覆晶发光元件30的表面两侧，以有效利用空间，减少该多个电连接区域21的面积，以节省材料成本。
[0016]并该多个覆晶发光兀件30的P型电极31与N型电极32为分藉由一锡球40,固定且电性连接所对应的该多个电连接区域21，且该锡球40的高度为依据实际需要而改变的，如图所示，本发明连结该P型电极31的锡球40，其高度为大于连结该N型电极32的锡球40。并在实施上，该多个覆晶发光元件30可以为矩阵排列于该电路基板10的承载面11上，以有效利用该电路基板10的空间。
[0017]另外，形成电性串连的该多个覆晶发光元件30的最前端与最后端所连结的该电连接区域21，可以分别通过一打线50与一外部电源(图未示)连接，该打线50为进行封装后仅剩的外露元件，为供与该外部电源连接，以提供该多个覆晶发光元件30所需的驱动电压。
[0018]如上所述，本发明为让该多个覆晶发光元件于封装时，藉由串连在一起的结构而形成一可承受高压的电路，故该外部电源可以提供高电压来驱动串连在一起的该多个覆晶发光元件，在功率不变的前提下，高电压代表低电流，因而可有效降低电流，其可以增加发光亮度，减少能量耗损；又本发明的结构可以让该多个覆晶发光元件紧密排列，因而可有效利用空间，且本发明的多个覆晶发光元件可以直接采用一般规格产品，亦即不需改变半导体的前段工艺，有效降低成本，因而本发明兼具体积小、制造成本低廉的优点。
[0019]当然，本发明还可有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种覆晶式发光二极管元件封装结构，其特征在于，包含: 一电路基板，该电路基板具有一承载面； 一电性传导层，该电性传导层形成于该承载面，且该电性传导层具有彼此独立的多个电连接区域；以及 多个覆晶发光元件，该多个覆晶发光元件分别具有一 P型电极与一 N型电极，该多个覆晶发光元件藉由该多个电连接区域，电性连接该多个覆晶发光元件的P型电极与N型电极，并让该多个覆晶发光元件电性串连在一起。
2.根据权利要求1所述的覆晶式发光二极管元件封装结构，其特征在于，该多个覆晶发光元件的P型电极与N型电极分藉由一锡球，固定且电性连接所对应的该多个电连接区域。
3.根据权利要求1所述的覆晶式发光二极管元件封装结构，其特征在于，该覆晶发光元件的P型电极与N型电极，分设于该覆晶发光元件的表面两侧。
4.根据权利要求1所述的覆晶式发光二极管元件封装结构，其特征在于，该多个覆晶发光元件为矩阵排列于该电路基板的承载面上。
5.根据权利要求1所述的覆晶式发光二极管元件封装结构，其特征在于，形成电性串连的该多个覆晶发光元件的最前端与最后端所连结的该电连接区域，分别通过一打线与一外部电源连接。
【专利摘要】本发明为覆晶式发光二极管元件封装结构，其包含一电路基板、一电性传导层与多个覆晶发光元件，其中该电路基板具有一承载面，该电性传导层形成于该承载面，且该电性传导层具有彼此独立的多个电连接区域，而该多个覆晶发光元件分别具有一P型电极与一N型电极，该多个覆晶发光元件藉由该多个电连接区域，电性连接该多个覆晶发光元件的P型电极与N型电极，并让该多个覆晶发光元件电性串连在一起而构成一封装结构，据此，该多个覆晶发光元件于封装时，藉由串连在一起而形成一可承受高压的电路，其可以使用高压驱动而降低电流，故而可以增加发光亮度，并节省能耗，同时兼具体积小、制造成本低廉的优点。
【IPC分类】H01L25-075, H01L33-48, H01L33-62
【公开号】CN104576626
【申请号】CN201310500231
【发明人】曾信翔, 杨睿明, 徐海文
【申请人】泰谷光电科技股份有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2013年10月22日