覆晶式发光二极管封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种半导体发光元件，特别设及一种覆晶式发光二极管封装结构。
【背景技术】
[0002] 发光二极管因具有生产成本低、结构简单、低能耗低污染、体积小及容易安装等优 势被大量用于照明光源及显示技术中。
[0003] 传统的覆晶式发光二极管包括依次堆叠设置的N型半导体层、发光层、P型半导体 层及形成在覆晶式发光二极管形同一侧并与N型半导体层及P型半导体层电连接的N电极 及P电极。在覆晶式发光二极管封装时，所述覆晶式发光二极管通过导电胶固定在基板上， 并将覆晶式发光二极管电极与基板上对应电极连接。然而在通常情况下，因为导电胶会沿 着导热率大的N电极及P电极流动而使N电极与P电极之间虚焊而导致爬锡现象产生，进而 导致N电极与P电极之间容易发生短路，使得覆晶式发光二极管结构不能正常工作，而且因 爬锡而露出至覆晶式发光二极管外部的导电胶会吸收覆晶式发光二极管边缘发出的光线， 导致覆晶式发光二极管出光效率降低。
【发明内容】
[0004] 有鉴于此，有必要提供一种性能稳定出光效率高的覆晶式发光二极管封装结构。 阳0化]一种覆晶式发光二极管封装结构，包括基板及位于基板之上的L邸忍片，所述LED 忍片包括P电极和N电极，还包括固定于基板的第一电极和第二电极，所述第一电极和第二 电极分别具有位于基板顶面之上的第一凸起和第二凸起，所述P电极与N电极分别通过导 电胶固定于所述第一凸起和第二凸起的顶面且P电极及N电极的底面边缘超出所述第一凸 起及第二凸起的顶面边缘。
[0006] 本发明所述覆晶式发光二极管的封装结构可W避免所述L邸忍片封装过程中导 电胶爬锡而造成L邸忍片短路，提升覆晶式发光二极管的稳定性及出光效率。
【附图说明】
[0007] 图1为本发明第一实施例所示覆晶式发光二极管封装基板的剖视图。
[0008] 图2为本发明第一实施例所示覆晶式发光二极管封装结构剖视图。
[0009] 图3为本发明第二实施例所示覆晶式发光二极管的封装结构的剖视图。
[0010] 主要元件符号说明
如下【具体实施方式】将结合上述附图进一步说明本发明。
【具体实施方式】
[0011] 如图1-2所示，本发明第一实施例中的覆晶式发光二极管封装结构包括基板10、 贯穿于于基板10内的第一电极20和第二电极30,W及位于基板10之上与第一电极20及 第二电极30电连接的LED忍片40。
[0012] 所述基板10由绝缘材料制成，呈平板状。所述的第一电极20及第二电极30分别 自基板10底部贯穿顶部，将基板10分割为相互独立的第一基板11、第二基板12和第=基 板13。所述的第一电极20及第二电极30之间通过第二基板12间隔。
[0013] 所述L邸忍片40为为覆晶式发光二极管结构。所述L邸忍片40包括由金属材质 制成的一P电极41和一N电极42。所述L邸忍片40通过导电胶60固定于所述第一电极 20或第二电极30之上。
[0014] 所述第一电极20和第二电极30由导热及导电性能良好的材料制成，且第一电极 20及第二电极30的高度大于基板10的高度。所述第一电极20包括位于基板10底部的 一第一焊接部21、位于基板10顶部的一第一凸起22,W及连接第一焊接部21和第一凸起 22的第一连接部23。同理，所述第二电极30包括位于基板10底部的一第二焊接部31、位 于基板10顶部的一第二凸起32,W及连接第二焊接部31及第二凸起32的第二连接部33。 所述第一连接部23和第二连接部33的纵截面呈矩形。所述第一凸起22、第二凸起32W及 第一焊接部21、第二焊接部31的纵截面亦呈矩形。所述第一焊接部21及第二焊接部31的 纵截面面积分别大于所述第一凸起22及第二凸起32的纵截面面积。所述第一凸起22和 第二凸起32用于承载L邸忍片40,所述第一凸起22和第二凸起32的顶面面积之和小于所 述P电极41和N电极42的底面积之和。
[0015] 在固晶过程中，先将LED忍片40固定于基板10上，所述LED忍片40的P电极41 及N电极42通过导电胶60与第一凸起22或第二凸起32连接。因第一凸起22和第二凸 起32的顶部面积小于所述P电极41及N电极42的底面积之和，即所述P电极41及所述 N电极42底部边缘超出所述第一凸起22及第二凸起32的顶部边缘。所W通过导电胶60 固定所述L邸忍片40于第一凸起22及第二凸起32之上时，第一凸起22及第二凸起32的 边缘可引导导电胶60在重力的作用下沿其周缘往下流动，从而使得导电胶60填满涂设于 第一凸起22和第二凸起32与L邸忍片40之间外，溢出的导电胶60收容于第一凸起22和 第二凸起32外围处并与P电极41、N电极42接触将LED忍片40进一步固定连接。如此， 避免了大量导电胶60因爬锡而造成L邸忍片40的P电极41与N电极42发生短路。进一 步地，导电胶60流向第一凸起22及第二凸起32外侧周缘处可避免导电胶60包裹L邸忍 片40外围，从而提高出光效率。
[0016] 如图3所示，为本发明第二实施例所述覆晶式发光二极管封装结构，其与第一实 施例中所述覆晶式发光二极管封装结构相似。其不同在于：所述基板10上形成有封装胶体 层50,所述封装胶体层50中包含有巧光粉。所述封装胶体层50覆盖所述LED忍片40,用 于保护所述L邸忍片40免受如水汽、灰尘等侵害。
【主权项】
1. 一种覆晶式发光二极管封装结构，包括基板及位于基板之上的LED芯片，所述LED芯 片包括P电极和N电极，还包括固定于基板的第一电极和第二电极，其特征在于：所述第一 电极和第二电极分别具有位于基板顶面之上的第一凸起和第二凸起，所述P电极与N电极 分别通过导电胶固定于所述第一凸起和第二凸起的顶面且P电极及N电极的底面边缘超出 所述第一凸起及第二凸起的顶面边缘。2. 如权利要求1所述覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极和第二 电极进一步包括位于基板底部的第一焊接部和第二焊接部，以及连接第一焊接部和第一凸 起的第一连接部、连接第二焊接部和第二凸起的第二连接部。3. 如权利要求1所述覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极和第二 电极将基板分割为相互独立的第一基板、第二基板和第三基板，所述第二基板位于第一电 极和第二电极之间并将第一电极与第二电极间隔。4. 如权利要求2所述覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一凸起、第二凸 起以及第一焊接部和第二焊接部的纵截面呈矩形，所述第一焊接部、第二焊接部的纵截面 面积分别大于所述第一凸起、第二凸起的纵截面面积。5. 如权利要求2所述覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一连接部和第 二连接部的纵截面呈矩形。6. 如权利要求1所述覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板上还形成有 封装胶体层，所述封装胶体层包覆所述LED芯片。7. 如权利要求1所述覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板由绝缘材料 制成。8. 如权利要求1所述覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：所述P电极和N电极 由金属材料制成。9. 如权利要求1所述覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极和第二 电极由导热及导电性能良好的材料制成。
【专利摘要】一种覆晶式发光二极管封装结构，包括基板及位于基板之上的LED芯片，所述LED芯片包括P电极和N电极，还包括固定于基板的第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别具有位于基板顶面之上的第一凸起和第二凸起，所述P电极与N电极分别通过导电胶固定于所述第一凸起和第二凸起的顶面且P电极及N电极的底面边缘超出所述第一凸起及第二凸起的顶面边缘。本发明所述覆晶式发光二极管封装结构性能稳定，出光效率高。
【IPC分类】H01L33/62
【公开号】CN105428510
【申请号】CN201410445082
【发明人】林厚德, 张超雄, 陈滨全, 陈隆欣
【申请人】展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2014年9月3日
【公告号】US9147809