件220的由源210生成的那部分基团。具有较低复合系数的材料允许较大部分的所生成的基团205到达元件220，因为相对少的由源310生成的自由基205由于通过与导管250的内壁的碰撞的复合而损失。
[0064]导管250可以由特氟龙、石英或诸如硼硅酸盐玻璃(例如，耐火玻璃(Pyrex))等的玻璃制成。在一些实施方式中，导管250可以由在可能与自由基205发生接触的部分被涂覆有具有低复合系数的材料的金属制成。例如，导管250可以是具有被涂覆有Pyrex的内表面和端部的铝导管。在另一示例中，导管250可以由诸如二氧化硅(Si02)、氧化钛(T12)或氧化铝(AlO2)的氧化金属制成。作为又另一示例，导管可以由诸如阳极化铝等的阳极化金属制成。虽然由金属氧化物制成的导管与由非金属材料制成的导管相比具有较高的复合系数，但是金属导管可以相对地更易于机加工并且可以更加结实。
[0065]导管250的材料和基团205通过导管的质量流率允许导管250是长得足以将基团205在原位传送到元件220、也就是在元件在容器230内时。例如，导管250可以具有0.8至2米的沿着方向207的纵向范围。
[0066]参见图3A至图3C，示出了另一示例性自由基输送系统300的框图。图3A示出输送系统300的侧视图，图3B示出输送系统300的沿着图3A的线3B-3B截取的视图，并且图3C示出输送系统300的沿着图3A的线3C-3C截取的视图。
[0067]自由基输送系统300包括导管350，其限定出自由基离开导管350所通过的并且被朝向元件320引导的开口 354a至3541。开口 354a至3541的可变的尺寸和特定放置允许系统300以均匀速率将基团提供至元件320，由此以均匀速率清洁元件320。开口 354a至3541的尺寸在方向307上增加，其中最小的开口(开口354a)最靠近源310并且最大的开口(开口3541)距源310最远。
[0068]参见图3A，自由基输送系统300包括产生自由基305的源310。图3A从侧面示出导管350，其中开口354a至3541被垂直于方向307定向，使得自由基305在朝向元件320的方向308上从开口 354a至3541中流出。导管350限定出联接至源310并接收所生成的自由基305的开口 352 ο导管350穿过容器330(例如，真空室)的侧壁336和密封端口 334并进入容器330的内室332中。自由基305在导管350中在方向307上行进并且通过开口354a至3541朝向元件320离开。导管350位于与元件320相距距离326处。对于具有面对导管的曲面的诸如元件320等的元件而言，距离326是从导管到元件的最大距离。距离326可以是例如15cm至30cmo
[0069]元件320在容器330的内室332中。容器330是LLP EUV光源(诸如图1A和图1B的光源
100)的一部分。元件320限定出在容器330中所生成的等离子体的路径中的表面322，并且等离子体生成可以引起碎肩324形成在表面322上。碎肩可以包括例如作为用于生成等离子体的靶混合物的一部分的锡微滴的蒸气残留物、颗粒和离子。
[0070]当基团305到达碎肩324时，基团305与碎肩324结合，由此从表面322上去除碎肩324。因为导管350将自由基305传送至元件320，所以不需要从容器330去除元件320以用于清洁。而是，元件320在驻留在容器330内时被清洁。在不从容器330去除的情况下清洁元件320降低了系统停机时间，因为例如元件320不受干扰并且不必在清洁后重新调准。
[0071 ] 还是参见图3B和图3C，导管350包括开口 354a至3541，其中的每一个形成穿过导管350的壁356的通道。图3B示出从元件320在与方向308相反的方向上向上看导管350时的导管350的视图。图3C示出向下看到元件320上时的视图，其中方向308进入到纸面中。图3C还示出开口 354a至3541中的每一个的在元件320的表面322上的投影329a至3291。投影329a至3291—起限定出作为元件320的暴露于从开口354a至3541发射出的自由基305的那部分的清洁区(swath) 328 ο
[0072]开口 354a至3541的尺寸在方向307上增加，其中最小的开口(开口 354a)最靠近源310并且最大的开口(开口 3541)距源310最远。如下面所讨论的，开口 354a至3541的在方向307上的增加的尺寸引起自由基305以均匀速率到达清洁区328。
[0073]源310可以是微波等离子体生成器。为了用这样的源产生自由基，自由基形成所来自的气体被提供至源310。例如，为了产生氢自由基，提供氢气体(Hs)。附加的气体可以在将气体提供至源310之前被添加至气体。例如，氩和氧的混合物(Ar/02)可以被添加至氢气体。氢气体和附加气体混合物两者当被提供至源310时具有质量流率和速度。例如，氢气体可以以每分钟3标准升(SLM)的质量流率被提供至源310，并且Ar/02混合物以每分钟21标准立方厘米(SCCM)的质量流率被提供至源。
[0074]进入源310的氢和Ar/02气体被用于产生氢自由基和在方向307上进入导管350内的移动气体。在导管中行进的移动气体造成沿着与方向307相反的方向起作用的背压。背压是当移动气体流动通过导管350时所遇到的阻力。
[0075]当存在时，背压具有降低在导管350中行进的气体的质量流率或速度的影响，这进而引起由气体承载的自由基留在导管350中较长一段时间。自由基305在导管350中的时间是“停留时间”。背压的存在可以导致对于氢基而言的较长的停留时间，并且较长的停留时间致使对于基团而言更多机会与导管350的内壁结合和更少的氢基到达元件320。
[0076]增加在方向307上的在导管350中流动的气体的质量流率或速度也可以快速地增加自由基305在导管350中行进的速度，由此以较高的速率将自由基传送至元件320并且更加快速地清洁元件320。然而，增加流动气体的质量流率或速度也会增加背压，这会降低被传送至元件320的自由基的量(通过在导管中的基团的增加的停留时间期间的增加的复合)并且也会降低基团被传送至元件320时的速度(通过由背压引起的流动气体的降低的速度)。这样，在流动在导管350中的气体的质量流率或速度上的增加被背压的产生平衡掉。
[0077]另外，在侧壁中缺乏开口的导管中，在导管中流动的气体所遇到的压力或阻力会在气流的方向上增加。如果侧壁中的开口都是相同尺寸，则与其他开口相比更多的基团305从最靠近源的开口离开，因为在导管350内的压力朝向源310增加。此外，在该情形中，基团305因为在方向307上的降低或减小的质量流动而在它们在方向307上移动通过导管350时在速度上减小。作为结果，如果导管侧壁中的所有开口都是相同尺寸，则基团305到达清洁区328，但是到达清洁区328的基团305的速度可能不会遍及清洁区328的各部分是恒定的。
[0078]相比之下，导管350的开口 354a至3541具有不同尺寸，并且开口的尺寸在气流的方向(方向307)上增加。该布置降低了上面所讨论的影响。因此，当在侧壁中具有可变尺寸的开口的导管(诸如导管350)被用于将基团305传送至表面322时，清洁区328的所有部分都以相同速率被清洁。
[0079]在一些实施方式中，导管中的背压保持低于0.9torr至1.2torr，并且在方向307上的流动气体的中线速度是在ISLM至4SLM之间。碎肩324的腐蚀速率或去除的速率可以是例如每分钟5纳米至每分钟125纳米(111]1/1]1；[11)。去除的速率可以大于125111]1/1]1；[110
[0080]开口 354a至3541可以具有有着4.5mm至6.5mm的直径的圆形截面并且可以在导管350上沿方向307彼此等距地间隔开。沿着方向307在开口中的每一个之间的纵向间距可以是例如40mm。虽然图3A至图3C中示出的示例包括十二个开口，但是在其他示例中，可以使用更多或更少的开口。例如，导管350可以限定出十个开口或者多于十二个的开口。
[0081 ]参见图3B和图3C，为了将被清洁的元件320上的区域放大，可以使导管350围绕纵轴359转动，该纵轴的伸展由导管350限定并且沿着平行于方向307的方向延伸。备选地或另外地，导管350可以沿着方向309来回平移。系统300包括允许系统300的用户使导管350移动的定位机构340。定位机构340可以被配置为手动操作，例如，利用可从容器330的外部访问的并且允许用户使导管350移动的杆、轮或其他机械装置。定位机构340可以是计算机控制的。例如，导管350可以被联接至当由用户或自动电子过程启动时使导管350移动的步进马达或其他装置。
[0082 ]导管3 50的沿着方向309的来回平移在使距离3 26 (图3A)保持恒定的状态下使导管350相对于元件320移动。换言之，导管350在与包括元件320的周界或边缘327的平面平行的平面中相对于320移动。使导管350围绕轴线359转动允许自由基305被传送至元件320的在清洁区328外的区域、诸如区域321a和321b。使导管350沿着方向309来回平移也允许自由基305被传送至元件320的在清洁区328外的区域。
[0083]参见图4，示出了用于清洁EUV光源的真空室中的光学元件而不从真空室去除元件的示例性过程400的流程图。过程400可以利用本文中所公开的任何自由基输送系统来执行。例如，过程400可以利用输送系统200或300来执行。在过程400的讨论中，系统300用作示例。
[0084]在由导管350限定的第一开口352处接收自由基305(410)。自由基与待清洁的元件上的碎肩结合。碎肩可能是当靶混合物被转换成发射EUV光的等离子体时生成的，并且碎肩可能由于元件在等离子体的路径中而积聚在元件的表面上。自由基305由源310生成。源310可以是例如微波等离子体生成器，诸如可从马萨诸塞州安多佛的万机仪器公司(MKSInstruments, Inc.)购得的智能功率生成器。源可以以例如3000瓦特操作。
[0085]为了生成自