口都形成穿过导管的壁并且将自由基905朝向元件920释放的通道。因此，与包括单个导管的输送系统相比，输送系统900可以在不必使歧管950转动或平移的情况下清洁元件920的更大区域。然而，在一些实施方式中，歧管950可以被转动或平移以进一步增加由自由基905清洁的区域的尺寸。
[0108]此外，在导管950a至950g中，开口954a至9541均为不同尺寸，其中尺寸在方向907上增加。这与参照图3A至图3C在上面所讨论的导管350的开口 354a至3541类似。这样，导管950a至950g以均匀速率将自由基905传送至元件920，这导致碎肩以均匀速率从元件920上被清洁掉。在其他实施中，开口954a至9541可以均为相同尺寸。虽然歧管950包括七个(7)导管，但是可以使用更多或更少的导管。另外，歧管的导管可以包括比示出的更多或更少的开口，并且导管可以包括不同数量的开口。
[0109]参见图10A，示出了另一示例性自由基输送系统1000的框图。输送系统1000的视图是朝向待清洁的元件1020向下的。输送系统1000是诸如图1A的光源100等的LPP EUV光源的一部分，并且元件1020是在容器1030的内室1032中。
[0110]输送系统1000包括导管1050a、1050b，其中的每一个分别连接至自由基的源1010a、1010b。来自源1010a、1lOb的自由基流动到导管1050a、1050b内。与上面所讨论的导管550类似，导管1050a、1050b由具有低复合率的材料制成。
[0111]元件1020限定出由于处于容器1030中所生成的等离子体的路径中而积聚有碎肩1024的表面1022。等离子体可以通过使放大光束穿过元件1020中的孔径1019以照射靶混合物(未示出)并将靶混合物转换成等离子体而生成。元件1020可以是例如接收由等离子体发射出的EUV光并且将光聚焦至从图1OA的纸面出来的位置的收集器反射镜。因此，在图1OA中，放大光束和聚焦的EUV光的光学路径是在从纸面出来的方向(与进入纸面的方向308相反)上。放大光束的光学路径从纸面出来，只是还穿过孔径1019。
[0112]与图3A至图3C、图8B、图9A和图9B中示出的输送系统相比，输送系统1000的导管1050a和1050b在光路路径外。和输送系统300—样，输送系统1000可以被用于在“原位”或者在元件1020在容器1030内时清洁元件1020。另外，因为输送系统1000在光学路径之外，所以输送系统1000可以在光源处于操作时被使用。
[0113]导管1050a、1050b具有线性部分1080a、1080b和弯曲部分1081a、1081b。弯曲部分1081a、1081b跟随元件1020的边缘1027，避开了光学路径。导管1050a、1050b由具有低复合系数的材料制成并因此将来自源1I Oa、1I Ob的自由基传送至容器1030的内室。
[0114]还参见更详细地示出了弯曲部分1081a的图10B，弯曲部分1081a限定出使来自导管1050的内部的自由基和气体朝向元件1020传递的开口 1054a至1054k。开口 1054a至1054k具有不同尺寸，并且尺寸随着与源1lOa的距离增加而增加
[0115]与图1OB的示例中所示出的相比更多或更少的开口可以形成在弯曲部分1081a中。开口可以与参照图3A至图3B、图5、图6和图7所示出和描述的开口的布置中的一个或多个类似地布置。例如，与开口 1054a至1054k的集合类似的多个行的开口可以被形成在部分1081a中。导管1050b具有被定向成将自由基朝向元件1020引导的在部分1081b中的类似开口。
[0116]参见图11，示出了另一示例性自由基输送系统1100。自由基输送系统1100包括跟随待清洁的元件1120的边缘1127的导管1150。和图1OA的输送系统1100—样，输送系统1100包括在被用于生成等离子体的放大光束和/或由元件1120聚焦的EUV光的光学路径之外的导管。
[0117]输送系统1100包括被联接至自由基的源1110的导管1150。和导管1050a、1050b—样，导管1150由具有低复合系数的材料制成，并因此将由源1110生成的自由基输送至保持着元件1120的容器1130的内室1132。导管1150限定出使自由基朝向元件1120传递的开口。
[0118]其他实施在下面的权利要求的范围内。
【主权项】
1.一种清洁极紫外(EUV)光源中的元件的方法，所述方法包括: 在由导管的第一端部限定的第一开口处接收与通过将靶混合物转换成发射出EUV光的等离子体而产生的碎肩结合的自由基，所述导管包括使所述自由基通过的材料，并且所述导管包括远离所述第一开口延伸并且限定出至少一个其他开口的侧壁，所述至少一个其他开口穿过所述侧壁并且被定位成使所述自由基朝向在表面上积聚有所述碎肩的元件释放；将所述导管中的所述自由基朝向所述至少一个其他开口引导；以及使所述自由基穿过所述至少一个其他开口并且到达所述元件的所述表面，以在不从所述EUV光源去除所述元件的情况下从所述元件的所述表面去除所述碎肩。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述自由基通过腐蚀从所述元件的所述表面上去除所述碎肩。3.根据权利要求1所述的方法，其中由所述侧壁限定的所述至少一个其他开口包括不同尺寸的多个开口，每个开口穿过所述侧壁，并且使所述自由基穿过所述至少一个其他开口包括使所述自由基穿过所述多个开口。4.根据权利要求3所述的方法，其中穿过所述侧壁的所述多个开口中的最小的开口是最靠近所述第一开口的所述开口，并且穿过所述侧壁的所述多个开口中的最大的开口是距所述第一开口最远的所述开口。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述多个开口的所述尺寸在所述多个开口中的所述最小的开口与所述多个开口中的所述最大的开口之间增加。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述碎肩以均匀速率从所述元件的所述表面被去除。7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将由所述导管限定的所述至少一个其他开口相对于所述元件定位。8.根据权利要求7所述的方法，其中将由所述导管限定的所述至少一个其他开口相对于所述元件定位包括使所述至少一个其他开口相对于所述元件移动。9.根据权利要求7所述的方法，其中所述至少一个其他开口在平行于所述元件的周界的平面中移动。10.根据权利要求7所述的方法，其中所述至少一个其他开口相对于包括所述元件的周界的平面转动。11.根据权利要求1所述的方法，其中将所述导管中的所述自由基朝向所述至少一个其他开口引导包括:在所述自由基的源与所述至少一个其他开口之间产生压力差，其中所述至少一个其他开口与所述自由基的所述源相比处于较低压力并且与所述导管外的区域相比处于较高压力。12.—种系统，包括: 极紫外光源，包括: 源，其产生放大光束； 真空室; 靶材料传送系统，其将靶材料朝向所述真空室中的靶位置引导，所述靶位置接收所述放大光束，并且所述靶材料包括当被转换成等离子体时发射出极紫外光的材料;以及收集器，其接收并反射所发射出的所述极紫外光；以及基团输送系统，包括: 导管，包括使自由基通过的材料，所述导管限定出由所述导管的第一端部限定的第一开口和由所述导管的侧壁限定的至少一个其他开口，所述导管的所述侧壁穿过所述真空室的壁并且被定位成使所述第一开口在所述真空室外，并且所述至少一个其他开口在所述真空室内并且朝向所述收集器被定向。13.根据权利要求12所述的系统，其中所述基团输送系统进一步包括自由基的源。14.根据权利要求12所述的系统，其中所述至少一个其他开口包括由所述侧壁限定并且穿过所述侧壁的多个开口。15.根据权利要求14所述的系统，其中所述开口沿着平行于由所述导管限定的纵轴的路径彼此间隔开。16.根据权利要求14所述的系统，其中所述开口具有不同尺寸，所述多个开口中的最小的开口最靠近所述导管的所述第一端部，并且所述多个开口中的最大的开口距所述导管的所述第一端部最远。17.根据权利要求14所述的系统，其中所述导管被定位成使得所述多个开口中的每个开口在所述真空室内并且被朝向所述收集器定向。18.根据权利要求12所述的系统，其中所述导管被定位在所述放大光束的传播的路径外。19.根据权利要求12所述的系统，其中所述导管被配置成相对于所述收集器移动。20.根据权利要求12所述的系统，其中所述基团输送系统包括多个导管。21.—种系统，包括: 极紫外光源，包括: 源，其产生放大光束； 真空室; 靶材料传送系统，其将靶材料朝向所述真空室中的靶位置引导，所述靶位置接收所述放大光束，并且所述靶材料包括当被转换成等离子体时发射出极紫外光的材料;以及 收集器，在所述真空室内并且在所述等离子体的路径中，所述收集器接收并反射所发射出的所述极紫外光和碎肩；以及 基团输送系统，包括: 导管，包括使自由基通过的材料，所述导管限定出由所述导管的第一端部限定的第一开口和由所述导管的侧壁限定的至少一个其他开口，所述导管的所述侧壁穿过所述真空室的壁并且被配置成将所述自由基引导至所述收集器，以在不从所述真空室去除所述收集器的情况下以恒定速率从所述收集器去除所述碎肩。22.根据权利要求21所述的系统，其中所述导管的所述侧壁具有至少0.Sm的纵向范围。
【专利摘要】在由导管的第一端部限定的第一开口处接收与通过将靶混合物转换成发射出EUV光的等离子体而产生的碎屑结合的自由基，导管包括使自由基通过的材料，并且导管包括远离第一开口延伸并且限定出至少一个其他开口的侧壁，至少一个其他开口被定位成使自由基朝向在表面上积聚有碎屑的元件释放。导管中的自由基被朝向至少一个其他开口引导。自由基穿过至少一个其他开口并且到达元件的表面，以在不从EUV光源去除元件的情况下从元件的表面去除碎屑。
【IPC分类】H01L21/3065
【公开号】CN105580117
【申请号】CN201480049748
【发明人】S·德德亚, A·I·厄肖夫, B·W·维尔霍夫, G·J·威尔森, B·拉方泰内
【申请人】Asml荷兰有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2014年8月21日
【公告号】US20150069273, WO2015034687A1