用于极紫外光源的输送系统的制作方法
【技术领域】
[0001]所公开的主题涉及用于极紫外光源的输送系统。
【背景技术】
[0002]极紫外(“EUV”)光(例如具有约50nm或更小的波长的电磁辐射(有时也称作软X射线)并且包括处于大约13nm的波长的光)可以在光刻工艺中使用，以在例如硅晶片的衬底中产生极小的特征。
[0003 ]用以产生EUV光的方法包括但不限于将具有有着在EUV范围内的发射线的例如氙、锂或锡的元素的材料转换处于等离子状态。在一个这样的方法中，经常称为激光产生等离子体(“LPP”)的所要求的等离子体可以通过用可称作驱动激光的放大光束照射例如呈材料的微滴、板、带、流或簇的形式的靶材料来产生。对于该过程，等离子体典型地在密封容器、例如真空室中产生，并且使用各种类型的量测设备来监测。
【发明内容】
[0004]在一个总体方面中，一种清洁极紫外(EUV)光源中的元件的方法包括:在由导管的第一端部限定的第一开口处接收与通过将靶混合物转换成发射出EUV光的等离子体而产生的碎肩结合的自由基，导管包括使自由基通过的材料，并且导管包括远离第一开口延伸并且限定出至少一个其他开口的侧壁，至少一个其他开口穿过侧壁并且被定位成使自由基朝向在表面上积聚有碎肩的元件释放;将导管中的自由基朝向至少一个其他开口引导；以及使自由基穿过至少一个其他开口并且到达元件的表面，以在不从EUV光源去除元件的情况下从元件的表面去除碎肩。
[0005]实施可以包括下面的特征中的一个或多个。自由基可以通过腐蚀从元件的表面上去除碎肩。
[0006]由侧壁限定的至少一个其他开口可以是不同尺寸的多个开口，每个开口穿过侧壁，并且使自由基穿过至少一个其他开口可以包括使自由基穿过多个开口。穿过侧壁的多个开口中的最小的开口可以是最靠近第一开口的开口，并且穿过侧壁的多个开口中的最大的开口可以是距第一开口最远的开口。多个开口的尺寸可以在多个开口中的最小的开口与多个开口中的最大的开口之间增加。
[0007]碎肩可以以均匀速率从元件的表面被去除。
[0008]由导管限定的至少一个其他开口可以相对于元件定位。将由导管限定的至少一个其他开口相对于元件定位可以包括使至少一个其他开口相对于元件移动。至少一个其他开口可以在平行于元件的周界的平面中移动。至少一个其他开口可以相对于包括元件的周界的平面转动。
[0009]导管中的自由基可以通过在自由基的源与至少一个其他开口之间产生压力差而被朝向至少一个其他开口引导，其中至少一个其他开口与自由基的源相比处于较低压力并且与导管外的区域相比处于较高压力。
[0010]在另一总体方面中，一种系统包括极紫外光源，其包括:产生放大光束的源;真空室;将靶材料朝向真空室中的靶位置引导的靶材料传送系统，靶位置接收放大光束，并且靶材料包括当被转换成等离子体时发射出极紫外光的材料；以及接收并反射发射出的极紫外光的收集器。系统还包括基团输送系统，其包括:包括使自由基通过的材料的导管，导管限定出由导管的第一端部限定的第一开口和由导管的侧壁限定的至少一个其他开口，导管的侧壁穿过真空室的壁并且被定位成使第一开口在真空室外，并且至少一个其他开口在真空室内并且朝向收集器被定向。
[0011]实施可以包括下面的特征中的一个或多个。
[0012]基团输送系统还可以包括自由基的源。
[0013]基团输送系统可以包括多个导管。
[0014]至少一个其他开口可以包括由侧壁限定并且穿过侧壁的多个开口。开口沿着平行于由导管限定的纵轴的路径彼此间隔开。开口可以具有不同尺寸，多个开口中的最小的开口可以最靠近导管的第一端部，并且多个开口中的最大的开口可以距导管的第一端部最远。导管可以被定位成使得多个开口中的每个开口在真空室内并且被朝向收集器定向。
[0015]导管可以被定位在放大光束的传播的路径外。导管可以被配置成相对于收集器移动。
[0016]在另一总体方面中，一种系统包括极紫外光源，包括:
[0017]产生放大光束的源;真空室;将靶材料朝向真空室中的靶位置引导的靶材料传送系统，靶位置接收放大光束，并且靶材料包括当被转换成等离子体时发射出极紫外光的材料；以及在真空室内并且在等离子体的路径中的收集器，收集器接收并反射发射出的极紫外光和碎肩。
[0018]系统还包括基团输送系统，包括:
[0019]包括使自由基通过的材料的导管，导管限定出由导管的第一端部限定的第一开口和由导管的侧壁限定的至少一个其他开口，导管的侧壁穿过真空室的壁并且被配置成将自由基引导至收集器，以在不从真空室去除收集器的情况下以恒定速率从收集器去除碎肩。
[0020]实施可以具有有着至少0.8m的纵向范围的导管的侧壁。
[0021]以上所讨论的技术中的任何一个的实施可以包括用于激光产生等离子体EUV光源的输送系统、EUV光源、用于改造EUV光源的系统、方法、过程、装置、存储在计算机可读介质上的可执行指令或者设备。一个或多个实施的细节阐述在附图和以下描述中。其他特征将从该描述和附图以及从权利要求中显而易见。
【附图说明】
[0022]图1A是示例性激光产生等离子体极紫外光源的框图。
[0023]图1B是可以在图1A的光源中使用的驱动激光系统的示例的框图。
[0024]图2A至图2C示出在三个不同时间处的示例性自由基输送系统的侧视图。
[0025]图3A示出另一示例性自由基输送系统的框图的侧视图。
[0026]图3B示出图3A的系统的沿着线3B-3B截取的平面图。
[0027]图3C示出图3A的系统的沿着线3C-3C截取的平面图。
[0028]图4是用于清洁真空室内的元件的示例性过程的流程图。
[0029]图5至图7和图8A示出用于输送自由基的示例性导管的立体图。
[0030]图SB示出另一示例性自由基输送系统的侧视图。
[0031]图9A示出另一示例性自由基输送系统的侧视图。
[0032]图9B示出图9A的系统的沿着线9B-9B截取的平面图。
[0033]图1OA示出另一示例性自由基输送系统的平面图。
[0034]图1OB示出图1OA的系统中所使用的导管的立体图。
[0035]图11示出另一示例性自由基输送系统的平面图。
【具体实施方式】
[0036]公开了用于将自由基(或基图)传送至元件的技术。自由基与在元件的表面上收集的碎肩结合，由此从表面上去除碎肩并且清洁了元件。自由基被用自由基输送系统传送至元件，该系统允许元件在不将其从其操作环境去除的情况下被清洁。
[0037]自由基是具有不成对价电子或开放电子壳层并因此可以被视为具有悬空共价键的原子、分子或离子。悬空键可以使自由基是高度化学反应性的，也就是，自由基可以容易地与其他物质起反应。因为它们的反应性性质，自由基可以被用于从物体上去除物质(诸如碎肩)。自由基可以例如通过腐蚀碎肩、与之起反应和/或使其燃烧来去除碎肩。
[0038]在激光产生等离子体(LPP)极紫外(EUV)光源中，靶混合物被用放大光束照射并且被转换成发射EUV光的等离子体。等离子体产生过程也可产生呈在靶混合物中的物质的颗粒、蒸气残留物或碎片的形式的碎肩。该碎肩可以积聚在等离子体的路径中的物体的表面上。例如，靶混合物可以包括诸如锡等的熔融金属，并且锡颗粒可以积聚在在等离子体的路径中的收集器反射镜上。
[0039]锡碎肩的存在可以降低收集器反射镜的性能，因此，清洁反射镜可以对系统性能有益。然而，收集器反射镜(和/或等离子体的路径中的其他元件)以特定的光学对准被定位在真空室内。为了清洁而从EUV光源去除收集器反射镜可导致损失系统时间。本文中所公开的输送系统将来自自由基的源的自由基传送至在真空室内的元件。通过将自由基传送至收集器反射镜或者受碎肩影响的在EUV光源中的其他元件，元件可以在没有从EUV光源中被去除的情况下通过暴露于自由基而被清洁。
[0040]自由基可以例如通过微波等离子体生成器产生。然而，因为自由基可以容易地与许多材料、特别是金属结合，所以将来自生成点的基图输送至在与自由基的源分开的较大系统(诸如EUV光源)内的位置用于清洁可以是具有挑战性的。
[0041 ]如下面所讨论的，通过形成如下输送系统:其由不容易与自由基结合的材料制成并且具有允许输送系统横跨源与待清洁的元件之间的距离同时还促使自由基的移动的几何形状，自由基可以在不将待清洁的元件重新定位至自由基的外部源的位置的情况下被从自由基的源传送至待清洁的元件。也就是，元件可以在不从其操作环境被去除的情况下被清洁。
[0042]在讨论自由基输送系统之前讨论EUV光源。
[0043]参见图1A，示出了LPP EUV光源10t3LPP EUV光源100包括自由基输送系统200。输送系统200被示出为源100的一部分。然而，输送系统200可以被从源100去除并且被重新插入源100。在讨论自由基输送系统200之前讨论EUV光源100。由图2A开始更详细地讨论自由基输送系统200。
[0044]LPP EUV光源100通过用沿着光束路径朝向靶位置105处的靶混合物114行进的放大光束110照射靶混合物114而形成。也称作照射场所的靶位置105在真空室130的内室107内。当放大光束110撞击靶混合物114时，在靶混合物114内的靶材料被转换成具有有着在EUV范围内的发射线的元素的等离子体状态。所产生的等离子体具有取决于在靶混合物114内的靶材料的成分的某些特性。这些特性可以包括通过等离子体产生的EUV光的波长和从等离子体释放的碎肩的类型和量。
[0045]光源100还包括靶材料传送系统125，其对呈液滴、液体流、固体颗粒或簇、被包含在液滴内的固体颗粒或被包含在液体流内的固体颗粒的形式的靶混合物114进行传送、控制和引导。靶混合物114包括诸如水、锡、锂、氙等的靶材料，或者当被转换成等离子体状态时具有在EUV范围内的发射线的任何材料。例如，元素锡可以作为纯锡(Sn);作为锡化合物、例如SnBr4、SnBr2、SnH4 ；作